专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]像素结构、图像传感器、电子设备及控制方法-CN202210225684.X在审
  • 张盛鑫;徐辰 - 思特威(上海)电子科技股份有限公司
  • 2022-03-09 - 2023-09-22 - H04N25/57
  • 本发明提供一种像素结构、图像传感器、电子设备及控制方法,像素结构包括阵列排布的多个像素单元,像素单元包括:第一光电转换元件;第一传输晶体管,耦接至第一浮动扩散区,用于将第一光电转换元件累积的电荷转移至第一浮动扩散区;第二光电转换元件,第二光电转换元件的灵敏度小于第一光电转换元件的灵敏度;第二传输晶体管,耦接至第二浮动扩散区,用于将第二光电转换元件累积的电荷转移至第二浮动扩散区;读出电路,耦接至第一浮动扩散区和第二浮动扩散区,用于对第一浮动扩散区和第二浮动扩散区的电压信号进行读出。本发明可实现图像传感器兼容识别高亮信息和弱光信息的目的,提高动态范围,并通过布局设计整体提高图像传感器的性能。
  • 像素结构图像传感器电子设备控制方法
  • [实用新型]图像传感器及电子设备-CN202320455819.1有效
  • 王倩;张盛鑫 - 思特威(上海)电子科技股份有限公司
  • 2023-03-10 - 2023-09-19 - H01L27/146
  • 本实用新型公开了一种图像传感器及电子设备,该图像传感器具有像素区以及位于像素区边缘的外围逻辑区,像素区内设有金属格栅,外围逻辑区内设有外围遮光金属块,外围逻辑区包括内缘区域以及位于内缘区域外缘的外缘区域,外围遮光金属块包括与外缘区域对应的第一遮光金属块以及至少覆盖内缘区域的第二遮光金属块;图像传感器包括半导体结构层、第一金属层以及第二金属层,第一金属层包括第一遮光金属块和金属格栅,第二金属层包括第二遮光金属块。通过采用两层金属层分别形成第一遮光金属块和第二遮光金属块,再由第一遮光金属块和第二遮光金属块共同形成外围遮光金属块,既可以防止外围逻辑区漏光,又可以减小金属格栅中心和边缘的应力差异。
  • 图像传感器电子设备
  • [实用新型]一种多维元素片制湿颗粒的摇摆式颗粒机-CN202320404506.3有效
  • 王星月;张盛鑫;吴丹丹 - 黑龙江八号地生物科技有限公司
  • 2023-03-07 - 2023-07-28 - B01J2/00
  • 本实用新型涉及多维元素片生产处理技术领域,且公开了一种多维元素片制湿颗粒的摇摆式颗粒机,包括连接座,所述连接座的内壁设置有固定板,所述固定板的顶部设置有颗粒机本体,所述连接座的内底壁与固定板的底部之间设置有数量为两个且呈左右对称分布的第一缓震组件。该多维元素片制湿颗粒的摇摆式颗粒机,通过固定板、阻尼器、第一缓震弹簧、连接杆、两个滑块、第二缓震弹簧、的相互配合使用下,可以有效的缓冲和消散竖直方向的震动力,整体结构简单,提高了设备的减震效果,解决了减震效果较差的缺陷,避免出现较大的震动损坏其内部的结构,避免影响设备的使用寿命,提高了设备的实用性,便于工作人员使用。
  • 一种多维元素片制湿颗粒摆式颗粒机
  • [发明专利]图像传感器及其制备方法、电子设备-CN202111616286.2在审
  • 张盛鑫 - 思特威(上海)电子科技股份有限公司
  • 2021-12-27 - 2023-06-30 - H01L27/146
  • 本发明提供一种图像传感器及其制备方法、电子设备,图像传感器的像素阵列包括阵列排布的像素单元,像素单元包括至少两个像素,其中,至少一个第一像素的第一光电转换元件包括沿第一方向分割的两个子光电转换元件;至少一个第二像素的第二光电转换元件包括沿与第一方向不同的第二方向分割的两个子光电转换元件;其中,每一像素包括相邻设置的电荷生成收集区及信号读出电路区,且分割的两个子光电转换元件具有独立的传输晶体管及共用的浮动扩散区,以构成电荷生成收集区,信号读出电路区连接至浮动扩散区以实现信号读出。本发明包含左右双核像素和上下双核像素,可同时获取横向相位信息及纵向相位信息,从而实现全向双核相位对焦。
