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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电容器及其制造方法-CN99109410.7无效
发明人：田润树;黄有商;郑泰荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-06-29 - 公布日： 2000-01-12 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：制造有高介电常数介质膜的叠层式电容器的方法,其中存储器节点包括多晶硅层,阻挡金属层和带侧壁间隔层的过渡金属层。阻挡金属层和其侧壁间隔层防止多晶硅氧化。形成多晶硅层达到决定存储器节点高度的厚度。较薄地形成直接连接高介电常数介质膜的过渡金属层,以避免其倾斜腐蚀,因而可防止在各存储器节点与相邻节点之间的电桥。
电容器及其制造方法

[发明专利]超密集动态随机存取存储单元及其制造方法-CN99106684.7无效
发明人：海因茨·豪恩尼克施密德;路易斯·L·胡;杰克·A·曼得尔门 -专利权人：国际商业机器公司;西门子公司
申请日： 1999-05-20 - 公布日： 1999-12-15 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：半导体存储单元的制作方法包含在深沟槽中制作储存电容器；制作至少部分覆盖深沟槽的浅沟槽隔离(STI)区；在深沟槽侧壁中制作条并使条外扩散；在STI区和深沟槽的外表面上制作第一隔离层；选择性腐蚀清除第一隔离层，以暴露位于深沟槽和STI区外侧壁上并电连接于条的台面区；在至少部分台面区中形成沟道区和源/漏区；至少在沟道区上制作栅介质；在沟道区上淀积栅导体；以及对第一源/漏区制作位线接触。
密集动态随机存取存储单元及其制造方法

[发明专利]制造动态随机存取存储器结构的方法-CN98109315.9无效
发明人：季明华;卢志远 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 1998-05-27 - 公布日： 1999-12-01 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：在绝缘上硅上产生动态随机存取存储器的方法,以增加动态随机存取存储器单元信号的二维沟道电容结构及连接绝缘体基外延硅至半导体衬底的多晶硅存储节点结构消除浮置基体效应。二维沟道通过绝缘体基外延硅,下方的绝缘层至半导体衬底形成垂直沟道;用各向同性反应性蚀刻侧向去除暴露在垂直沟道中的绝缘层,以形成二维沟道侧向部分。覆盖在二维沟道边缘的多晶硅层在二维沟道电容结构中用作存储节点结构且连接绝缘体基外延硅至半导体衬底。
制造动态随机存取存储器结构方法

[发明专利]万门级互补场效应晶体管集成电路的制造方法-CN96109872.4无效
发明人：黄令仪;陈晓东;朱亚江 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 1996-09-25 - 公布日： 1999-11-24 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本万门级互补场效应晶体管集成电路的制造方法包括下列步骤依据集成电路逻辑功能，确定晶体管的长宽比值；选择时序元件，建立内部基本单版图库及I／O单元库；进行逻辑模拟、布局、布线；预埋多个延迟元件；工艺加工和测试分析；以及用预埋延迟元件，调整时序。本方法使库的负载能和性能良好，版图面积得到优化。由于预埋了延迟元件，即使工艺流程结束后发现了局部时序出错，也只需修改少数掩膜版和工序，就可完成电路制造，因而降低了制造成本。
万门级互补场效应晶体管集成电路制造方法

[发明专利]在集成电路中形成沟槽式电容器的改进技术-CN99102190.8无效
发明人：乔基姆·霍夫纳 -专利权人：西门子公司
申请日： 1999-02-11 - 公布日： 1999-09-01 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：公开了一种在衬底内形成包括掩埋板的沟槽式电容器的方法。包括在衬底内形成沟槽。沟槽具有沟槽内表面。还包括在沟槽内形成氧化物轴环。氧化物轴环覆盖沟槽内表面的第一部分，留下沟槽内表面的第二部分未由氧化轴环覆盖。还包括使用等离子体增强的掺杂工艺用第一掺杂剂掺杂沟槽内表面的第二部分。设置等离子体增强的掺杂工艺使第一掺杂剂基本上扩散到第二部分内，且没有在沟槽内表面上淀积附加层。此外，包括使用高温工艺使第一掺杂剂驱入到衬底内形成掩埋板。
集成电路形成沟槽电容器改进技术

