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[发明专利]半导体装置-CN201980101142.8在审
发明人：河原弘幸 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本申请发明所涉及的半导体装置具备：半导体基板；n型的第1包覆层，设置于半导体基板之上；n型的第2包覆层，设置于第1包覆层之上；活性层，设置于第2包覆层之上；p型的第3包覆层，设置于活性层之上；表面电极，设置于第3包覆层之上；背面电极，设置于半导体基板之下；以及p型的扩散抑制层，设置于第1包覆层与第2包覆层之间。
半导体装置

[其他]光纤耦合白光照明系统、中央照明系统及智能照明系统-CN202090000331.4有效
发明人：詹姆斯·W·拉林;保罗·鲁迪;斯滕·海克曼;瑞安·格雷斯巴克;朱利安·凯里 -专利权人：京瓷SLD激光公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：提供了一种光纤耦合白光照明系统、中央照明系统及智能照明系统。该系统包括激光装置，该激光装置包括含有镓和氮的发射区，该发射区具有被配置为输出具有范围为385nm至495nm的第一波长的激光发射的输出刻面。该系统还包括与光准直元件集成的磷光体构件。该磷光体构件以反射或透射模式将具有第一波长的激光发射转换为具有第二波长的磷光体发射，并且与激光发射部分混合以产生白光发射。该系统包括传输光纤，该传输光纤经由光准直元件耦合到磷光体构件，以接收白光发射并将白光发射远程传送到一个或多个无源发光体，该无源发光体基本上没有电气或移动部件，布置在距专用源区域的远距离处。
光纤耦合白光照明系统中央智能

[发明专利]激光治疗使用的三合一二极管及基础于三合一二极管的设备-CN201780082128.9有效
发明人：保拉·卡罗利纳·迪亚斯·马沙多;安德烈·奥斯本·钱波利尼;雷娜塔·拜马·钱波利尼 -专利权人：保拉·卡罗利纳·迪亚斯·马沙多
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：在本发明的实施方案提供了用于产生特定类型激光的三合一二极管，其可用于治疗人和动物的所有细胞病变。受益的患者可以是任何年龄并且可以处于任何的病变状态。所提出的三合一二极管产生的激光源自三种特定分子的组合，即：锌，磷或磷酸盐和铝；有助于促进细胞再生，每个二极管提供1.2W到1.5W之间的有用功率，总功率在3.6W到4.5W之间，波长在780和808nm之间；锌、磷或磷酸盐和铝的分子可以组合成多达26种混合物。
激光治疗使用三合二极管基础设备

[发明专利]一种实现ZnO微米线EHP激光的方法-CN202010360716.8有效
发明人：姜明明;万鹏;阚彩侠;唐楷;马琨傑;周祥博;刘洋 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01S5/327 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现ZnO微米线EHP激光的方法，包括如下步骤：步骤1：在ZnO:Ga微米线上溅射Ag准粒子薄膜，并利用焦耳热效应将ZnO:Ga微米线上的Ag准粒子薄膜转变成大尺寸的AgNPs，形成大尺寸AgNPs包覆ZnO:Ga微米线复合结构；步骤2：利用激光激发出大尺寸AgNPs包覆ZnO:Ga微米线复合结构的EHP激光。本发明可以有效降低单根微米线光泵浦激射的阈值、实现激光输出的增强；并且随着激发功率的增加，激光峰位产生了显著的红移，并伴随着激射峰模间距展宽。基于大尺寸AgNPs包裹单根ZnO:Ga微米线实现了飞秒激光激发下的EHP激射现象。为后续在AgNPs混合四极子共振增强宽禁带半导体光电器件提供了技术支持与实验依据。
一种实现 zno 微米 ehp 激光方法

[发明专利]激光器及其制作方法-CN202010820966.5在审
发明人：蒋成;张子旸 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光器，包括衬底以及依序层叠在衬底上的第一反射结构、第一电极、第一透明绝缘层、发光层、第二透明绝缘层，第二透明绝缘层的背向发光层的表面上设有第二电极和第二反射结构，发光层包括沿背向第一透明绝缘层的方向依序层叠的第一二维半导体材料层和第二二维半导体材料层，第一电极的至少部分与第一二维半导体材料层接触，第二电极的至少部分与第二二维半导体材料层接触；其中，第一透明绝缘层和第二透明绝缘层为防水防氧材料。本发明还公开了上述激光器的制作方法。本发明解决了采用二维半导体材料层制成的激光器的发光层容易受到污染而性能变差甚至失效的问题。
激光器及其制作方法

