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[发明专利]基于大语言模型的口语学习方法、装置-CN202310585313.7在审
发明人：杨晓光;陈主斌;代露;张洁;王主龙 -专利权人：北京易言科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G09B5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于大语言模型的口语学习方法、装置、电子设备及计算机可读介质。该方法通过设置场景、人设，使得学生能够选择感兴趣的场景以特定人设进行口语的学习，大语言模型基于特定场景、特定人设和学生口语内容、学生口语水平进行反馈，与学生进行互动式学习，并且，采用难度跟随机制，大语言模型的反馈的难度与学生口语水平相符或稍高于学生口语水平，达到了根据不同学生不同情况进行针对性学习的效果，学生能够随时随地进行外语口语的学习，并且，基于特定场景和人设的对话练习使得口语学习非常有针对性和实用性。
基于语言模型口语学习方法装置

[发明专利]用于治疗胃肠动力疾病的中药组合物及其制备方法、应用-CN202211532047.3在审
发明人：沈会;李吉彦;李佳睿;王政芃;代露;张靖源;马璐萍;朱炜楷;赵妍妍;宫健 -专利权人：大连医科大学附属第一医院
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： A61K36/9064 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于治疗胃肠动力疾病的中药组合物及其制备方法、应用，涉及中药组合物的技术领域，主要由以下原料药制备而成：生黄芪、当归、鸡内金、白豆蔻、炒神曲、生麦芽、炒麦芽、枳壳、枳实、生白术、虎杖、生山楂、木香、杏仁，以及桃仁，本发明中的各味原料药相辅相成，能够取得协同配合的作用，经临床试验验证，该中药组合物能够有效改善胃肠动力疾病患者的临床症状，提高胃肠动力疾病的治愈率，具有益气消结、补中健脾之功效，达到了有效调节胃肠运动的技术效果。
用于治疗胃肠动力疾病中药组合及其制备方法应用

[发明专利]半导体激光器及其制作方法-CN202211609410.7在审
发明人：郭丁凯;杨旭;代露 -专利权人：武汉仟目激光有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：S1，制备外延结构，外延结构包括具有高掺杂层的P型DBR，S2，在外延结构表面进行环形P型DBR的刻蚀，直至刻蚀至高掺杂层，S3，在高掺杂层上制作P型接触电极，并对P型接触电极进行处理，S4，接着制备N型电极，并对N型接触电极进行处理，S5，切割芯片。还提供一种半导体激光器，包括于衬底上依次生长的N型DBR、有源区、氧化层以及P型DBR，P型DBR被刻蚀至其高掺杂层，高掺杂层上设有P型接触电极。本发明将P型接触电极制作于P型DBR底部的高掺杂层上，使得电流不需要穿过整个p型DBR，比传统的制作工艺，能更好的降低芯片阻抗，降低功耗，提高芯片的调制速率。
半导体激光器及其制作方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制作方法-CN201810682176.8有效
发明人：赵亮;代露;许海明;肖黎明 -专利权人：湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，提供了一种垂直腔面发射激光器的制作方法，包括如下步骤：S1～S4四个步骤。还包括一种垂直腔面发射激光器。本发明通过将待刻区做成倒梯形台体可以起到限制电流的作用，将待刻区做成圆柱体可以控制工艺精度，方便后续工艺制作，将待刻区做成正梯形台体可以有利于后续制作电极时的金属接触以及有效降低电阻，而且该正梯形台体结构也可以使外延应力不容易集中某一处，对激光器的电性能有积极作用。
垂直发射激光器及其制作方法

[发明专利]双台阶光电器件及其制备方法-CN201910304530.8有效
发明人：金迎春;肖黎明;代露 -专利权人：湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及光电器件技术领域，提供了一种双台阶光电器件的制备方法，包括如下步骤：S1，于外延片上方依次制备第一掩膜图形和第二掩膜图形，第一掩膜图形的光刻窗口大于第二掩膜图形的光刻窗口；S2，以第二掩膜图形为掩膜对裸露在光刻窗口外的外延片进行刻蚀，直至第二掩膜图形消耗完，以获得第一层台阶；S3，以第一掩膜图形为掩膜继续对裸露在光刻窗口外的外延片进行刻蚀，以获得第二层台阶；S4，完成刻蚀后进行钝化以及电极制备，以得到双台阶光电器件。还提供一种双台阶光电器件。本发明通过采用第一掩膜图形和第二掩膜图形分别作为两次掩膜对外延片进行刻蚀，即通过一次刻蚀即得到双台阶结构，缩短了工艺流程，且避免了出现套刻偏差的情况。
台阶光电器件及其制备方法

