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[实用新型]一种分离栅沟槽MOS管器件-CN202320893185.8有效
发明人：徐吉;傅玥;孔令涛 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种分离栅沟槽MOS管器件，包括衬底和形成在所述衬底上的外延层，所述外延层内设有沟槽，所述沟槽的底部和部分的侧壁均设有第一氧化层；所述沟槽内沉积有第一栅极多晶硅层，所述第一栅极多晶硅层被分离为依次间隔设置的第一分离栅、第二分离栅和第三分离栅，所述第一分离栅和第二分离栅之间、以及所述第二分离栅和所述第三分离栅之间均设有第二氧化层；其中，所述第二分离栅用于连接源极。本实用新型的分离栅沟槽MOS管器件，将分离栅分成三个部分，第二分离栅用于外连接源极，第一分离栅和第三分离栅用于减弱第一氧化层角落产生尖峰电场，同时第二分离栅的宽度小于栅极的宽度，降低了电容提高了开关的速率。
一种分离沟槽 mos 器件

[发明专利]一种具有集成结构的碳化硅器件及其制备方法-CN202310722366.9在审
发明人：徐吉;傅玥;孔令涛 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有集成结构的碳化硅器件及其制备方法，包括：包括：N掺杂衬底；所述N掺杂衬底上方设有N掺杂漂移区；N掺杂衬底下方设有漏极金属；所述N掺杂漂移区上方设有N‑外延层；所述N‑外延层上方设有电流分散层；所述电流分散层左上方和右上方设有P+掺杂区；两侧所述P+掺杂区的内侧自上而下设有N+掺杂区和P‑掺杂区；所述电流分散层上方设有第一氧化层，所述第一氧化层为阶梯式结构，包括第一氧化层第一区和第一氧化层第二区。本发明采用具有阶梯结构的L型第一氧化层，提高了器件在反向工作时的栅氧可靠性，提高器件的击穿电压，集成的二极管在器件工作在第三象限时，会拥有更加快速的恢复时间。
一种具有集成结构碳化硅器件及其制备方法

[实用新型]一种氮化镓模块-CN202320716438.4有效
发明人：傅玥;孔令涛;陈云;许彪;刘欢 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及氮化镓技术领域，尤其是指一种氮化镓模块，包括：引线框架；基板，包括层叠的焊接层、散热层，所述焊接层位于所述引线框架内，所述散热层露出于所述引线框架的第一表面；元器件组件，设于所述引线框架内，与所述焊接层连接，包括氮化镓单元、电容单元、电阻单元、二极管单元；引脚，一端与所述焊接层和/或元器件组件连接，另一端与所述引线框架焊接，且露出于所述引线框架的第二表面。本实用新型为氮化镓单管提供高效散热系统，降低器件的工作温度，提高期间寿命及性能；将电容、电阻、二极管等器件和氮化镓单管在单一模块中组成基本电路，提升应用端的工作效率。
一种氮化模块

[实用新型]一种兼具MOSFET与IGBT结构的碳化硅功率器件-CN202223597230.X有效
发明人：傅玥;徐吉;孔令涛 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种兼具MOSFET与IGBT结构的碳化硅功率器件，包括衬底层和栅极，衬底层包括第一衬底和第二衬底；栅极设置于第二衬底上；第一衬底包括第一导电类型部和第二导电类型部，第一导电类型部和第二导电类型部相互交替设置，第一导电类型部与栅极形成沟槽栅MOSFET结构，第二导电类型部与栅极形成沟槽栅IGBT结构。本实用新型在拥有IGBT使用电压控制、较大的输入阻抗、较小的驱动功率以及较小的导通电阻的优点的同时，通过MOSFET结构来改善开关频率低的缺点。
一种兼具 mosfet igbt 结构碳化硅功率器件

[外观设计]氮化镓器件功率模块-CN202330189761.6有效
发明人：傅玥;孔令涛;陈云;许彪;刘欢;周叶凡 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：氮化镓器件功率模块。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于高频驱动电路以及与其连接的氮化镓大功率器件及滤波模块。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.其他需要说明的情形其他说明：立体图中A、B、C、D、E、F标注的都是透明材质。
氮化器件功率模块

