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[发明专利]一种用于IC芯片的ESD保护器件及电子装置-CN201810986843.1有效
发明人：陈光;李宏伟;冯军宏;陈祺;李程;王晨坤;张飞龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种用于IC芯片的ESD保护器件及电子装置，该ESD保护器件包括：位于半导体衬底中具有第一导电类型的第一区域；位于第一区域中的主可控硅整流器，所述主可控硅整流器包括位于所述第一区域中的阳极侧单元和若干位于所述第一区域中的阴极侧单元，若干所述阴极侧单元布置在阳极侧单元周围，以使来自输入端的静电放电电流通过阳极侧单元后经由所述阴极侧单元从多个方向流至所述参考端；位于所述第一区域中的二极管串，所述二极管串包括若干布置在所述主可控硅整流器周围的二极管单元，用于辅助触发所述主可控硅整流器。该ESD保护器件可以适用于各种电压应用的IC器件，并且改善了多SCR应用中开启均匀性问题。该电子装置具有类似的优点。
一种用于 ic 芯片 esd 保护器件电子装置

[发明专利]一种含大跨度拱桁架的看台综合钢结构及其施工方法-CN202310914302.9在审
发明人：方国良;毛杰;刘占宝;朱鼎祥;钟韧;姚文博;牛金库;蔡力;江海;徐玉慧;王温俊;冯军宏;宗宁雯;巫明杰 -专利权人：北京城建集团有限责任公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： E04H3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种含大跨度拱桁架的看台综合钢结构及其施工方法，看台综合钢结构为非对称椭圆形钢架，外周为双曲率带缺口的方形空中步道组架，其缺口处为场馆入口，其入口处设置有大跨度双曲率拱桁架，空中步道组架下方设置有椭圆形的看台组架。本申请通过空中步道组架的非对称式设计，满足了体育场看台顶部的空中步道的支撑和为拱桁架连接提供了连接基础；其中，步道外下斜立柱的设置，利于保证结构安装时的临时支撑；通过拱桁架的设置，在满足大跨度入口的功能化需求下，还能兼顾造型轻量化和多曲率变化；通过逆作施工方法，先施工看台上方的屋盖而后施工看台、空中步道和拱桁架，可有序的利用施工场地和便捷化施工，便于交叉化立体施工。
一种跨度桁架看台综合钢结构及其施工方法

[实用新型]一种泡沫沥青的加热装置-CN202223586341.0有效
发明人：金延飞;冯军宏;叶伟玉;杨亚龙;黄怡涛 -专利权人：富平县通平砼制品有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： E01C19/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种泡沫沥青的加热装置，属于道路工程施工技术领域，包括加热罐，所述加热罐顶部设置有加料口、底部设置有出料口，所述加热罐内设置有夹层，在所述夹层内设置有用于加热的加热丝，所述加热罐顶部设置有支架，所述支架上固定安装有电机，所述电机的输出端同轴设置有连接轴，所述加热罐内设置有搅拌轴，所述连接轴与搅拌轴传动连接，所述搅拌轴外周面等距分布有多根搅拌杆，所述搅拌杆、搅拌轴以及连接轴均为中空设置且相互连通。该泡沫沥青的加热装置，通过设置中空的连接轴、搅拌轴和搅拌杆，并配合搅拌杆上的喷头，可以将水滴注入熔融沥青的不同位置，并且搅拌杆转动对沥青进行搅拌可以提高沥青的发泡效果。
一种泡沫沥青加热装置

[实用新型]一种植桩施工用对中导正装置-CN202320530821.0有效
发明人：徐绍峰;刘冕宸;丁振斌;姚文博;徐北辰;王鹏飞;王克;韩雪峰;孙金;崔卫科;冯军宏;龙浩杰;李岗;陈胜林 -专利权人：北京城建集团有限责任公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： E02D13/04 文献下载
摘要：本实用新型属于管桩导正技术领域，具体是涉及到一种植桩施工用对中导正装置，包括支撑平台和至少两个直线伸缩器，支撑平台开设有导向孔；两个直线伸缩器相对设置于导向孔的两侧，直线伸缩器的运动端设置有卡箍件，卡箍件的内侧面可抵接于管桩；卡箍件包括中间基板、至少两个直线伸缩机构和两个边板，两个边板分别连接于中间基板的两端；直线伸缩机构的一端连接于中间基板，另一端连接于边板，用于边板以与中间基板连接处为支点可摆动调节，通过直线伸缩机构将两个边板以相同的角度向靠近管桩的方向的摆动调整，使得边板与不同直径的管桩抵接，从管桩有多方向的约束力，从而能够有效地对管桩对中导正。
种植施工导正装置