[发明专利]一种改善垂直腔面发射激光器氧化均匀性的湿法氧化工艺-CN201911281608.5在审
发明人：代露;肖黎明 -专利权人：武汉光安伦光电技术有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善垂直腔面发射激光器氧化均匀性的湿法氧化工艺，本氧化工艺包括如下步骤：氧化前通入H2，对片子表面进行预处理，使片子表面活化，这样有利于后续氧化的均匀性，另外，氧化步骤完成后，继续保温一段时间，持续通入N2，直到温度降至常温，氧化结束，这样持续通入N2的目的是去除反应坏境中的H2，减少H的钝化作用并对片子进行退火，同时在氧化过程中，水蒸汽流量用液体流量计精准控制。此外，此种氧化工艺可单片氧化，也可实现多片氧化同时进行。本发明提供的氧化工艺可以很好的实现均匀氧化。
一种改善垂直发射激光器氧化均匀湿法工艺

[发明专利]一种VCSEL芯片阵列结构及其制作方法-CN201810489567.8有效
发明人：唐琦;肖黎明;代露 -专利权人：湖北光安伦科技有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种VCSEL芯片阵列结构，包括半导体层、氧化台阶和出光孔；氧化台阶在半导体层上呈阵列分布，且各氧化台阶相对于各出光孔中心对称，氧化台阶为多边形结构，相邻氧化台阶之间通过半导体筋连接，相邻多个氧化台阶的轮廓线及连接两氧化台阶的半导体筋构成的封闭空间形成氧化孔，出光孔中心对称且具有非圆形的氧化前沿轮廓线。另外，本发明还提供了该VCSEL芯片阵列结构的制作方法。本发明通过各相邻出光孔的氧化台阶相互之间由半导体筋连接，保证了各出光孔的机械强度，同时各氧化台阶相对于各出光孔中心对称，且分布均匀，保证了氧化速度沿各出光孔中心均匀对称，且出光孔近似圆斑，其氧化前沿轮廓线为非圆形，有利于改善VCSEL激光的偏振性能。
出光孔阵列结构中心对称轮廓线半导体半导体层非圆形多边形结构封闭空间均匀对称偏振性能阵列分布氧化孔制作近似激光保证

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201610620080.X有效
发明人：代露;万林;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型层、有源层和P型层，成核层包括层叠的多层N型Al_xGa_1‑xN层，各层N型Al_xGa_1‑xN层的掺杂浓度不变，多层N型Al_xGa_1‑xN层的掺杂浓度沿外延片的层叠方向连续变化，通过成核层包括层叠的多层N型Al_xGa_1‑xN层，且各层N型Al_xGa_1‑xN层的掺杂浓度不变，多层N型Al_xGa_1‑xN层的掺杂浓度沿外延片的层叠方向连续变化，有利于电流的扩展，降低了外延片的电阻，进而降低外延片的正向电压，减少LED的能耗和发热量，延长使用寿命。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种光刻返工过程中半导体表面处理方法-CN201810488113.9在审
发明人：代露;吴继清;肖黎明 -专利权人：湖北光安伦科技有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻返工过程中半导体表面处理方法，包括如下步骤：1)提供包括薄膜层和待返工的光刻胶的半导体结构；2)去胶溶液去除待返工的光刻胶；3)等离子体辉光清理半导体结构表面；4)依次对半导体结构表面进行清洗和干燥工艺；5)在薄膜层表面生长一层掩膜层；6)去除掩膜层；7)在薄膜层表面涂光刻胶。本发明通过在去除光刻胶并完成对半导体结构表面的清洗和干燥工艺后进行生长掩膜层的方法，以修复薄膜层的表面形貌，同时生长过程中一些等离子体可与薄膜层表面的悬键相结合，在去除掩膜层同时降低了表面悬键数量，减少由形貌不佳、悬键过多所造成的缺陷，提高光刻胶与薄膜层附着力，防止光刻胶脱落并提高图形精度，有效提高产出和良率。
光刻胶掩膜层返工去除薄膜层表面薄膜层悬键半导体表面处理半导体结构表面干燥工艺光刻清洗附着力等离子体等离子体辉光形貌半导体结构表面形貌导体结构去胶溶液生长过程生长良率修复

