专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种SRAM型FPGA器件单粒子反转探测及纠错的电路-CN201610728276.0有效
  • 朱璟辉;高三达 - 广东高云半导体科技股份有限公司
  • 2016-08-25 - 2023-05-30 - H03K19/003
  • 本发明公开一种SRAM型FPGA器件单粒子反转探测及纠错的电路,SRAM型FPGA器件包括SRAM、编程控制模块、地址指针移位寄存器组模块和数据移位寄存器组模块;地址指针移位寄存器组模块和数据移位寄存器组模块分别与SRAM连接,地址指针移位寄存器组模块和数据移位寄存器组模块分别与编程控制模块连接,编程控制模块设有地址计数器并在编程控制模块增加单粒子反转探测工作模式,数据移位寄存器组模块与编程控制模块的回路上设有校验检测模块;本发明利用已经存在的FPGA编程电路,并基于此加入SEU的检测及纠错电路,从而实现了在增加很小的芯片面积及成本的基础上有效的实现抗SEU功能。纠错的时间在第三类的方式中速度很快,大幅降低了器件正常工作受到的单粒子反转影响。
  • 一种sramfpga器件粒子反转探测纠错电路
  • [实用新型]一种信号还原电压信号输入单元-CN202223600510.1有效
  • 林星晨;虞建用;汪龙;潘和;徐超;王成 - 蓝鲸智能技术(温州)有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-05-30 - H03K19/003
  • 本实用新型公开了一种信号还原电压信号输入单元,包括输入端P1、四个转换单元、四个输出接口,所述转换单元包括有静电阻抗器D2、电流限流电阻R2、下拉电阻R5、滤波器C1、光耦开关J1、上拉电阻R1、电流限流电阻R4,本实用新型采用在电路硬件中加设一个静电阻抗器(ESD),此二极管设置在电路的输入端,如此在电器正常工作过程中,ESD只是表现为容值极低的(一般〈5pf)容抗特性,不会对正常的电器特性产生影响,且不会影响到电子产品的信号及数据传输,由于ESD静电阻抗器的构成材质的特殊性,ESD往往都是通过对静电进行吸收和耗散,亦即表现为一个充放电的过程,来达到对设备进行静电防护。
  • 一种信号还原电压输入单元
  • [发明专利]基于低压器件的高压高速IO电路-CN201910023848.9有效
  • 请求不公布姓名 - 苏州睿晟芯微电子科技有限公司
  • 2019-01-10 - 2023-05-26 - H03K19/003
  • 本发明公开了一种基于低压器件的高压高速IO电路,所述IO电路包括:第一PMOS管和第二PMOS管,串联设置于电路电源电压VCC和IO接口之间,第一PMOS管用于控制电路电源电压VCC到IO接口之间通路的打开和关断,第二PMOS管用于对第一PMOS管进行电压过载保护;第一NMOS管和第二NMOS管,串联设置于第二PMOS管和电路地电位VSS之间,第一NMOS管用于接收第一低压差分输入信号IN‑,第二NMOS管用于对第一NMOS管进行电压过载保护;第三NMOS管和第四NMOS管,串联设置于第一PMOS管和电路地电位VSS之间,第三NMOS管用于接收第二低压差分输入信号IN+,第四NMOS管用于对第三NMOS管进行电压过载保护。本发明的IO电路具有结构简单、易于集成、灵活适应性、自我静电防护等优点。
  • 基于低压器件高压高速io电路
  • [发明专利]电平移位器电路、对应的设备和方法-CN201810988862.8有效
  • A·A·亚历山德罗;I·B·米拉贝拉 - 意法半导体股份有限公司
  • 2018-08-28 - 2023-05-23 - H03K19/003
  • 本文提供了电平移位器电路、对应的设备和方法。该电平移位器电路操作为移位以第一组电源电压为参考的输入信号,以生成以第二组电源电压为参考的输出信号。来自电平移位器电路的输出信号被锁存器电路锁存。逻辑门具有被配置为接收输入信号的第一输入、被配置为接收反馈信号的第二输入以及被耦合到电平移位电路的输入的输出。反馈电路具有被配置为接收输出信号的第一输入、被配置为接收输入信号的第二输入以及被配置为生成反馈信号的输出。反馈电路操作为感测在不存在输入信号的切换时发生的输出信号的不受控制的切换事件,以及响应于此而施加反馈信号以取消不受控制的切换事件。
