[发明专利]一种直拉法生长无位错锗单晶热场和生长工艺有效
申请号: | 202111680194.0 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN114293256B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 王宇;冯德伸;刘宁;王博;李燕;雷同光;林泉 | 申请(专利权)人: | 中国有研科技集团有限公司 |
主分类号: | C30B29/08 | 分类号: | C30B29/08;C30B15/14;C30B15/20 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘秀青 |
地址: | 100088*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种直拉法生长无位错锗单晶热场和生长工艺。该热场的结构包括筒形主加热器和圆盘形底加热器,在主加热器外层依次设置有石墨保温桶、固化碳毡保温桶,在石墨保温桶和固化碳毡保温桶上端设有紧贴炉壁的多层保温盖,相邻的两层保温盖之间用石英块隔开;热屏悬挂在保温盖上,并从保温盖朝向靠近单晶的方向延伸到熔体液面上方的位置;热屏采用多层结构设计,热屏的主体结构为喇叭形,靠近单晶的内层热屏采用上薄下厚的楔形结构,两层热屏之间具有间隙。锗单晶的生长过程中,在籽晶前端浸入熔体前,需要分为四个烤晶悬停位置,使籽晶缓慢地从冷区浸入热区;调整热场的温度梯度,保证单晶生长环境的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 直拉法 生长 无位错锗单晶热场 工艺 | ||
【主权项】:
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