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[发明专利]一种边缘浮栅晶体管的存储方法-CN202310886195.3在审
发明人： 任天令;田禾;吴凡 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明公开了一种边缘浮栅晶体管的存储方法，边缘浮栅晶体管包括背栅极、背栅介质层、第二介质层、沟道层、第一电极和第二电极；背栅介质层覆盖在背栅极上；沟道层覆盖在第二介质层上，且第二介质层和沟道层均为台阶状的结构；第一电极和第二电极分别位于沟道层的下台阶面和上台阶面的上方；第二介质层的下台阶面覆盖在背栅介质层上；第二介质层的上台阶面的下方与背栅介质层之间，由下到上还依次层叠设置有第一栅极、第一介质层和第二栅极；背栅极、第一栅极及第二栅极各能够控制沟道层的一段沟道区域的选通；边缘浮栅晶体管通过使电子移动至第一栅极内完成写入操作；边缘浮栅晶体管通过使电子移动出第一栅极完成擦除操作。
一种边缘晶体管存储方法

[发明专利]基于体积量的汗液传感器及其制备方法-CN202310870060.8在审
发明人：伍晓明;任天令;赵志豪 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： A61B5/145 文献下载
摘要：本公开提出一种基于体积量的汗液传感器及其制备方法，该汗液传感器包括基底层，基底层为第一柔性材料；电极层中产生电极和收集电极采用叉指电极的结构方式布置在基底层上，产生电极导线与产生电极连接，收集电极导线与收集电极连接；在汗液体积量变化时产生电极与收集电极间的电容变化，变化后的电容以电信号的方式通过产生电极导线和收集电极导线送至外部设备，以通过外部设备得到汗液体积量以及汗液聚集和蒸发的变化过程；封装层，封装层为第二柔性材料，封装层用于封装产生电极和收集电极，基底层的厚度为叉指电极的相邻叉指之间的间隙距离的预设倍数。利用本公开的汗液传感器能够更好地检测汗液量并监测汗液聚集和蒸发的长过程可逆变化。
基于体积汗液传感器及其制备方法

[发明专利]针对心血管疾病健康监测的集成传感器及其制备方法-CN202310899379.3在审
发明人：伍晓明;任天令;赵志豪 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： A61B5/318 文献下载
摘要：本发明公开了针对心血管疾病健康监测的集成传感器及其制备方法，该集成传感器包括：柔性基底，柔性基底上设有采用蛇形图案结构的Ni基蛇形电阻式薄膜的温度传感器、含有两个圆形金属电极片的心电传感器、三明治结构的呼吸传感器、基于叉指电极结构的平面电容式的汗液量传感器、柔性平面电容式的水负荷传感器的封装传感器。本发明可以实现多种生理物理信号和电信号的汇总输出，该传感器轻巧便捷。
针对心血管疾病健康监测集成传感器及其制备方法

[发明专利]可穿戴产品、指环条带及其制作方法-CN202310730558.4在审
发明人： 任天令;李鼎;崔天睿;徐子淦;沈鹏辉;刘厚方;杨轶 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本申请涉及一种可穿戴产品、指环条带及其制作方法。该指环条带包括：软质壳体，其一端具有指环；应变传感器，设置于所述软质壳体中，并靠近所述指环；连接导线，设置于所述软质壳体中，其一端连接所述应变传感器；以及电气接口，设置于所述软质壳体远离所述指环的一端，并与所述连接导线的另一端电连接。应变传感器能够检测手背皮肤的微小变化，实现采用一个应变传感器实现五个手指手势的采集，而且，每个手指运动时会对应变传感器产生不同的响应，实现手势控制的目的。这样，利用单根的指环条带即可识别全部手指的运动，从而减少传感器的数量，减轻设备的重量和体积，方便携带，提升用户日常使用体验，便于使用；同时，还能够降低成本。
穿戴产品指环条带及其制作方法

[发明专利]肌电与力学信号融合电极、人工喉及默读语音识别方法-CN202210179948.2在审
发明人： 任天令;田禾;李骁时;韦雨宏 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： A61B5/263 文献下载
摘要：本发明提供一种肌电与力学信号融合电极、人工喉及默读语音识别方法，肌电与力学信号融合电极包括：衬底层、绝缘层、力学电极以及肌电电极；绝缘层设于衬底层上，肌电电极和力学电极均设于绝缘层的表面，力学电极与肌电电极间留有间隙；力学电极用于采集目标区域的力学信号，肌电电极用于采集目标区域的肌电信号。本发明提供的肌电与力学信号融合电极、人工喉及默读语音识别方法，通过将肌电电极与力学电极组合至一个电极结构中，得到肌电与力学信号融合电极，该肌电与力学信号融合电极既可以同时采集肌电信号和力学信号，又无需增加电极数量，使基于该肌电与力学信号融合电极构建的人工喉采集到更多有效信号，穿戴更加方便，且舒适度更高。
力学信号融合电极人工默读语音识别方法