  • 电平移位电路对应设备方法
  • [发明专利]一种宽温度范围电平翻转电路-CN202211341318.7在审
  • 王绍伟;刘迅;张春晓;雷明 - 中国空空导弹研究院
  • 2022-10-28 - 2023-05-16 - H03K19/003
  • 一种宽温度范围电平翻转电路,包含控制信号Vi‑、二极管VD1、限流分压电阻R1、输入电源Vi+、分压电阻R2、滤波电容C1、滤波电容C2、信号翻转三极管VT1、输出信号Vo和分压电阻R4;所述控制信号Vi‑通过二极管VD1与分压电阻R2连接,所述输入电源Vi+分别与限流分压电阻R1和滤波电容C1连接,限流分压电阻R1与分压电阻R2连接,滤波电容C1接地;分压电阻R2分别与滤波电容C2和信号翻转三极管VT1的基极连接,且滤波电容C2和信号翻转三极管VT1的集电极接地,信号翻转三极管VT1的发射极与输出信号Vo和分压电阻R4连接,分压电阻R4接地;本电路能够在高温和低温环境下均正常运行,且适用范围广。
  • 一种温度范围电平翻转电路
  • [发明专利]转换电路-CN201811362235.X有效
  • 刘惩;马新闻 - 北京兆芯电子科技有限公司
  • 2018-11-15 - 2023-05-12 - H03K19/003
  • 本发明公开一种转换电路,用以将并行的输入数据转换成串行的输出数据,该转换电路包括第一级串化电路、第二级串化电路、第三级串化电路以及电压调节电路。第一级串化电路接收并处理输入数据,用以产生偶数位数据以及奇数位数据。第二级串化电路接收并处理偶数位数据及奇数位数据,用以产生延迟数据。第三级串化电路接收并处理延迟数据,用以产生输出数据。电压调节电路调节输入电压,用以产生第一操作电压给第三级串化电路。
  • 转换电路
  • [发明专利]快速低偏置电压的双向缓冲器-CN202110385965.7有效
  • 周咏 - 成都芯源系统有限公司
  • 2021-04-09 - 2023-05-09 - H03K19/003
  • 公开了一种双向缓冲器,包括接收输入电压信号的输入端,提供输出电压信号的输出端,其中输出电压信号跟随输入电压信号。该双向缓冲器还包括第一运算放大器和第二运算放大器,其中第一运算放大器接收输入电压信号以及输出电压信号,并控制输出电压信号和输入电压信号两者的电压差为第一偏置电压。第二运算放大器,接收输入电压信号以及输出电压信号,并控制输出电压信号和输入电压信号两者的电压差为第二偏置电压,第二偏置电压小于第一偏置电压。其中,当输出电压信号和输入电压信号两者的电压差减小到第一偏置电压时,第一运算放大器停止工作。
  • 快速偏置电压双向缓冲器
  • [发明专利]一种逻辑电路-CN201811613400.4有效
  • 施薛优;陈光毅 - 北京安酷智芯科技有限公司
  • 2018-12-27 - 2023-05-09 - H03K19/003
  • 本发明公开一种逻辑电路,涉及逻辑电路设计技术领域。所述逻辑电路至少包括行选逻辑电路和保护逻辑电路;行选逻辑电路包括M行子行选逻辑电路;通过子行选逻辑电路中包含的或门将所有的子行选逻辑电路串连,输出行选通串联电信号;其中M为自然数且M≥2;保护逻辑电路至少根据接收的行选通串联电信号确定行选逻辑电路的状态,在行选逻辑电路出现错误状态时,触发保护操作。采用本发明的技术方案,行选逻辑电路能够完成逐行扫描操作;保护逻辑电路能够在行选逻辑电路出现错误状态时,触发保护操作。
  • 一种逻辑电路
  • [发明专利]一种基于互连线电容的SR锁存电路-CN201911171038.4有效
  • 张跃军;赵志伟;李林 - 宁波大学
  • 2019-11-26 - 2023-04-28 - H03K19/003