[发明专利]一种半导体激光器芯片及其应用方法-CN201911202584.X有效
发明人：刘青;冯兴联;苏建;徐现刚 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器芯片及其应用方法，所述芯片P面顺次排列有若干个P面凹陷区，所述芯片N面顺次排列有若干个N面非凹陷区；当所述芯片进行摆条工艺，相邻带镀膜巴条之间通过P面凹陷区、N面非凹陷区适配嵌合；所述芯片P面还设有若干个P面非凹陷区，所述P面非凹陷区、P面凹陷区相互间隔设置；所述芯片N面上设有若干个N面凹陷区，所述N面非凹陷区、N面凹陷区相互间隔设置。本发明公开了一种半导体激光器芯片及其应用方法，芯片结构设计合理，不仅在降低生产成本的同时提高了镀膜效率，保证镀膜质量，同时也解决了镀膜过程中出现的电极污染、划伤等技术问题，提高了产品良率，具有较高的实用性。
一种半导体激光器芯片及其应用方法

[发明专利]一种基于n-ZnO/PEDOT/HfO2-CN202111214135.4在审
发明人：徐春祥;李竹新;石增良;刘威 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01S5/327 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于n‑ZnO/PEDOT/HfO2/p‑GaN的紫外激光二极管及制备方法，二极管包括：n‑ZnO纳米棒、p‑GaN薄膜、PEDOT薄膜、HfO2薄膜、PMMA保护层和金属电极；方法包括如下步骤：采用磁控溅射法在p‑GaN薄膜上沉积一定厚度的HfO2薄膜，然后在HfO2薄膜上旋涂PEDOT薄膜，再旋涂分散了ZnO纳米棒的乙醇溶液，加热烘干，旋涂PMMA保护层，至PMMA保护层漫过n‑ZnO纳米棒，加热使PMMA保护层凝固，然后利用氧等离子体刻蚀，将PMMA保护层刻蚀至n‑ZnO纳米棒露出，分别在p‑GaN薄膜和n‑ZnO纳米棒上制备金属电极，构成完整的器件。本发明能够有效降低界面处的光学损耗，增加载流子注入效率，实现电场驱动下的紫外激光行为。
一种基于 zno pedot hfo base sub

[发明专利]一种半导体激光器芯片的制备方法-CN201911205144.X有效
发明人：刘青;冯兴联;苏建;徐现刚 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器芯片的制备方法，制备得到芯片P面设有P型凹陷区和P型非凹陷区，P型凹陷区和P型非凹陷区依次间隔排列，芯片N面设有N型非凹陷区和N型凹陷区，N型非凹陷区和N型凹陷区依次间隔排列；该芯片结构在后续解理镀膜时，可以将芯片解理成巴条，并将巴条相互堆叠，相邻巴条之间可以通过P型凹陷区、N型非凹陷区相互配合放置，两端再放上垫条，镀膜时摆条切合度更高，能有效提高镀膜均匀性，提高膜层质量。本发明工艺设计合理，操作简单，同时芯片结构设计合理，不仅在降低生产成本的同时提高了镀膜效率，保证镀膜质量，同时也解决了镀膜过程中出现的电极污染、划伤等技术问题，提高了产品良率。
一种半导体激光器芯片制备方法

[实用新型]一种多结分布反馈半导体激光器-CN202121278399.1有效
发明人：罗毅;王健 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本实用新型提出一种多结分布反馈半导体激光器，包含衬底及在衬底表面上生长的激光器DFB‑LD功能层；所述DFB‑LD功能层中包含多个半导体PN结和光栅；所述多个半导体PN结之间上下分布并且相互电连接，且每个PN结的结区均有发光区；所述光栅位于所述任意一个半导体PN结或半导体PN结之间的连接层。该DFB‑LD可以增加激光器的有效发光面积，改善波导截面横向光场分布的对称性，降低激光器的寄生电容参数，从而兼具高功率、高调制速率、高光纤耦合效率的优点。
一种分布反馈半导体激光器

[发明专利]激光二极管-CN201880061152.9有效
发明人：克里斯托夫·艾克勒;马蒂亚斯·彼得;扬·瓦格纳 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：描述一种激光二极管(10)，具有半导体层序列(12)，所述半导体层序列基于氮化物化合物半导体材料，所述激光二极管包括：n型包覆层(2)；第一波导层(3A)；第二波导层(3B)；和设置在第一波导层(3A)和第二波导层(3B)之间的有源层(4)，所述有源层用于产生激光辐射；和p型包覆层(6)，其中p型包覆层(6)具有朝向有源层(4)的第一子层(6A)和背离有源层的第二子层(6B)。第一子层(6A)具有Alx1Ga1‑x1N，其中0≤x1≤1，或者具有Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N，其中0≤x1≤1，0≤y1＜1并且x1+y1≤1，其中铝含量x1沿背离有源层(4)的方向减小，使得铝含量在朝向有源层(4)的侧上具有最大值x1max并且在背离有源层的侧(4)上具有最小值x1min＜x1max。第二子层(6B)具有Alx2Ga1‑x2N，其中0≤‑S x2≤x1min，或者具有Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N，其中0＜x2＜x1min，0≤y2＜1并且x2+y2＜1。
激光二极管

