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[发明专利]一种具有活性层的有机存储器件的制备-CN201310612274.1在审
发明人：丁小淇 -专利权人：丁小淇
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有活性层的有机存储器件的制备。具体步骤如下：首先将原理哦用ITO进行清洗；称取一定量的氢氧化钠颗粒，加入到NMP溶液中；与超声粉碎仪器中超声两小时；随后收集上清液；将沉淀物用去离子水洗涤三到四次，并将沉淀物再次离心；上述两种沉淀物混合，用紫外—臭氧处理；挂钨丝；烘箱中继续烘干，除尽有机溶剂；洗清ITO基片；悬空静置；冷藏箱中冷藏15小时，然后取出即可。冷藏后，通过探针台测量期间性能参数，从高至低排列，然后择优选择本发明的制备方法，制备产率高，可以快速制备，方法简便、快捷，性能优良。
一种具有活性有机存储器件制备

[发明专利]晶体管、其制造方法、半导体装置的制造方法和显示装置的制造方法-CN201310359072.0无效
发明人：野元章裕;胜原真央;栗原研一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本技术公开了一种能够以高成品率制造的晶体管、晶体管的制造方法、半导体装置的制造方法和显示装置的制造方法。制造晶体管的方法包括：形成栅电极；形成有机绝缘膜和有机半导体膜的层叠膜，所述层叠膜经由其间的栅绝缘膜与所述栅电极相对；以及使所述有机半导体膜图案化。
晶体管制造方法半导体装置显示装置

[发明专利]制造蛋白质半导体的方法-CN201280024516.9无效
发明人：户木田裕一;后藤义夫;罗玮;中丸启;山田齐尔 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：为了提供一种控制蛋白质半导体的导电类型的方法，所述方法能够容易地控制蛋白质半导体的导电类型，并且提供一种使用这种方法制造蛋白质半导体的方法以及一种制造pn结的方法。通过控制在氨基酸残基内电荷的总量，来控制蛋白质半导体的导电类型，制造p型蛋白质半导体或n型蛋白质半导体，并且使用p型蛋白质半导体与n型蛋白质半导体制造pn结。通过使用具有不同性质的氨基酸残基取代包含在蛋白质内的酸性氨基酸残基、碱性氨基酸残基以及中性氨基酸残基中的一个或多个，在化学上修改包含在蛋白质内的酸性氨基酸残基、碱性氨基酸残基以及中性氨基酸残基中的一个或多个，或者控制包围所述蛋白质的介质的极性，来控制在氨基酸残基内电荷的总量。
制造蛋白质半导体方法

[发明专利]一种用以改进结构性能的有机薄膜晶体管制备方法-CN201310370777.2有效
发明人：唐伟;郭小军;冯林润;赵家庆;徐小丽;蒋琛 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：一种用以改进结构性能的有机薄膜晶体管制备方法，其通过对栅绝缘层进行表面改性同时实现电极精细化和有机半导体层图形化，具体步骤为：1）在绝缘衬底之上制备栅电极；2）在绝缘衬底和栅电极之上制备栅极绝缘层；3）采用自组装单分子层修饰栅极绝缘层的上表面形成表面改性层；4）在表面改性层上打印精细化的源电极和漏电极；5）采用紫外光照射处于源电极与漏电极之间的沟道区域，除去该区域内的表面改性层；6）采用电极修饰材料修饰源电极和漏电极；7)在栅极绝缘层和电极修饰材料之上自组装形成图形化的有机半导体层。本发明与全溶液法加工工艺兼容，能有效降低成本，实现高效生产，提升有机薄膜晶体管的电学性能。
一种用以改进结构性能有机薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种α相酞菁氧钛多晶薄膜及其制备方法与应用-CN201310152832.0有效
发明人：胡文平;张宗鹏;江浪 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种α相酞菁氧钛多晶薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：（1）在二氧化硅基底上制备十八烷基三氯硅烷单分子层得到修饰的基底；（2）将所述修饰的基底进行真空蒸镀，则在所述十八烷基三氯硅烷单分子层上得到酞菁氧钛层；（3）通过物理气相传输法在所述酞菁氧钛层上制备酞菁氧钛薄膜，则在所述基底上即得到所述α相酞菁氧钛多晶薄膜。本发明提供的α相酞菁氧钛多晶薄膜的结晶性好，具有良好的半导体场效应性能，具有很好的空气稳定性。用本发明的α相酞菁氧钛多晶薄膜构筑的场效应晶体管具有良好的性能。
一种相酞菁氧钛多晶薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种有机薄膜晶体管的制备方法-CN201310169674.X有效
发明人：李哲峰;李娇 -专利权人：重庆大学
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法，它包括SiO2/Si基片的预处理，还包括基片的自组装处理：将十八磷酸溶于四氢呋喃中，配制1mmol/L的溶液，用提拉法在预处理的SiO2/Si基片上生长十八磷酸膜；真空蒸镀有机模板层：将自组装有十八磷酸膜的基片置于真空蒸镀仪中，在真空压力小于1×10-4Pa下，在基片温度25-80℃下，蒸镀5~15nm 6,13-并五苯吡嗪（DAP）分子层；然后，在基片温度25-110℃下，蒸镀80nm红荧烯层，最后真空蒸镀金电极，制得红荧烯有机薄膜晶体管器件。本发明的优点是：能获得有序的晶体状红荧烯有机薄膜，提高了红荧烯有机薄膜晶体管的载流子迁移效率。
一种有机薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种有机阻变存储器及其制备方法-CN201310154664.9有效
发明人：许积文;王华;何玉汝;戴培邦 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
一种有机存储器及其制备方法