  • 图像传感器及其制备方法电子设备
  • [实用新型]光电转换元件、像素结构及图像传感器-CN202222758297.0有效
  • 张盛鑫;王倩 - 思特威(上海)电子科技股份有限公司
  • 2022-10-19 - 2023-06-06 - H01L27/146
  • 本实用新型提供一种光电转换元件、像素结构及图像传感器,光电转换元件包括:衬底;光电转换区,设置于衬底中,光电转换区包括层叠设置的第一转换部和第二转换部,第二转换部设置于第一转换部上方;浮动扩散区,设置于光电转换区上方并与光电转化区间隔排布;垂直传输栅结构,设置于衬底中,垂直传输栅结构的一端延伸至第二转换部内部或边缘,另一端延伸至浮动扩散区。本实用新型可有效缩小传输栅所需占用的面积,从而实现像素结构的进一步微缩,并提高像素结构的性能,基于垂直传输栅结构的面积和传输效率优势,可以大大提高图像传感器的布局设计的自由度,进而设计出像素增益(CG)优化,满阱容量(FWC)更大,整体性能更好的图像传感器。
  • 光电转换元件像素结构图像传感器
  • [实用新型]像素结构、图像传感器、电子设备-CN202320176971.6有效
  • 张盛鑫;徐辰 - 思特威(上海)电子科技股份有限公司
  • 2023-02-03 - 2023-06-02 - H04N25/47
  • 本实用新型提供一种像素结构、图像传感器、电子设备,像素结构包括阵列排布的多个像素单元,像素单元包括:第一光电转换部;第一电荷传输部,耦接至第一光电转换部与第一浮动扩散区之间;第二光电转换部,灵敏度大于第一光电转换部的灵敏度;第二电荷传输部,耦接至第二光电转换部与第二浮动扩散区之间;增益调制部,耦接至第一浮动扩散区,配置为调节第一浮动扩散区的电容,以基于不同电容在不同操作中获取第一光电转换部对应的信号;信号输出电路,耦接至第二浮动扩散区和第一浮动扩散区,以输出对应的转换信号。本实用新型可实现动态范围的提高,可兼容识别高亮信息和弱光信息,并可通过布局设计及时序控制改善信噪比,提高图像质量。
  • 像素结构图像传感器电子设备
  • [实用新型]像素结构及图像传感器-CN202223361285.0有效
  • 王倩;张盛鑫 - 思特威(上海)电子科技股份有限公司
  • 2022-12-13 - 2023-05-02 - H01L27/146
  • 本实用新型提供一种像素结构及图像传感器,包括相邻设置的第一光电转换区和第二光电转换区;第一光电转换区包括第一导电类型掺杂的第一感光区和设置于第一感光区外围的第二导电类型的第一像素隔离区;第二光电转换区包括第一导电类型掺杂的第二感光区、设置于第二感光区外围的第二导电类型掺杂的感光抑制区以及设置于感光抑制区的外围的第二导电类型的第二像素隔离区;第二感光区的掺杂浓度大于第一感光区的掺杂浓度,第二感光区的面积小于第一感光区的面积。本实用新型在保证感光区电荷容量的基础上减小感光区面积,以实现较弱的光响应,可以提供动态范围,可实现长时间曝光的同时不容易产生过度曝光,能够实现LFM的高动态范围的图像传感器。
  • 像素结构图像传感器
  • [实用新型]高动态范围图像传感器及电子设备-CN202222325573.4有效
  • 胡泽望;张盛鑫 - 思特威(上海)电子科技股份有限公司
  • 2022-08-31 - 2023-04-18 - H04N25/57
  • 本实用新型提供一种高动态范围图像传感器及电子设备,在半导体衬底中形成具有不同灵敏度的第一光电转换元件及第二光电转换元件,并在第一光电转换元件朝向入射光的一侧形成包括光偏转介质层的光偏转结构,由于光偏转介质层的折射率小于周围的半导体衬底,从而光偏转结构使得预进入第一光电转换元件中的部分光线进入第二光电转换元件中。本实用新型通过光偏转结构使预进入第一光电转换元件的光线的横向传播分量增益,使得预进入第一光电转换元件的光线可以进入第二光电转换元件,从而可以进一步降低第一光电转换元件对光的吸收,以更大程度上避免过曝,从而更容易实现图像传感器的高动态范围。