[实用新型]一种摇摆柱柱底支座节点结构-CN202321958924.3有效
发明人：方国良;钟韧;徐绍峰;牛金库;徐北辰;江博;马鑫亚;冯军宏;卢达;刘鸿宇;龙浩杰;谢彪;姚慧繁;宗宁雯;巫明杰;李帅 -专利权人：北京城建集团有限责任公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： E04B1/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种摇摆柱柱底支座节点结构，包含摇摆柱、可转动连接于摇摆柱底部的柱脚支座、连接于柱脚支座下方的支撑柱、连接于柱脚支座四周的楼承板和板面层以及连接于板面层与柱脚支座之间的钢环封件；所述摇摆柱上方连接钢桁架屋盖。本实用新型通过支撑柱上方安装摇摆柱的设置，既利用了支撑柱下方的承力，又利用了摇摆柱的防失稳功能；通过柱脚支座的设置，保证了顶部屋盖受力后的滑动，可有效的帮助钢结构耗能能，通过滑动位移和复位进行防失稳和局部变形；通过钢环封件的设置，利于进一步保证柱脚支座与楼面层的紧密连接，保证上支座板的稳固性，进而保证柱脚支座整体的连接。
一种摇摆柱柱底支座节点结构

[实用新型]一种公路裂缝的填补装置-CN202223583339.8有效
发明人：金延飞;叶伟玉;冯军宏;杨亚龙;黄怡涛 -专利权人：内蒙古铭奥工程科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： E01C23/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种公路裂缝的填补装置，属于道路施工技术领域，包括用于盛放高温沥青的罐体，所述罐体底部设置有出料管，所述出料管前进方向设置有导向轮、后方设置有压实辊，所述导向轮与罐体之间通过缓冲结构连接，所述罐体侧壁固定设置有安装架，所述压实辊转动设置于安装架上，所述罐体底端对称设置有两个支架，所述支架上转动设置有轴体，两个所述轴体水平同轴设置，且所述轴体轴线与该装置的前进方向垂直，所述轴体与压实辊之间通过传动机构连接，所述出料管上设置有用于震荡沥青的振捣机构。该公路裂缝的填补装置，通过设置压实辊，随着装置的运动，压实辊对经过修补的缝隙进行压实，使沥青在压实辊的碾压作用下充满缝隙。
一种公路裂缝填补装置

[发明专利]半导体结构和半导体结构的形成方法-CN202110383435.9在审
发明人：肖露露;刘玉红;冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法和半导体结构，方法包括：提供衬底；在衬底上形成初始底部电极材料层；对所述初始底部电极材料层表面进行含氮的表面处理，形成底部电极材料层和位于底部电极材料层上的钝化材料层；在钝化材料层上形成介电结构材料层；在介电结构材料层上形成顶部电极材料层。所述方法形成的半导体结构性能得到了提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110050105.8在审
发明人：王孝远;张进书;侯永田;冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，结构包括：基底，所述基底具有邻接的漂移区和体区，且所述漂移区的导电类型和体区的导电类型相反；位于所述基底上的第一栅极结构，所述第一栅极结构沿第一方向横跨所述漂移区和体区之间的边界，所述第一方向为第一栅极结构延伸方向的垂直方向；位于所述体区中的源区；位于所述漂移区中的漏区和第一隔离结构，所述源区和漏区分别位于所述第一栅极结构的两侧，所述第一隔离结构位于所述第一栅极结构和漏区之间，并且，所述第一栅极结构与所述第一隔离结构之间沿第一方向有间距；位于所述第一隔离结构表面的第二栅极结构。从而，提高了LDMOS晶体管的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]SRAM存储器及其形成方法-CN201710074019.4有效
发明人：甘正浩;冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：一种SRAM存储器及其形成方法，其中方法包括：提供基底；形成传输晶体管，形成所述传输晶体管的方法包括：在所述基底上形成传输栅极结构，传输栅极结构底部的基底中具有沟道区，所述传输栅极结构具有相对的第一侧和第二侧；在所述传输栅极结构第一侧的基底中形成第一外延层，第一外延层对沟道区产生应力，第一外延层的边缘至传输栅极结构的边缘的最小距离为第一距离；在所述传输栅极结构第二侧的基底中形成第二外延层，第二外延层对沟道区产生应力，第二外延层和第一外延层的材料相同，第二外延层的边缘至传输栅极结构的边缘的最小距离为第二距离，所述第二距离大于第一距离。所述方法能够提高SRAM存储器的电学性能。
sram 存储器及其形成方法

