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[发明专利]一种SiC MOSFET短路保护电路-CN202210866691.8在审
发明人：黄樟坚;汪涛;虞晓阳;张茂强;李响;王子龙;骆仁松 -专利权人：南京南瑞继保电气有限公司;南瑞集团有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC MOSFET短路保护电路，包括逻辑控制单元、栅极驱动器、短路故障检测电路和短路保护动作电路；所述逻辑控制单元包括启动单元1、启动单元2；所述短路故障检测电路包括漏源电压式故障检测单元、栅极电压/电荷式故障检测单元、漏源电流式故障检测单元。本发明结合漏源电压式短路保护动作更可靠，栅极电压/电荷式和基于检测电感的漏源电流式短路保护响应速度更快的优点，通过栅极电压/电荷式故障检测单元和漏源电流式故障检测单元的检测结果分别触发启动单元1、启动单元2，任一启动单元被触发，则加速单元动作，加快漏源电压式故障检测单元响应速度，若启动单元1和启动单元2都被触发，则短路保护动作电路软关断SiC MOSFET。
一种 sic mosfet 短路保护电路

[发明专利]过电流检测电路以及驱动电路-CN202180016272.9在审
发明人：赤羽正志 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明提供一种过电流检测电路，其检测在开关元件导通时流通的过电流，所述过电流检测电路具备：主电流检测部，其检测与在开关元件流通的主电流对应的输入信号是否为设定的检测阈值以上；以及条件控制部，其控制主电流检测部的输入信号的波形和检测阈值中的至少一者而控制主电流检测部的比较条件，条件控制部在从开关元件导通起到经过第一期间为止的期间，将比较条件设定为第一条件，在从经过了第一期间起到经过第二期间为止的期间，将比较条件设定为第二条件，该第二条件是与第一条件相比输入信号难以成为检测阈值以上的条件。
电流检测电路以及驱动

[发明专利]主动放电装置和方法-CN202080092210.1在审
发明人： Y.巴卡利 -专利权人：法雷奥西门子新能源汽车法国股份公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：一种用于对电能存储装置(C1)进行主动放电的装置(200)，包括：‑支路(204)，其包括：旨在分别连接到电能存储装置(C1)的正极端子和负极端子的第一端和第二端(206、208)，以及在这两端(206、208)之间的热敏电阻(210)和开关(212)，该热敏电阻具有随着热敏电阻(210)的温度而增加的电阻，该开关设计成接收控制信号(vGS)以便从断开状态改变到闭合状态，热敏电阻(210)和开关(212)彼此连接，使得当开关(212)闭合时，放电电流(iD)通过第一端(206)进入，相继流过热敏电阻(210)和开关(212)，并通过第二端(208)流出；以及‑用于控制开关(212)的装置(214)。控制装置(214)连接到开关(212)，以便独立于热敏电阻(210)的电阻提供控制信号(vGS)。
主动放电装置方法

[发明专利]一种功率半导体器件的驱动保护电路及控制方法-CN202210506232.9在审
发明人：曾嵘;余占清;陈政宇;尚杰;赵彪;吴锦鹏;刘佳鹏;屈鲁 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件的驱动保护电路及控制方法，包括开通及关断模块、静态保护单元和动态保护单元，开通及关断模块、静态保护单元和动态保护单元相互并联，均连接有功率半导体器件，且均设置在功率半导体的门极与阴极之间，动态保护单元还与功率半导体器件的阳极连接。本发明的驱动保护电路在功率半导体器件驱动完全失电期间、上电过程中及下电过程中实现功率半导体器件门极电位低于阴极，或实现门极与阴极之间电位差小于功率半导体门阴极导通电压，从而保证功率半导体器件可靠关断，从而保护功率半导体器件。
一种功率半导体器件驱动保护电路控制方法

[实用新型]一种MOS管输出保护电路-CN202221230876.1有效
发明人：张才旺 -专利权人：四川大能科技有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本实用新型提供的MOS管输出保护电路，涉及MOS管领域。该MOS管输出保护电路包括驱动模块、过流保护模块、温度检测模块、MOS管及负载模块；驱动模块分别与MCU、MOS管以及过流保护模块电连接，用于驱动电路；过流保护模块与驱动模块、MOS管以及温度检测模块电连接，用于对MOS进行过流保护；温度检测模块与过流保护电连接，用于检测温度；MOS管与驱动模块、过留保护模块以及负载模块电连接。本实用新型提供的MOS管输出保护电路能够对MOS管进行过流保护和温度检测，具有器件简单、布局简单以及设计成本低的特点。
一种 mos 输出保护电路