  • 本发明公开了一种基于互连线电容的SR锁存电路,包括第一或非门电路和第二或非门电路,第一或非门电路包括第一节点隔离模块、第一容值调节模块和第一采样模块,第一节点隔离模块包括第一MOS管和第二MOS管,第一容值调节模块包括第三MOS管和第四MOS管,第一采样模块包括第五MOS管和第六MOS管,第五MOS管为P型MOS管,第二或非门电路包括第二节点隔离模块、第二容值调节模块和第二采样模块,第二节点隔离模块包括第十一MOS管和第十二MOS管,第二容值调节模块包括第九MOS管和第十MOS管,第二采样模块包括第七MOS管和第八MOS管;优点是具有抗线串扰能力,在受到串扰噪声干扰时仍然能够输出正确逻辑信号。
  • 一种基于互连电容sr电路
  • [发明专利]一种抑制单粒子瞬态的层叠结构-CN201911239245.9有效
  • 耿鹏飞;宁冰旭;徐灵炎;沈鸣杰 - 上海复旦微电子集团股份有限公司
  • 2019-12-06 - 2023-04-28 - H03K19/003
  • 本发明公开了一种抑制单粒子瞬态的层叠结构,包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管;第一PMOS管和第一NMOS管的栅端与用于接收第一信号的第一连接点;第二PMOS管和第二NMOS管的栅端与用于接收第二信号的第二连接点;第二PMOS管的漏端与第一NMOS管的漏端相连,均接输出信号;第一PMOS管的源端与直流电源连接;第一PMOS管的漏端与第二PMOS管的源端相连;第一NMOS管的源端与第二NMOS管的漏端相连;第二NMOS管的源端接地;第一PMOS管和第二PMOS管的第一背栅接在一起后与直流电源连接;第一NMOS管和第二NMOS管的第二背栅接在一起后接地。本发明能够降低单粒子瞬态的影响,可避免逻辑电平错误翻转,从而提高系统的稳定性。
  • 一种抑制粒子瞬态层叠结构
  • [发明专利]一种位宽转换电路的复用方法及位宽转换电路-CN201811535041.5有效
  • 黎韧 - 深圳市紫光同创电子有限公司
  • 2018-12-14 - 2023-04-28 - H03K19/003
  • 本发明提供了一种位宽转换电路的复用方法及位宽转换电路,通过获取当前的输入/输出位宽转换类型;从位宽转换电路的barrel shifter MUX阵列中,选择对应于输入/输出位宽转换类型的输入/输出有效位,进行输入/输出位宽转换;控制位宽转换电路的读写控制器基于输入有效指示信号以及输入/输出位宽转换类型,产生barrel shifter MUX阵列的地址总线以及输出有效指示信号。将Gearbox电路的MUX配置为barrel shifter结构,针对所有的输入/输出位宽转换,均复用相同的barrel shifter MUX阵列,提升了Gearbox电路的适配性,并有效降低了电路面积。
  • 一种转换电路方法
  • [发明专利]一种抗单粒子翻转的锁存器及数据触发器-CN202010016900.0有效
  • 温亮;孟春宁;李伟春;朱连利;刘玉;莫微 - 中国人民武装警察部队海警学院
  • 2020-01-08 - 2023-04-25 - H03K19/003
  • 本发明公开了一种抗单粒子翻转的锁存器和数据触发器,锁存器包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一传输门、第二传输门、第一正反馈环、第二正反馈环和第一双输入反相器,第一正反馈环包括第一存储节点、第二存储节点、第一三输入反相器和第一时控反相器,第二正反馈环包括第三存储节点、第四存储节点、第二三输入反相器和第二时控反相器,数据触发器包括主锁存器和从锁存器;优点是任何一个存储节点发生单粒子翻转事件时,待事件结束后可以恢复原来存储的数据,并且任何两个不同电势的存储节点发生单粒子翻转事件时,同样也可以恢复原来存储的数据,且时序开销较小。
  • 一种粒子翻转锁存器数据触发器

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