[发明专利]布图传导层的方法和器件及其生产的部件-CN201310077589.0无效
发明人： H.瓦尔特;T.贝尔莱因 -专利权人：西巴控股有限公司
申请日： 2006-11-14 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：通过一种方法制备一种器件，其中在可压缩层或叠层上形成传导层或叠层，并且与压纹工具接触。压纹工具的凸起部分挤压可压缩层或叠层并将传导层或叠层装埋入可压缩层或叠层中。
传导方法器件及其生产部件

[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法和制备装置-CN201310062429.9无效
发明人：邱龙臻;冯翔;王向华;刘则 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及液晶显示技术领域，公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法和一种制备装置。所述有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在基片上形成栅电极、栅绝缘层、有机半导体层和源漏电极；其中，形成所述有机半导体层的步骤包括：将溶解有用于形成所述有机半导体层的有机半导体材料的溶液进行刮涂形成所述有机半导体层。采用本发明技术方案，由于在刮涂过程中，溶液在基片每行或每列的受到的横向剪切力一致，刮涂形成的溶液的厚度一致，每个器件所处的状态平等，避免了采用旋涂工艺时受到向心力影响而导致基片边缘和中心的差异性，提高了有机薄膜晶体管器件的良率。
一种有机薄膜晶体管及其制备方法装置

[发明专利]一种采用非光刻工艺制备图形化ITO电极的方法-CN201310057235.X有效
发明人：段羽;杨永强;陈平;杨丹;谢月;臧春亮 -专利权人：吉林大学
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明属于有机电子器件领域，具体涉及一种采用非光刻工艺在有机电子器件的氧化锡铟电极上实现图形化的方法。首先将盐酸和去离子水混合，配制成溶液中H+浓度为6.0～7.0mol/L的刻蚀溶液；将带有胶黏层的保护膜切割成长方形，然后粘贴在具有ITO电极的衬底的中间区域；将衬底置于刻蚀溶液中1.5min～2min，将未被保护膜保护的ITO电极腐蚀掉，得到图形化的ITO电极；腐蚀结束后揭下保护膜，进而在图形化的ITO电极上制备有机电子器件。采用本发明方法得到的图形化的ITO电极，边缘整齐，无锯齿状，操作简单，无需特殊工艺和特殊设备，适用于制造半导体器件常用的金属氧化物电极，易于推广使用。
一种采用光刻工艺制备图形 ito 电极方法

