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- [发明专利]一种GaN功率开关器件的短路保护装置-CN201911232732.2有效
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彭晗;聂晴晴
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华中科技大学
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2019-12-04
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2022-02-18
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H03K17/082
- 本发明公开了一种GaN功率开关器件的短路保护装置，属于电力电子领域。该装置包括短路状态检测模块、信号处理模块和驱动模块；所述短路状态检测模块包括耦合电感采样电路和比较电路；所述GaN功率开关器件位于PCB板上，利用PCB走线或外置铜箔构成耦合电感，用于感应所述GaN功率开关器件上通过的电流；所述耦合电感采样电路包括原边电路和副边电路，原边电路包括被测器件和原边电感，其中原边电感由所述PCB走线或外置铜箔的寄生杂散电感产生，副边电感由耦合线圈的电感产生。本发明采用电感耦合的方式实现短路电流的采样，损耗更低且集成度更高，并且在尽可能减少电路拓扑复杂度的情况下实现了对功率开关器件的快速短路保护。
- 一种gan功率开关器件短路保护装置
- [实用新型]一种IGBT短路保护电路-CN202121473318.3有效
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向家权
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谏早电子科技（深圳）有限公司
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2021-06-30
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2022-02-01
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H03K17/082
- 本实用新型公开了一种IGBT短路保护电路，涉及短路保护技术领域，包括电压检测模块，第一信号比较控制模块，电流检测模块，第二信号比较控制模块，IGBT驱动模块，IGBT；所述电压检测模块用于检测IGBT的集电极电压，第一信号比较控制模块用于比较电压信号并输出控制信号和降低IGBT的栅极电压，电流检测模块用于检测IGBT的发射极的感应电压，第二信号比较控制模块用于比较电压信号并输出制信号，IGBT驱动模块驱动IGBT。本实用新型IGBT短路保护电路通过结合检测IGBT电流的上升速率和集电极电压分别对IGBT进行短路检测，可以更加快速、准确的检测IGBT短路，并对IGBT进行栅极降压处理，避免由于IGBT的硬关断导致电路元器件的损坏，提高了电路的安全性。
- 一种igbt短路保护电路
- [发明专利]半导体装置-CN201611069072.7有效
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宫沢繁美
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富士电机株式会社
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2016-11-28
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2022-01-14
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H03K17/082
- 本发明涉及一种防止芯片尺寸扩大，并且在电源电压变得过大时将电源电压截断的半导体装置。本发明提供一种半导体装置，具备：功率半导体元件，其栅极根据控制信号而被控制；过电压检测部，对功率半导体元件的集电极端子侧的电压成为过电压的情况进行检测；以及截断部，根据检测到过电压的情况，将功率半导体元件的栅极控制为关断电压。还可以进一步具备复位部，根据使功率半导体元件导通的控制信号被输入的情况，在预定的期间内，输出复位信号。
- 半导体装置
- [发明专利]一种IGBT有源钳位装置-CN202111311471.0在审
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刘蕾;吴功州;陈龙;邓继鑫;周政;苑红伟
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合肥巨一动力系统有限公司
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2021-11-08
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2022-01-11
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H03K17/082
- 本发明公开了一种IGBT有源钳位装置，包括MCU模块、驱动电路模块、有源钳位控制电路模块、有源钳位电路模块；所述MCU模块通过驱动电路模块连接IGBT的G极，驱动电路模块通过有源钳位控制电路模块连接有源钳位电路模块，IGBT的C极通过有源钳位电路模块反馈连接驱动电路模块。本发明的IGBT有源钳位装置，增加具有使能开关的有源钳位控制电路模块，能够根据驱动模块的工作状态，判定是否使能有源钳位电路模块，防止了极端情况下，电机高反电动势频繁触发有源钳位，导致有源钳位过功率失效；本发明防止有源钳位在极端情况下，造成驱动模块IGBT失效，提升了电机控制器系统的可靠性，提升了系统耐高压的能力。
- 一种igbt有源装置
- [发明专利]短路保护电路-CN202010650043.X在审
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谭磊;骞海荣
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圣邦微电子（北京）股份有限公司