[发明专利]一种全纤维的柔性心音传感器及其制备方法-CN202310444429.9在审
发明人：伍晓明;任天令;胡志荣;李欣 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： A61B7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种全纤维的柔性心音传感器及其制备方法。柔性心音传感器包括压电层和电极层，压电层为掺杂有钛酸钡纳米颗粒的P(VDF‑TrFE)静电纺丝纤维；电极层为聚氨酯与石墨烯浆料和银纳米线混合静电纺丝的导电纤维层，电极层包括分别设置在压电层上下两侧的上电极层和下电极层，上电极层和下电极层分别连接上电极导线和下电极导线，在受到外部应力时，电极层将应力传递给压电层，压电层内部极化，在表面感应出相反电荷，并通过电极层传导出来形成电势差本发明的心音传感器为全流程柔性纤维制备，无金属电极参与，具有较高的信噪比和灵敏度，较好地稳定性和透气性，在长期监测中可确保可靠性和舒适性，大幅提升了压电传感器的性能。
一种纤维柔性心音传感器及其制备方法

[发明专利]基于铁电晶体管的施密特触发器及多谐振荡器-CN202210142851.4在审
发明人： 任天令;赵瑞婷;鲁添;刘厚方;赵晓玥;邵明昊;杨轶;伍晓明 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明提供一种基于铁电晶体管的施密特触发器及多谐振荡器，该触发器包括：构成CMOS反相器的第一元件和第二元件，两元件分别为n型铁电晶体管和p型晶体管，源极分别接地与VDD，或者两元件分别为p型铁电晶体管和n型晶体管，源极分别接VDD与地；两元件的栅极相连作为输入，漏极相连作为输出；或者，第一元件和第二元件构成伪NMOS反相器，其中，第一元件为n型铁电晶体管，第二元件为负载，第一元件通过负载连接至VDD端，第一元件的源极接地，栅极与漏极分别作为输入和输出。该触发器电路结构简单，仅仅通过两个元件便可实现施密特触发器功能，面积小，功耗低。同时减少制备加工工艺难度，减少加工成本，综合性能优越。
基于晶体管施密特触发器多谐振荡器

[发明专利]自氧化方式制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管-CN201911006920.3有效
发明人： 任天令;田禾;吴凡;王雪峰;杨轶 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提出的一种自氧化方式制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管，包括依次层叠的衬底、栅极及其介质层和二维薄膜，二维薄膜的上表面分别与第一电极和第二电极相接触；二维薄膜采用过渡金属硫族化合物通过干法、湿法转移方法或直接生长的方式经由图形化制得；第一电极采用具有致密自氧化特性的金属材料通过溅射或蒸发方式进行沉积制得；利用第一电极的致密自氧化特性在除该第一电极与二维薄膜相接触外的其余表面均形成自氧化层，以此实现第一电极和第二电极之间的隔离，并在第一电极和第二电极之间自氧化层下方的二维薄膜内形成亚10nm的沟道。本发明在不依赖于光刻机精度的前提下制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管。
氧化方式制备 10 nm 沟道二维薄膜场效应晶体管

[发明专利]基于热声效应的石墨烯可拉伸发声器件及相关组件-CN202310237189.5在审
发明人：田禾;顾雯;李骁时;任天令 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H04R9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于热声效应的石墨烯可拉伸发声器件及相关组件，石墨烯可拉伸发声器件包括衬底、石墨烯电介质层、接触金属和导线介质；衬底为可拉伸结构，石墨烯电介质层为石墨烯与去离子水混合墨水打印渗透到衬底中形成的三维结构层，接触金属设置在衬底上且位于石墨烯电介质层的两侧，导线介质的一端设置于接触金属中，导线介质的另一端与音频播放器的输出端连接。本发明的石墨烯可拉伸发声器件具有较好的可拉伸性能，实用性较强。
基于效应石墨拉伸发声器件相关组件

[发明专利]存算一体电路、存算一体运算方法-CN202310442551.2在审
发明人：叶苓;任天令;田禾;刘晏铭;吴凡;肖京 -专利权人：平安科技（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本发明涉及存算技术领域，公开了一种存算一体电路、存算一体运算方法。存算一体电路包括元胞自动机中各个元胞对应的多联级忆阻器单元、晶体管，其中，各联级忆阻器单元之间通过晶体管进行连接；各晶体管用于根据输入的第一脉冲信号控制各联级忆阻器单元的连接关系和运行模式；多联级忆阻器单元用于存储对应元胞的状态值，并按照连接关系和运行模式，根据输入的第二脉冲信号和存储的状态值执行元胞自动机对应的逻辑运算，以及输出逻辑运算的结果。本发明实现了将忆阻器应用于元胞自动机的逻辑运算，降低了元胞自动机逻辑运算的硬件需求和电路功耗。
一体电路运算方法