[发明专利]一种发光二极管的外延片及制备方法-CN201610616141.5有效
发明人：代露;万林;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括蓝宝石衬底、低温缓冲层、成核层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层，高温缓冲层为N型掺杂的氮化镓层，成核层包括层叠的多层N型AlxGa1‑xN层，通过将成核层设计为多层掺杂浓度逐层递增的N型AlxGa1‑xN层，高温缓冲层设计为掺杂浓度在成核层和N型层之间，有利于底层电流扩展，降低芯片正向电压，从而降低芯片的能耗。而且AlxGa1‑xN层可以有效缓解GaN和蓝宝石衬底之间的晶格失配，加上高温缓冲层的掺杂浓度在成核层和N型层之间，进一步提高成核层、高温缓冲层、N型层之间的晶格匹配度，改善外延片的翘曲度。
一种发光二极管外延制备方法

[外观设计]修鞋胶包装管-CN201730128124.2有效
发明人：代露;李阳;袁峰 -专利权人：胡倪珺冉
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： 09-05 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称修鞋胶包装管。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于包装修鞋胶。3．本外观设计产品的设计要点本外观设计产品的设计要点在于产品的形状与图案的结合。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片主视图。5．省略视图无省略视图。
修鞋胶包装

[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法-CN201410072064.2有效
发明人：代露;魏世祯;谢文明 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，所述成核层包括多个AlxGa1‑xN层，0＜x＜1，所述多个AlxGa1‑xN层的Al组分含量沿所述外延片的生长方向逐层减少。本发明通过在蓝宝石衬底和未掺杂GaN层之间加入成核层，成核层包括多个AlxGa1‑xN层，0＜x＜1，可以避免未掺杂GaN层和衬底之间晶格不匹配。而且多个AlxGa1‑xN层的Al组分含量沿外延片的生长方向逐层减少，改善了最终生长出来的外延层的翘曲度，外延片内光电性能比较均匀，晶体质量较好。
发光二极管外延及其制造方法

[外观设计]唇釉包装瓶-CN201730128337.5有效
发明人：代露;李阳;袁峰 -专利权人：胡倪珺冉
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： 09-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称唇釉包装瓶。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于包装唇釉。3．本外观设计产品的设计要点本外观设计产品的设计要点在于产品的形状与图案的结合。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片主视图。
包装

[外观设计]唇彩包装瓶-CN201730128338.X有效
发明人：代露;李阳;袁峰 -专利权人：胡倪珺冉
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： 09-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称唇彩包装瓶。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于包装唇彩。3．本外观设计产品的设计要点本外观设计产品的设计要点在于产品的形状与图案的结合。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片主视图。
包装

[实用新型]一种发光二极管的外延片-CN201620819625.5有效
发明人：代露;万林;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发光二极管的外延片，属于光电子制造技术领域。该外延片包括蓝宝石衬底、低温缓冲层、成核层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层，高温缓冲层为N型掺杂的氮化镓层，成核层包括层叠的多层N型AlxGa1‑xN层，通过将成核层设计为多层掺杂浓度逐层递增的N型AlxGa1‑xN层，高温缓冲层设计为掺杂浓度在成核层和N型层之间，有利于底层电流扩展，降低芯片正向电压，从而降低芯片的能耗。而且AlxGa1‑xN层可以有效缓解GaN和蓝宝石衬底之间的晶格失配，加上高温缓冲层的掺杂浓度在成核层和N型层之间，进一步提高成核层、高温缓冲层、N型层之间的晶格匹配度，改善外延片的翘曲度。
一种发光二极管外延

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