专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种氮化镓MOSFET导通损耗功率限制电路-CN202210935791.1有效
  • 孙磊;羊林 - 佛山市南海区赛德声电子有限公司
  • 2022-08-04 - 2023-10-24 - H03K17/082
  • 本发明公开了一种氮化镓MOSFET导通损耗功率限制电路,包括信号输入端、第一MOSFET管和第二MOSFET管,还包括与第一MOSFET管连接用于对第一MOSFET管进行工作电压实时取样的第一取样电路、与第二MOSFET管连接用于对第二MOSFET管进行工作电压实时取样的第二取样电路、分别与第一取样电路及第二取样电路连接用于将取样信号根据设定进行处理生产限制反馈信号的反馈处理模块和用于根据信号分别驱动第一MOSFET管及第二MOSFET管通断的驱动模块,所述反馈处理模块和信号输入端分别与一用于生成控制信号输入到驱动模块控制第一MOSFET管及第二MOSFET管通断的控制信号处理模块连接从而形成自动损耗功率限制结构。通过本发明能够有效进行保护,提高工作稳定性和效率。
  • 一种氮化mosfet损耗功率限制电路

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