[发明专利]氮化镓驱动器件及其封装方法、氮化镓驱动模块-CN202310341091.4在审
发明人：傅玥;刘欢;孔令涛 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓驱动器件及其封装方法、氮化镓驱动模块，所述氮化镓驱动器件包括安装载板和功率组件；所述安装载板包括第一表面和背离所述第一表面的第二表面，所述第二表面的全部区域设置为散热层，所述散热层的材质设置为金属；所述功率组件包括氮化镓晶体管和控制所述氮化镓晶体管的驱动电路；所述功率组件紧贴设置于所述第一表面；本发明通过金属散热层实现表面散热，并进行模块化氮化镓器件的驱动；相较于现有的表面贴氮化镓器件增大散热面积，既能够优化驱动效果减少寄生参数又具备较好的散热效果，稳定可靠，避免半导体器件的热失效。
氮化驱动器件及其封装方法模块

[发明专利]基于蜂巢储能的自适应充换电管理方法及系统-CN202310469701.9在审
发明人：孔令涛;傅玥 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B60L53/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于蜂巢储能的自适应充换电管理方法及系统，方法应用于基于蜂巢储能的自适应充换电管理系统，系统包括BMS电池管理模块，方法包括在接收到电池的充电请求时，BMS电池管理模块对电池进行标定，生成电池的标定信息；完成标定后，BMS电池管理模块获取电池的状态信息，并将电池的状态信息和标定信息打包发送至充电站，由充电站根据状态信息和标定信息对电池进行充电。本发明采用BMS电池管理模块预先对电池进行标定，根据标定信息对不同特性的电池进行自适应充换电管理，如此能够兼容不同电压、不同材料的电池，解决了现有技术充换电管理系统无法兼容不同特性电池的问题，具有效率高、噪音小、系统生命周期长的优点。
基于蜂巢自适应充换电管理方法系统

[实用新型]一种沟槽栅场效应晶体管-CN202223597748.3有效
发明人：徐吉;傅玥;孔令涛 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种沟槽栅场效应晶体管，本实用新型包括衬底；淀积在所述衬底上的第一N型掺杂区；淀积在所述第一N型掺杂区上的第二N型掺杂区，所述第二N型掺杂区的掺杂浓度大于所述第一N型掺杂区的掺杂浓度；所述第二N型掺杂区的边侧形成有第一沟槽，所述第一沟槽内填有P型掺杂区；所述第二N型掺杂区的中部形成有第二沟槽，所述第二沟槽内填有多晶硅形成栅极区；本实用新型所述的沟槽栅场效应晶体管，P型掺杂区进一步境降低碳化硅的导通电阻，提高碳化硅高温环境下的工作能力，提高防短路的能力。
一种沟槽场效应晶体管

[发明专利]GaN功率器件的缺陷可容布局和封装-CN201910490973.0有效
发明人：李湛明;罗广豪;傅玥;吴伟东;刘雁飞 -专利权人：苏州量芯微半导体有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种GaN功率器件的缺陷可容布局和封装。一种GaN功率开关器件，包括：至少有一个包含数个子器件的晶片，其中每一个子器件都是一个开关器件；将这至少一个晶片中仅正常子器件选择性地连接在一起来构成功率开关器件；在封装之前，正常子器件与缺陷子器件通过缺陷子器件上的标注区分。本发明采用包含数个低功率子器件的晶片来获得高额定功率。这种晶片中仅正常子器件相互连接，并通过有选择性地排除缺陷子器件来允许缺陷子器件的存在。本发明所述封装和方法特别应用于GaN功率开关器件比如高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)，可以最大程度的提高整个晶片的良品率。
gan 功率器件缺陷布局封装

[实用新型]一种便于散热的氮化镓器件及驱动元器件的集成模块-CN202222909242.5有效
发明人：傅玥;刘欢;孔令涛 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种便于散热的氮化镓器件及驱动元器件的集成模块，包括：基板、电连接部、氮化镓器件和驱动元器件；基板包括下金属层、上金属层和叠置在下金属层和上金属层之间的介质层，下金属层和介质层，两者的大小相等、形状相同；上金属层上形成多个连接图案；氮化镓器件和驱动元器件叠置在上金属层远离介质层的一侧，氮化镓器件和驱动元器件间隔设置；电连接部叠置在上金属层远离介质层的一侧，且位于边缘处；电连接部、氮化镓器件以及驱动元器件分别贴在连接图案上；介质层开设有贯穿其厚度的多个过孔，过孔内填充有金属。这种集成模块将整块大面积的下金属层作为散热底板，大幅提升散热效果。
一种便于散热氮化器件驱动元器件集成模块