  • 动态范围图像传感器电子设备
  • [实用新型]像素结构、图像传感器及电子设备-CN202220497121.1有效
  • 张盛鑫;徐辰 - 思特威(上海)电子科技股份有限公司
  • 2022-03-09 - 2023-04-07 - H04N25/57
  • 本实用新型提供一种像素结构、图像传感器及电子设备,像素结构包括阵列排布的多个像素单元,像素单元包括:第一光电转换元件;第一传输晶体管,耦接至第一浮动扩散区,用于将第一光电转换元件累积的电荷转移至第一浮动扩散区;第二光电转换元件,第二光电转换元件的灵敏度小于第一光电转换元件的灵敏度;第二传输晶体管,耦接至第二浮动扩散区,用于将第二光电转换元件累积的电荷转移至第二浮动扩散区;读出电路,耦接至第一浮动扩散区和第二浮动扩散区,用于对第一浮动扩散区和第二浮动扩散区的电压信号进行读出。本实用新型可实现图像传感器兼容识别高亮信息和弱光信息的目的,提高动态范围,并通过布局设计整体提高图像传感器的性能。
  • 像素结构图像传感器电子设备
  • [实用新型]图像传感器及电子设备-CN202222999932.4有效
  • 张盛鑫;徐辰 - 思特威(上海)电子科技股份有限公司
  • 2022-11-11 - 2023-04-04 - H04N25/40
  • 本实用新型提供一种图像传感器及电子设备,图像传感器包括:多个子像素区,各子像素区的大小及形状均相同且为中心对称图形;其中,多个子像素区构成多个图像像素行,且相邻两个图像像素行交错设置,相邻两行所述图像像素行中包括呈三角边界排布的三个相邻的所述子像素区。本实用新型采用子像素区为三角边界排布的设计方式,减少像素间的隔离区面积,减少隔离区域的浪费,在不牺牲像素性能的同时,可以得到相同的隔离效果,可以加快像素的读出速度,整体提高图像传感器的性能。
  • 图像传感器电子设备
  • [发明专利]图像传感器及其制备方法-CN202111013021.3在审
  • 张盛鑫 - 思特威(上海)电子科技股份有限公司
  • 2021-08-31 - 2023-03-03 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种图像传感器及其制备方法,包括半导体结构层,半导体结构层内具有呈阵列分布的感光像素区以及将多个感光像素区间隔开的沟槽隔离结构,沟槽隔离结构内设有第一电容极板和第二电容极板,第一电容极板和第二电容极板共同形成电容,电容电性连接于转换增益控制晶体管和复位晶体管之间。通过将电容设于沟槽隔离结构内,电容的设计不受像素大小及版图布局的限制,电容值可以做得更大,在降低低增益数值的同时,保持了像素高增益数值的特点,以得到更高的高低增益比例,为更好的HDR性能提供可能性,而且也不会影响沟槽隔离结构的性能。
  • 图像传感器及其制备方法
  • [实用新型]图像传感器及版图结构-CN202222607325.9有效
  • 张盛鑫;徐辰 - 思特威(上海)电子科技股份有限公司
  • 2022-09-30 - 2023-01-20 - H04N25/70
  • 本实用新型提供一种图像传感器及版图结构,图像传感器包括若干按行和列排布的像素块,该像素块包括:至少一个感光单元,连接于漂浮扩散有源区和第一参考电压之间;复位晶体管,控制端连接复位控制信号,第一端连接增益晶体管的第二端,第二端连接复位电压;增益晶体管,控制端连接增益控制信号,第一端连接于漂浮扩散有源区;源跟随晶体管,控制端连接于漂浮扩散有源区,第一端连接选择晶体管的第二端,第二端连接跟随电压;选择晶体管,控制端连接选择控制信号,第一端输出像素信号;同一列中包括相邻的两个像素块共用同一选择晶体管和同一复位晶体管或相邻的三个像素块中的相邻像素块构成的两组分别共用同一选择晶体管和同一复位晶体管。
  • 图像传感器版图结构

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