[发明专利]一种提高有机场效应晶体管性能的方法-CN201210557883.7有效
发明人：童艳红;汤庆鑫;塔力哈尔;裴腾飞 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：一种采用氧化性或还原性气体来提高基于有机单晶半导体材料的场效应晶体管性能的方法。本发明对于空气间隙，底栅极和顶栅极三类器件结构，在相应工艺环节，对有机单晶半导体材料按照报道体类型做气体吸附处理。把基于p-型有机单晶半导体材料的场效应晶体管器件暴露在氧化性气体中提高迁移率等性能；把基于n-型有机单晶半导体材料的场效应晶体管暴露在还原性气体中提高迁移率等性能。可以提高基于有机单晶半导体材料的场效应晶体管的迁移率和开关比等性能，本发明操作简单、成本低、应用前景广阔。
一种提高有机场效应晶体管性能方法

[发明专利]提高有机太阳能电池光电转换效率的方法-CN201210537959.X有效
发明人：傅广生;杨少鹏;刘博雅;史江波;姚明;江涛;李光 -专利权人：河北大学
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高有机太阳能电池光电转换效率的方法，该方法是在配置有机活性层溶液时，添加硝基苯或者二硝基苯。本发明通过添加硝基苯或者二硝基苯作为荧光抑制剂以减少有机太阳能电池激子重新复合的几率，使吸收的光子得到充分利用，从而使有机太阳能电池的光电转换效率在现有基础上提高20%左右。
提高有机太阳能电池光电转换效率方法

[发明专利]聚噻吩薄膜场效应晶体管及其制作方法-CN201210457515.5无效
发明人：潘革波;肖燕 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及电子导电材料的制作领域，尤其是聚噻吩薄膜场效应晶体管的制作方法，聚噻吩薄膜场效应晶体管包括栅电极、绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括聚噻吩薄膜，在所述聚噻吩薄膜与源电极、漏电极的连接部加入具有导电性质的掺杂剂。本发明还提供这种聚噻吩薄膜场效应晶体管结构。本发明的聚噻吩薄膜场效应晶体管能提高聚噻吩薄膜的导电性能，提高载流子注入效率，从而改善聚噻吩与金属源、漏电极功函数匹配的问题。
噻吩薄膜场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]一种有机场效应晶体管的制作方法-CN201210406370.6有效
发明人：胡文平;纪德洋;江浪;董焕丽 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管的制作方法。该方法包括如下步骤：（1）清洗表面设有栅电极的基底；（2）在所述栅电极上沉积聚合物绝缘层；所述聚合物绝缘层为聚苯乙烯绝缘层或聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层；（3）在所述聚合物绝缘层上悬涂光刻胶，然后置于光刻掩膜板下进行曝光和显影，得到图案化的源漏电极；然后再置于紫外光下进行再次曝光；再继续蒸镀金膜，然后再显影液处理后得到源漏电极；（4）在得到的源漏电极上蒸镀有机半导体层即得到有机场效应晶体管。本发明具有以下有益效果：1、本方法可以在处理温度低（50℃）的绝缘层上进行光刻。2、采用二次曝光的方法，巧妙的避开了丙酮对于绝缘层的影响。
一种有机场效应晶体管制作方法

[发明专利]一种短沟道有机薄膜晶体管的制备方法-CN201210382861.1无效
发明人：唐伟;冯林润;徐小丽;陈苏杰;郭小军 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：一种短沟道有机薄膜晶体管的制备方法，该有机薄膜晶体管为底栅底接触型结构，自下而上依次包括衬底、栅极、介质层、自组装单分子层、源极、漏极以及有机半导体层，该源极与漏极之间的沟道的长度不超过5微米，所述制备方法的各工艺步骤全部采用包括溶液涂布方法和印刷方法的溶液法，具体步骤如下：在衬底上制备栅极；在衬底和栅极上制备介质层；在介质层上表面生长疏水性自组装单分子层；采用紫外光垂直通过光掩膜照射疏水性自组装单分子层，除去源极和漏极区域的疏水性自组装单分子层并在该区域生长亲水性自组装单分子层；在介质层的亲水区域上形成漏极和栅极；在源极、漏极以及沟道之上制备有机半导体层。本发明效率高、成本低，提升了短沟道有机薄膜晶体管的品质。
一种沟道有机薄膜晶体管制备方法