[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件以及制备方法-CN202211613958.9在审
发明人：孔令涛;徐吉;傅玥 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件以及制备方法，包括衬底；第一N型外延层设置在衬底上；第二N型外延层设置在第一N型外延层上；P型体区位于第二N型外延层的外侧并使第二N型外延层的内部区域成为N型漂移区；源极区设置在P型体区上方，源极区包括P型阱区、N型阱区，源极金属，P型阱区至少部分延伸至N型漂移区内；栅极区包括多晶硅栅极和栅极氧化层，多晶硅栅极至少部分投影在P型阱区和N型阱区上；漏极设置于衬底的背面；肖特基二极管，位于第二N型外延层的上方，并被栅极氧化层包围，使其与多晶硅栅极电性隔离。本发明得到的碳化硅MOSFET器件，功率损耗更低，效率更高，稳定性更强，体积小巧，具有良好的性能优势。
一种碳化硅 mosfet 器件以及制备方法

[发明专利]一种混合门极氮化镓功率器件-CN202211362249.8在审
发明人：傅玥;孔令涛 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种混合门极氮化镓功率器件，介质层中设有源极、漏极以及混合门极，混合门极包括P型氮化镓层和两个金属门极层，P型氮化镓层具有背离阻挡层的第一表面和朝向漏极的第二表面，两个门极金属层分别设于P型氮化镓层的第一表面侧和第二表面侧，P型氮化镓层与其第一表面侧的门极金属层组成增强型门极，P型氮化镓层第二表面侧的门极金属层为耗尽型门极。本发明创造性的将传统氮化镓器件里的增强或者耗尽型门极设计合并在一起，取长补短，即实现了传统增强型常关的特性，又利用了传统耗尽型对电场集中不敏感的优势。在不增加生产成本的情况下，巧妙的解决了传统增强型功率器件门极P‑GaN长期可靠性的问题。
一种混合氮化功率器件

[实用新型]一种氮化镓功率器件-CN202221790359.X有效
发明人：傅玥;周叶凡;孔令涛 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓功率器件，包括氮化镓芯片、二极管、金属柱、散热板、基板和PCB板，其中基板嵌于PCB板中，氮化镓芯片和二极管置于散热板和PCB板之间，氮化镓芯片衬底层及二极管阳极与散热板相连，氮化镓芯片的电极及二极管阴极通过焊球与基板连接，二极管阴极与氮化镓芯片漏极通过焊球实现电气连接，散热板通过金属柱与氮化镓芯片源极相连，二极管阳极通过金属柱与氮化镓芯片源极相连。将氮化镓芯片和二极管集成在一个器件里形成电气并联，降低了氮化镓器件反向导通时的功耗，保护氮化镓器件，氮化镓芯片采用倒装方式，缩短了氮化镓器件与二极管之间的导线长度，降低了导线产生的寄生效应，提高了电路的可靠性。
一种氮化功率器件

[实用新型]一种提升散热性能的倒装氮化镓功率器件-CN202221231389.7有效
发明人：傅玥;孔令涛;许彪;周叶凡 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提升散热性能的倒装氮化镓功率器件，包括芯片、PCB板和基板，芯片通过焊球固定于PCB板之上，且基板固定于PCB板之上；芯片和基板之间通过至少一个焊球形成电气连接；芯片的衬底之上设置散热层，且散热层通过金属柱和芯片的源极连接。本实用新型可以实现快速有效地散热。
一种提升散热性能倒装氮化功率器件

[发明专利]一种集成续流二极管的氮化镓功率器件以及封装方法-CN202210816516.8在审
发明人：傅玥;周叶凡;孔令涛 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成续流二极管的氮化镓功率器件以及封装方法包括：基板层；集成器件，位于所述基板层上层；所述集成器件包括：氮化镓芯片，采用倒封装将所述氮化镓芯片上部通过所述基板与所述基板形成电气连接；续流二极管，所述续流二极管阳极通过所述基板与所述氮化镓芯片漏极。本发明采用基板将氮化镓芯片和续流二极管连接，避免因氮化镓芯片与续流二极管导线连接较长而产生寄生参数，影响器件的性能，提高了元器件的稳定性，还采用DBC板作为上层板，可以更好的进行热传导，更好的进行散热，这种设计还节省了空间，便于后续元器件的制备。
一种集成二极管氮化功率器件以及封装方法

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