[发明专利]二维材料场效应晶体管的建模方法及装置-CN202310266025.5在审
发明人： 任天令;鄢诏译;刘厚方;田禾;杨轶;侯展;鲁添;赵瑞婷;闫涧澜;闫岸之;王震泽 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本申请涉及一种二维材料场效应晶体管的建模方法及装置，其中，方法包括：基于二维材料场效应晶体管的器件结构与电学特性测试偏置配置信息，确定沟道的源结、本征沟道和漏结的坐标区间；根据划分的坐标区间建立源结和漏结的Landauer载流子输运物理图景的数学模型；利用预设Landauer公式和预设漂移扩散公式的准费米能级相空间(QFLPS)形式分别生成源结、本征沟道和漏结的电流输运，得到电流的综合公式。由此，解决了相关技术中，通过基尔霍夫电流守恒定律求解内部节点电压计算得到最终的结‑沟道串联电流，严重影响计算效率，不满足电路仿真的效率要求，按照并联取加权平均的方法没有物理含义，不利于从物理角度根据实验结果对工艺进行评估等问题。
二维材料场效应晶体管建模方法装置

[发明专利]计算场效应晶体管沟道表面静电势自洽解的方法及装置-CN202310224668.3在审
发明人： 任天令;鄢诏译;刘厚方;田禾;杨轶;侯展;吴凡;闫涧澜;王震泽 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：本申请涉及建模技术领域，特别涉及一种计算场效应晶体管沟道表面静电势自洽解的方法及装置，其中，方法包括：基于预设栅电容方程的零温极限，得到静电势零温极限精确解析解，代入含温度展宽系数软化函数得到一般温度静电势逼近解，并取优化系数向量映射的线性近似作为生成任意温度初始解的种子，计算漏源电流。本申请实施例可以基于零温极限下栅电容方程的求解，获取一般温度静电势逼近解，通过软化系数的向量优化，生成任意温度下充分接近准确解的迭代初始值生成公式，以实现场效应晶体管表面静电势的高效数值计算，进而得到漏源电流，由此提升了表面静电势迭代收敛过程的速度，优化了数值计算的效率与精确度，更加准确实用。
计算场效应晶体管沟道表面静电方法装置

[发明专利]单畴铁电晶体管三态存储的操作方法及装置-CN202310128233.9在审
发明人： 任天令;王震泽;鄢诏译;刘厚方;杨轶 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请涉及铁电存储技术领域，特别涉及一种单畴铁电晶体管三态存储的操作方法及装置，其中，方法包括：判断单畴铁电晶体管是否满足实施三态存储的条件；若单畴铁电晶体管满足实施三态存储的条件，则确定单畴铁电晶体管的三态操作手续种类和目标状态；基于目标三态操作手续对单畴铁电晶体管进行操作，使得单畴铁电晶体管进入目标状态，以在目标状态完成存储动作。由此，解决了相关技术中对于单个铁电畴的利用均局限于上下两个态的问题，拓展了传统操作模式只涵盖铁电畴的上下两态的技术限制，使单畴铁电晶体管能够实现三态存储，提高了数据存储密度，提高存算一体电路集成度。
单畴铁电晶体管三态存储操作方法装置

[发明专利]一种基于石墨烯复合材料的呼吸传感器及其制备方法-CN202310233882.5在审
发明人： 任天令;李宇涛;杨轶;耿祥顺;王昱豪 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： A61B5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯复合材料的呼吸传感器及其制备方法，其中呼吸传感器包括柔性基底层、核心敏感层和封装层，柔性基底层上设置有导线及电极，核心敏感层的下表面设置于柔性基底层上，核心敏感层的上表面通过封装层封装，柔性敏感层为石墨烯、聚苯胺和聚二甲基硅氧烷固化形成。本发明采用上述结构的一种基于石墨烯复合材料的呼吸传感器，可以对人体呼吸做出迅速响应，提高呼吸响应频率，且封装层可以有效隔绝呼吸湿度的影响，提高了呼吸监测的准确性；同时柔性基底层可以有效贴合皮肤，提高人体贴附性的同时，可以降低外界环境温度的影响，实现实时监测人体呼吸变化，以判断人体生理状态尤其是肺部健康情况。
一种基于石墨复合材料呼吸传感器及其制备方法

[发明专利]基于TFT的柔性能量收集芯片及系统-CN202310195310.2在审
发明人： 任天令;闫岸之;刘厚方;王春琳;闫涧澜;张晓龙;张珉澍;杨轶 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H02J50/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于TFT的柔性能量收集芯片及系统，所述基于TFT的柔性能量收集芯片包括片上电路、片外电感、片外电容和柔性连接件；所述片外电感和所述片外电容通过所述柔性连接件与所述片上电路电连接；所述片上电路上设置有通过TFT集成工艺制备得到的叠加式环形振荡器、电荷泵、单稳态触发器、Boost转换器和低压差线性稳压器。本申请的能量收集芯片可弯折，可提高应用场景灵活性以及降低成本。
基于 tft 柔性能量收集芯片系统

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