[实用新型]用于半导体开关的过电流保护电路-CN202122994276.4有效
发明人：张善理;高志胜;黄超;梁群 -专利权人：卡特彼勒公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于半导体开关的过电流保护电路，其包括检测模块和保护电路模块。检测模块检测电路中流过半导体开关的电流并将其转变成第一信号，保护电路模块从检测模块接收第一信号。保护电路模块在从检测模块接收到的第一信号高于高门限阈值时能够快速地控制断开半导体开关，而在从检测模块接收到的第一信号低于低门限阈值时能够延迟地控制接通半导体开关，低门限阈值小于高门限阈值。过电流保护电路能够减少半导体开关的发热，避免半导体开关在持续短路状况下频繁地断开以及接通大的短路电流而遭损毁。
用于半导体开关电流保护电路

[发明专利]带保护功能的增强型GaN功率器件栅驱动电路-CN201811424613.2有效
发明人：陈珍海;黄伟;吕海江;程德明;胡文新;胡一波;汪辅植;朱仙琴;吴翠丰 -专利权人：黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种带保护功能的增强型GaN功率器件栅驱动电路，包括接口电路H、接口电路L、死区产生电路、电平移位电路、低端延迟匹配电路、驱动电路H、驱动电路L、欠压封锁电路H、欠压封锁电路L、过流保护电路和过热保护电路；该驱动电路可以自动检测芯片过热、电源电压欠压或者过流现象，并关闭GaN功率器件进行保护，保证其工作特性处于安全区。
保护功能增强 gan 功率器件驱动电路

[发明专利]过流检测器-CN202080081815.0在审
发明人： W·豪尔 -专利权人：伊顿智能动力有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本公开提供了一种过流检测器(1)，该过流检测器具有电气线路(2)和传感器(3)，该传感器用于监测该线路(2)中的电流并输出测量信号，该过流检测器还具有积分单元(4)，该积分单元适于对该测量信号的连续值的区间进行积分并输出积分器信号，该检测器(1)包括比较器单元(5)，该比较器单元用于将积分器信号的值与阈值水平进行比较，并且输出触发信号，该检测器(1)进一步包括阈值水平确定单元(6)，其中该阈值水平确定单元的输入连接到传感器(3)以接收实际测量信号，并且其中该阈值确定单元的输出连接到比较器单元(5)，以向该比较器单元(5)提供阈值水平，并且该阈值水平确定单元(6)适于根据该实际测量信号的值确定该阈值水平。
检测器

[发明专利]功率管的驱动电路与电子设备-CN202210355295.9在审
发明人：王飞;郑鲲鲲 -专利权人：广东鸿翼芯汽车电子科技有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率管的驱动电路与电子设备，所述功率管为NMOS管，所述功率管的漏极连接电源，所述功率管的源极经负载接地；所述驱动电路，包括：监测管、监测模块、限流控制模块；所述监测管与所述功率管类型相同；所述监测管与所述监测模块串联后并联于所述功率管的源极与漏极之间；所述监测模块用于：在经过所述监测管的待测电流大于预设的电流阈值时，触发所述限流控制模块；所述待测电流适配于所述功率管的电流而变化；所述限流控制模块用于：响应于所述触发，降低所述功率管的电流。
功率管驱动电路电子设备

[发明专利]用于保护半导体开关的方法、半导体开关的保护设备和半导体开关的控制电路-CN201780040707.7有效
发明人： T.里希特;P.辛;S.莱希;M.海尔 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明涉及在切断过程期间保护半导体开关以免过压。在此，当半导体开关的输出端上的电压超过预先给定的极限值并且在此同时在半导体开关的驱动级的输入端上探测到用于断开半导体开关的请求时，在待切断的半导体开关的驱动级的输入端上提供补偿信号。该补偿信号在此限制到预先给定的时间段上。基于如此提供的补偿信号，半导体开关的驱动级部分地控制半导体开关，以便禁止半导体开关的过快断开。
用于保护半导体开关方法设备控制电路

