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- [发明专利]图像传感器及其制作方法-CN202110693368.0在审
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石文杰;王婉晴
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思特威(上海)电子科技股份有限公司
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2021-06-22
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2022-12-23
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H01L27/146
- 本发明公开了一种图像传感器及其制作方法,图像传感器包括电路连接层、光学结构层以及半导体结构层,半导体结构层内具有多个感光像素区以及将多个感光像素区间隔开并贯穿半导体结构层的沟槽隔离结构,沟槽隔离结构包括相互对应的反射结构和吸光结构,反射结构靠近光学结构层的一端并用于反射光线,吸光结构靠近电路连接层的一端并用于吸收光线,吸光结构朝向电路连接层的一端伸入电路连接层内并与电路连接层电性连接。反射结构可以增加感光元件对光线的接收性能,吸光结构可以吸收靠近电路连接层附近的光线,从而避免或减少光线在电路连接层附近发生串扰,而且吸光结构与电路连接层电性连接,从而可以在吸光结构上施加负电压,以降低暗电流。
- 图像传感器及其制作方法
- [发明专利]图像传感器及其制作方法-CN202110693389.2在审
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石文杰;王婉晴
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思特威(上海)电子科技股份有限公司
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2021-06-22
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2022-12-23
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H01L27/146
- 本发明公开了一种图像传感器及其制作方法,图像传感器包括电路连接层、光学结构层以及位于电路连接层和光学结构层之间的半导体结构层,半导体结构层内具有呈阵列分布的感光像素区以及将多个感光像素区间隔开的沟槽隔离结构,感光像素区内设有感光元件,沟槽隔离结构包括相互对应的反射结构和吸光结构,反射结构位于沟槽隔离结构靠近光学结构层的一端并用于反射光线,吸光结构位于沟槽隔离结构靠近电路连接层的一端并用于吸收光线。反射结构可以增加感光元件对光线的接收性能,还可避免或减少光线在靠近光学结构层附近发生光学串扰,吸光结构可以吸收靠近电路连接层附近的光线,从而避免或减少光线在电路连接层附近发生串扰。
- 图像传感器及其制作方法
- [实用新型]图像传感器及电子设备-CN202121555138.X有效
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谭炳辉;石文杰;王婉晴
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思特威(上海)电子科技股份有限公司
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2021-07-08
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2022-03-08
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H04N5/355
- 本实用新型提供一种图像传感器结构、电子设备,结构包括:第一类像素和第二类像素;调制功能层,其至少包括位于第一类像素上的遮光部;基于调制功能层,入射光进入第二类像素并产生衍生光,衍生光进入第一类像素,基于衍生光以产生第一信号,第二类像素基于入射光以产生第二信号,且同一第一类像素对应的各第二类像素响应于同种类型的光信号。本实用新型可以基于第一类像素和第二类像素获取不同的光信号,以提高图像的动态范围,并有效实现具有光源闪烁的照片或者视频的获取。另外,可以实现遮光部与导光部的同时制备,实现第一类像素和第二类像素的光信号的调制,并可以有效防止不同类型光信号之间的串扰,可以简化制备工艺,提高效率。
- 图像传感器电子设备
- [实用新型]图像传感器-CN202121397402.1有效
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石文杰;王婉晴
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思特威(上海)电子科技股份有限公司
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2021-06-22
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2022-03-08
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H01L27/146
- 本实用新型公开了一种图像传感器,包括电路连接层、光学结构层以及位于电路连接层和光学结构层之间的半导体结构层,半导体结构层内具有呈阵列分布的感光像素区以及将多个感光像素区间隔开的沟槽隔离结构,感光像素区内设有感光元件,沟槽隔离结构包括相互对应的反射结构和吸光结构,反射结构位于沟槽隔离结构靠近光学结构层的一端并用于反射光线,吸光结构位于沟槽隔离结构靠近电路连接层的一端并用于吸收光线。反射结构可以增加感光元件对光线的接收性能,还可避免或减少光线在靠近光学结构层附近发生光学串扰,吸光结构可以吸收靠近电路连接层附近的光线,从而避免或减少光线在电路连接层附近发生串扰。
- 图像传感器
- [实用新型]图像传感器-CN202121397719.5有效
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石文杰;王婉晴
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思特威(上海)电子科技股份有限公司
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2021-06-22
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2022-03-08
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H01L27/146
- 本实用新型公开了一种图像传感器,包括电路连接层、光学结构层以及半导体结构层,半导体结构层内具有多个感光像素区以及将多个感光像素区间隔开并贯穿半导体结构层的沟槽隔离结构,沟槽隔离结构包括相互对应的反射结构和吸光结构,反射结构靠近光学结构层的一端并用于反射光线,吸光结构靠近电路连接层的一端并用于吸收光线,吸光结构朝向电路连接层的一端伸入电路连接层内并与电路连接层电性连接。反射结构可以增加感光元件对光线的接收性能,吸光结构可以吸收靠近电路连接层附近的光线,从而避免或减少光线在电路连接层附近发生串扰,而且吸光结构与电路连接层电性连接,从而可以在吸光结构上施加负电压,以降低暗电流。
- 图像传感器
- [实用新型]图像传感器结构及电子设备-CN202121381449.9有效
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王婉晴
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思特威(上海)电子科技股份有限公司
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2021-06-21
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2022-02-08
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H01L27/146
- 本实用新型提供一种图像传感器结构及电子设备,图像传感器结构包括:基底,形成有若干个感光区;包括凹陷主体部及填充部的光路调制结构,凹陷主体部的折射率大于填充部的折射率,且每一感光区上对应至少一个光路调制结构。本实用新型采用简单的工艺制备得到了可以进行光路调制的结构,可以调制射向基底的入射光,增加入射光光程,以提高光的吸收率及图像传感器的探测效率;特别是对于波长较长的红外波段光,极大扩展了对红外光的应用;本实用新型制备工艺简便,兼容性良好;图像传感器设计中,将光路调制结构制备在基底上,可以均适用于前照式和背照式图像传感器;另外,本实用新型还可以基于光路调制结构的不同配置灵活实现图像传感器性能改善。
- 图像传感器结构电子设备
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