[实用新型]一种小型移动式震荡混凝土构件预制平台-CN202022343192.X有效
发明人：黄永飞;冯军宏;高鹏云;杨亚龙;李亚文;黄怡涛 -专利权人：甘肃恒捷路桥养护科技有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： B28B1/087 文献下载
摘要：本实用新型属于公路养护设备技术领域，具体涉及一种小型移动式震荡混凝土构件预制平台，包括包括预制平台和放置在预制平台上的构件模具，预制平台包括平台平面、位于平台平面下方四角的支撑腿、安装在支撑腿底端的移动部件和安装在平台平面底部的振动电机，支撑腿上中部套设有与平台平面连接的减震弹簧，所述的平台平面的端面设置有辊轴，辊轴通过转动轴连接在平台平面内侧壁上，辊轴之间具有间隙，多组辊轴形成一个滑动面，构件模具内装入混凝土后放置在滑动面上启动振动电机进行震荡。本实用新型采用多个辊轴形成滑动面，方便构件模具移动，同时采用分料板进行均匀分料，多个分料漏斗进料，不仅进料均匀，而且提高了工作效率。
一种小型移动式震荡混凝土构件预制平台

[发明专利]一种半导体器件测试结构、形成方法以及测试方法-CN201810196406.X有效
发明人： 冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件测试结构、形成方法以及测试方法，所述半导体器件测试方法包括:第一金属结构组合以及第二金属结构组合，所述第一金属结构组合与所述第二金属结构组合之间绝缘；其中：所述第一金属结构组合和所述第二金属结构组合均包括位于同一介质层且相绝缘的第一金属结构和第二金属结构，所述第一金属结构和所述第二金属结构均包括相平行的第一平行结构的组合，以及相平行的第二平行结构的组合，所述第一平行结构的组合与所述第二平行结构的组合交叉平行分布。本发明实施例中的技术方案可以法确定金属结构的形成位置的准确性。
一种半导体器件测试结构形成方法以及

[发明专利]反熔丝结构电路及其形成方法-CN201810777344.1有效
发明人： 冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种反熔丝结构电路及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在基底上形成反熔丝，形成所述反熔丝的方法包括：在基底上形成第一栅极结构和介质层，所述介质层覆盖第一栅极结构；在第一栅极结构两侧的介质层中分别形成导电插塞，所述导电插塞的宽度自顶部至底部递减；所述反熔丝结构电路的形成方法还包括：在基底上形成第二栅极结构，第一栅极结构的顶部表面高于第二栅极结构的顶部表面，所述介质层还覆盖第二栅极结构，所述导电插塞还分别位于第二栅极结构两侧的介质层中。所述方法降低了反熔丝的编程电压和编程时间。
反熔丝结构电路及其形成方法

[发明专利]半导体器件的测试结构及其测试方法-CN201810729598.6有效
发明人： 冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种半导体器件的测试结构及其测试方法，其中测试结构包括：若干第一晶体管，各第一晶体管包括第一栅极、位于第一栅极两侧的第一源极和第一漏极、以及位于第一源极和第一漏极表面的源漏插塞，各第一晶体管的源漏插塞到第一栅极的间距均不相同；分别与各第一栅极电连接的第一测试端；分别与各源漏插塞电连接的第二测试端，所述第一测试端和第二测试端之间用于施加测试电压；分别与各第一栅极电连接的检测单元，用于在若干第一晶体管中，检测第一栅极具有击穿电压的第一晶体管数量。所述测试结构提高了半导体器件的测试效率。
半导体器件测试结构及其方法

[发明专利]熔丝结构电路及其形成方法-CN201710210528.5有效
发明人：甘正浩;冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种熔丝结构电路及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括熔丝区和控制区；在所述基底熔丝区和控制区上分别形成金属层，控制区金属层用于和熔丝区金属层电学连接；在所述熔丝区金属层的顶部表面形成第一覆盖层，第一覆盖层的材料和熔丝区金属层的材料具有第一结合能；在所述控制区金属层的顶部表面形成第二覆盖层，第二覆盖层的材料和控制区金属层的材料具有第二结合能，第一结合能小于第二结合能。所述方法使得熔丝结构电路的性能得到提高。
结构电路及其形成方法

[发明专利]静电放电晶体管阵列装置-CN201710722966.X有效
发明人： 冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电晶体管阵列装置，涉及半导体技术领域。该静电放电晶体管阵列装置包括：半导体衬底，该半导体衬底包括：半导体层、在该半导体层上的掺杂区域和衬底接触区，其中该掺杂区域与该衬底接触区隔离开，该衬底接触区至少包括分别在该掺杂区域两侧的第一接触区部分；在该掺杂区域之上的平行排列的多个栅极，该多个栅极的延伸方向与该第一接触区部分的延伸方向平行；以及在每个栅极上沿着该栅极的延伸方向设置的耗散层接触件，其中，该耗散层接触件的密度随着该耗散层接触件所在的栅极到相应侧的第一接触区部分的距离的减小而减小。本发明可以使得ESD晶体管阵列装置均匀地散热。
静电放电晶体管阵列装置

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