[发明专利]晶体管装置的过电压保护-CN201810054550.X有效
发明人：霍斯特·克内蒂格;克里斯托夫·N·内戈尔;内博伊沙·耶拉查 -专利权人：对话半导体（英国）有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：一种用于晶体管的过电压保护电路起作用来当所述晶体管处于关闭状态时，一旦通道电压超过阈值就会接通所述晶体管。这利用了与所述晶体管集成一体的内部部件实现，从而避免对外部二极管或齐纳结构的需要。所述电路具有晶体管，所述晶体管具有控制端子、第一载流端子和第二载流端子。所述过电压保护电路具有电平位移器，所述电平位移器被布置来将处于所述第一载流端子与第二载流端子之间的通道电压的电平位移版本反馈给所述控制端子。在所述通道电压的预定值被越过时，所述电平位移器允许所述晶体管的所述切换阈值电压被越过。
晶体管装置过电压保护

[发明专利]开关单元-CN202011528276.9在审
发明人：陈志嘉 -专利权人：致新科技股份有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明公开一种开关单元，用以提供逆电流保护。该开关单元具有一输入端、一输出端、一开关元件、一运算放大器以及一电压差电路。该开关元件为耦合于该输入端与该输出端之间。该电压差电路接收该输出端的电压以产生一第一信号，其中该第一信号为大于该输出端的电压。该运算放大器耦合至该输入端与该第一信号，用以产生一第二信号以控制该开关元件。
开关单元

[发明专利]栅极驱动电路-CN202080078521.2在审
发明人：柴田比佐志 -专利权人：株式会社田村制作所
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明提供一种栅极驱动电路，实现遮挡时间的精度提高及对误动作的宽容度的提高。本发明的栅极驱动电路对电力半导体开关进行驱动，其特征在于包括：比较电路，将所述电力半导体开关的集电极‑发射极电压、与规定的阈值电压进行比较；以及时间测量电路，在所述比较电路检测到所述集电极‑发射极电压超过所述阈值电压后开始测量时间，且所述栅极驱动电路包括：输出电路，在所述时间测量电路测量了待机保留时间(遮挡时间)后，输出意指电力半导体开关为异常状态的异常信号。
栅极驱动电路

[发明专利]IGBT驱动电路-CN202210241873.6在审
发明人：王文敏 -专利权人：中国第二重型机械集团德阳万航模锻有限责任公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明涉及属于电子技术应用领域。本发明提出IGBT驱动电路，包括控制信号输入端、反馈信号输出端、IGBT、电源模块及驱动模块，所述驱动模块包括隔离模块、过电流检测模块、推挽电路以及低速过电流切断模块；所述控制信号输入端、反馈信号输出端分别与隔离模块连接；所述括隔离模块分别与过电流检测模块、推挽电路以及低速过电流切断模块连接；所述过电流检测模块分别与低速过电流切断模块以及IGBT连接；所述低速过电流切断模块分别与推挽电路以及IGBT连接；所述推挽电路与IGBT连接。将直流24V电压分成+15v的栅极的正偏压和‑9v的栅极的负偏压，以保证IGBT模块的可靠工作。
igbt 驱动电路

[实用新型]一种具有漏电保护的PMOS管开关控制电路-CN202122026620.0有效
发明人：唐维;何明航;罗思岚 -专利权人：成都厉行科技有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有漏电保护的PMOS管开关控制电路，主要解决现有PMOS管开关控制电路没有漏电保护机制，易导致负载烧毁的问题。该电路包括源极端接电源VCC的PMOS管P1，漏极端输出电压VA；连接于PMOS管P1的栅极与源极之间的上拉电阻R1，集电极与PMOS管P1的栅极相连、发射极接地的三极管Q1，一端与三极管Q1的基极相连，另一端作为开关控制信号的输出端的限流电阻R2，以及与PMOS管P1的漏极相连的漏电保护电路。本实用新型的开关控制电路设置有漏电保护电路，开关控制电路工作时，会对负载的漏电流进行检测，如果检测到负载的漏电流大于设定限值，则漏电保护电路会直接输出保护控制信号对电路进行果断，对负载进行保护，提高电路的可靠性。
一种具有漏电保护 pmos 开关控制电路