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2020-07-08
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2022-01-11
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H03K17/082
- 本发明涉及模拟电路技术领域，提供了一种短路保护电路，其包括：输出电路，与第一电阻串联连接到地，通过二者的连接节点提供第一控制信号；与所述输出电路连接的控制电路，具有接收第一控制信号的第一输入端，以及第一输出端，该第一输出端用以将第二控制信号传输至输出电路；与控制电路连接的驱动电路，具有接收开关控制信号的第二输入端，以及第二输出端，该第二输出端用以将驱动电路生成的第二控制信号传输至控制电路，其中，在短路状态下，该控制电路根据第一控制信号调节控制电路的状态，使第二控制信号改变，以降低输出电路的短路电流。由此可提高具有负载开关的电路的可靠性和安全度。
- 短路保护电路
- [发明专利]开关电路-CN201880081435.X有效
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O·梅琳;F·吉约
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赛峰电子与防务公司
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2018-12-12
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2021-12-31
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H03K17/082
- 一种开关电路，包括晶体管(23)和驱动组件，该驱动组件既用于控制该晶体管也用于限制提供给负载(22)的供电电流(Ia)，该驱动组件被布置成不仅接收控制电压(VH)，并且还：在控制电压(VH)是断开信号时生成使该晶体管处于非导通状态的驱动电压(Vp)；在控制电压(VH)是连接信号且供电电流(Ia)无法达到预定义电流阈值时生成使晶体管处于饱和状态的驱动电压(Vp)；以及在控制电压(VH)是连接信号且供电电流(Ia)能够达到预定义电流阈值时生成使晶体管处于线性状态的驱动电压(Vp)，以使得供电电流被调节成使其不超过预定义电流阈值。
- 开关电路
- [发明专利]功率半导体的适应性开关速度控制-CN202080033926.4在审
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巴斯蒂安·克鲁默;安德烈亚斯·库纳特;诺伯特·斯塔德特
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西门子股份公司
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2020-03-24
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2021-12-14
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H03K17/082
- 本发明涉及一种半导体开关设备(1)，该半导体开关设备包括能开关的功率半导体(T2)以及至少一个调节电路(RS1，RS2)，该调节电路包括电流阱(S1，S2)和电流放大器(V1，V2)。电流阱(S1，S2)经由调节电容器(C1)与功率半导体(T2)的集电极/漏极电容性耦合，并且被设计用于导出在开关过程中流经调节电容器(C1)的电流的部分电流直至能设置的最大电流为止。电流放大器(V1，V2)在输入侧与电流阱(S1，S2)的与调节电容器(C1)电容性耦合的端部连接并且与正的或负的供电电压连接并且在输出侧与功率半导体(T2)的控制电极连接，并且被设计用于，使得放大在开关过程中流经调节电容器(C1)的电流的未由电流阱(S1，S2)导出的部分电流并且将该部分电流导入功率半导体(T2)的控制电极中，使得在开关过程中抵消在功率半导体(T2)的集电极‑发射极‑路径之上或在漏极‑源极‑路径之上的电压变化。为了改进半导体开关设备(1)提出：半导体开关设备(1)还具有用于适配性接通过渡的附加电路(1.1)，该附加电路与功率半导体(T2)的控制电极连接并且该附加电路被设计用于，在将功率半导体的集电极‑发射极‑路径或漏极‑源极‑路径从截至状态切换到导通状态时，功率半导体(T2)的集电极电压或漏极电压的平滑的过渡。
- 功率半导体适应性开关速度控制
- [实用新型]电源门控电路-CN202121072913.6有效
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杨保顶
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四川和芯微电子股份有限公司
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2021-05-19
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2021-11-23
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H03K17/082
- 本实用新型公开了一种电源门控电路，其包括，两个反相器及分别与外部5V供电电路连接的分压子电路、锁存比较器、门控开关子电路，分压子电路对5V电压进行分压，且分压子电路输出第一电压与第二电压至锁存比较器与门控开关子电路，第一电压与第二电压的电压值均小于场效应管的耐压值，且第一电压的电压值大于第二电压的电压值；第一电压为两反相器提供工作电压且两个反相器串联连接；锁存比较器对两个反相器输出的信号进行比较，并锁存比较结果；门控开关子电路根据外部控制信号的电压值而关断/闭合整个电源门控电路。本实用新型的电源门控电路可以很好的保证在高压电路关断时，内部耐压为3.3V的常规器件不会存在耐压不良的问题，提高了电路的稳定性，延长了整个电路的使用寿命。
- 电源门控电路
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