专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种碳化硅MOSFET桥臂串扰抑制电路-CN202010459824.0有效
  • 毕闯;欧宏;赵亮;徐云飞;郝一 - 电子科技大学;全球能源互联网研究院有限公司
  • 2020-05-27 - 2023-08-15 - H02M1/08
  • 本发明属于电力电子器件的驱动技术领域,具体提供一种碳化硅MOSFET桥臂串扰抑制电路,所述桥臂串扰抑制电路连接于主电路中碳化硅MOSFET的栅极、源极之间,包括:驱动信号放大电路、负压产生电路和RC电位延迟电路其中,所述负压产生电路用于产生负电压、以防止主电路中碳化硅MOSFET误导通,所述RC电位延迟电路用于抬升主电路中碳化硅MOSFET的栅极与源极之间的负向关断电压,以防止主电路中碳化硅MOSFET反向击穿。本发明利用无源器件实现负压关断,并防止因桥臂正向串扰导致开关管的误导通;同时利用RC电位延迟电路实现多电平驱动控制信号的功能,防止因桥臂负向串扰导致开关管的栅源极击穿。
  • 一种碳化硅mosfet桥臂串扰抑制电路
  • [发明专利]一种IGBT半桥驱动电路-CN202110256862.0在审
  • 胡榕;毕闯;欧宏;方玉鑫 - 全球能源互联网研究院有限公司;电子科技大学长三角研究院(湖州);国网浙江省电力有限公司
  • 2021-03-09 - 2022-09-13 - H02M1/44
  • 本发明涉及一种IGBT半桥驱动电路,包括:两个无源米勒钳位电路,所述两个无源米勒钳位电路分别与IGBT半桥电路中上、下桥臂IGBT连接;其中,所述无源米勒钳位电路包括:钳位PNP型晶体管、钳位二极管、滤波电路和驱动电阻;所述钳位PNP型晶体管的基级与驱动电源正极连接,发射级与上桥臂IGBT或下桥臂IGBT的栅极输入电阻连接,集电极通过所述滤波电路与驱动电源负极连接;所述钳位二极管并联在钳位PNP型晶体管的集电极以及发射极之间;所述驱动电阻并联在钳位PNP型晶体管的基级和发射极之间。本发明提供的技术方案,利用无源器件抑制了IGBT通断产生的串扰,进而抑制了因桥臂串扰导致IGBT桥臂直通的发生和其它因串扰导致的IGBT异常情况。
  • 一种igbt驱动电路

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