[发明专利]一种光电复合材料及其制备方法-CN202110976637.4在审
发明人：李赟 -专利权人：河南亿维建筑材料有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明公开一种光电复合材料及其制备方法，包括耐高温保护层和衬底基材，所述耐高温保护层安装在衬底基材的上端，所述耐高温保护层的上端设置有下欧姆接触层，所述下欧姆接触层的上端设置有下限制层，通过在传统的光电复合材料与衬底基材之间增加有新型的奶高端保护层，因为该光电复合材料主体为激光材料，而激光材料与衬底基材之间增加耐高温保护层能够在激光材料制作完成并正常使用时对衬底基材和激光材料都能够起到保护作用，耐高温保护层则具有优异的耐高温性能，在受到高温影响下该耐高温保护层能够保护激光材料与衬底基材之间不会产生分离的情况发生，从而能够增加整个激光材料在安装到衬底基材上后的使用寿命和使用稳定性。
一种光电复合材料及其制备方法

[发明专利]发光半导体芯片和用于制造发光半导体芯片的方法-CN201710339975.0有效
发明人：克里斯托夫·艾希勒;安德烈·佐默斯;贝恩哈德·施托耶茨;安德烈亚斯·莱夫勒;艾尔弗雷德·莱尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：提出一种发光半导体芯片(100)，其具有第一半导体层(1)，所述第一半导体层至少是设为用于产生光的有源层的一部分并且沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化。此外，提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法。
发光半导体芯片用于制造方法

[发明专利]半导体激光器及其制备方法-CN201711346623.4有效
发明人：张韵;倪茹雪 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体激光器及其制备方法，所述半导体激光器由下至上依次包括：沟槽型图形化衬底、n型层、有源层和p型层；其中，所述沟槽型图形化衬底上具有多个相互平行的沟槽，所述沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行。本公开半导体激光器及其制备方法，通过长条状沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行，即使光子谐振方向与外延材料中低穿透位错区域平行，在振荡过程中，此区域的非辐射复合较低、增益较大，可以率先实现激射，降低激射阈值，从而有效提高了半导体激光器的光学效率和性能。
半导体激光器及其制备方法

[发明专利]激光二极管条及其制造方法和波长光束耦合系统-CN202110262560.4在审
发明人：冈本贵敏;大野启 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明提供一种激光二极管条及其制造方法和波长光束耦合系统。用于波长光束耦合系统的激光二极管条的制造方法包括：准备氮化物半导体基板(10)的工序，该氮化物半导体基板具有从(0001)面向m轴或a轴的至少一个轴被赋予了大于0°的偏离角的基板面；在氮化物半导体基板(10)上形成层叠构造体的工序，该层叠构造体包含第1导电型包层(21)、活性层(22)及第2导电型包层(23)；以氮化物半导体基板(10)具有的偏离角的主轴方向和发射极(13)的波导方向一致的方式，在层叠构造体形成呈条带状排列的多个发射极(13)的工序；从氮化物半导体基板(10)切出具有多个发射极(13)的激光二极管条(20)的工序。
激光二极管及其制造方法波长光束耦合系统

[发明专利]一种GaAs基多结红光激光器及其制备方法-CN201910542284.X有效
发明人：李志虎;张新;朱振;于军 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs基多结红光激光器及其制备方法，所述激光器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底上自下而上依次生长有GaAs低温缓冲层、第一激光节、GaInP腐蚀阻挡层和第一GaAs帽层，所述第一激光节、GaInP腐蚀阻挡层生长有若干个发光层；所述发光层自下而上包括若干个隧道结和第二激光节，所述最接近第一激光节的隧道结在第一激光节上生长，所述第二激光节在隧道结上生长；本发明不仅通过隧道结的设计实现了多节激光材料的生长，在较小的电流下获得较大的输出功率，提高了激光器的发光功率；同时由于AlInP上限制层、第二GaAs帽层之间的界面宽带不连续，本技术方案引入了(AlxGa1‑x)yIn1‑yP晶格过渡层，降低电压，提高器件的可靠性和寿命，具有较高的实用性。
一种 gaas 基多红光激光器及其制备方法