[发明专利]用于扩散法制图的方法及组合物-CN92112984.X无效
发明人：约翰·詹姆斯·法尔顿;瓦尔特·雷蒙德·黑特勒;马叔华 -专利权人：Ｅ·Ｉ·内穆尔杜邦公司
申请日： 1992-11-06 - 公布日： 1999-02-10 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明涉及用作制图案有机层的方法，它包括下列步骤$Ａ．向基底上施加一层固体酸不稳定聚合物的非制图层；$Ｂ．向非制图层基上施加一层包括有机酸的液体溶液及挥发溶剂的制图案第二层；$Ｃ．加热制图层从而从层中除去挥发溶剂并让有机酸扩散至下面第一层中；$Ｄ．用碱水溶液洗涤各层以便从各层的制图区域中除去溶解了的酸不稳定聚合物。
用于扩散法制方法组合

[发明专利]半导体集成电路及设计方法和记录其设计程序的记录媒体-CN98103058.0无效
发明人：竹冈贞巳 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-07-23 - 公布日： 1999-01-27 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：一种半导体集成电路及设计方法是配置选择信号输出电路10,通常动作时,选择信号输出电路通过D端的“0”输入,切换选择器12,将部分电路2的输出输入给扫描触发器11。扫描测试时,向选择信号输出电路10输入来自扫描输入端3的“0”或“1”值的选择信号,该选择信号被输入选择器12。选择信号=0时,选择部分电路2一侧,当选择信号=1时,选择时钟信号的生成电路9的时钟信号。
半导体集成电路设计方法记录程序媒体

[发明专利]用于电力处理应用的微型磁性装置及其制造方法-CN98109818.5无效
发明人：迪安·保罗·科塞维斯;阿沙夫·韦吉·罗菲;林恩·弗朗西丝·施内迈耶;迈克尔·路易斯·施泰格沃德;罗伯特·布鲁斯·范多弗 -专利权人：朗迅科技公司
申请日： 1998-06-09 - 公布日： 1998-12-30 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有铁磁芯的电力微型磁性集成电路及其制造方法,以及采用这种电力微型磁性集成电路的电力处理电路,所述电力微型磁性集成电路包括(1)基体;(2)和所述基体结合的绝缘体;及(3)在所述绝缘体和所述铁磁芯之间形成结合力,把所述铁磁芯固定到所述基体上的金属粘结剂。
用于电力处理应用微型磁性装置及其制造方法

[发明专利]模块合成装置及模块合成方法-CN98101356.2无效
发明人：福井正博 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-04-10 - 公布日： 1998-11-18 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：一种模块合成装置及方法,其功能电平处理部分是将数据通路图表变换成逻辑电路信息,逻辑电平处理部分是在逻辑电路信息2中特定元件。合成处理部分是根据按照元件特性推断部分求出的经延迟使参数升高的形状函数,合成数据通路的配置模块,同时,求经延迟使参数升高的配置模块的形状函数。由于使用经延迟使参数升高的元件的形状函数,能够将配置模块的形状高精度最优化,同时通过形状函数的生成,容易与前工序设计联合。
模块合成装置方法

[发明专利]制造大规模集成电路的处理设备-CN98101758.4无效
发明人：上杉文彦;伊藤奈津子 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-05-04 - 公布日： 1998-11-11 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：处理室中有用于预定处理的活性气体,处理室的部分外壁构成从此外壁延伸到空气中的突起部件。入射侧窗安装于突起部件上,通过该窗导入激光。障板设置于突起部件内,用于在将激光导入此窗时,如果产生不规则反射光,阻止导入到室中的光的不必要部分。在窗的空气侧表面上涂抗反射层。在突起部件上形成净化气体入口,用于将净化气体沿窗的内表面吹散。因此,可以防止处理气体沉积在入射侧窗的处理室内表面上和光束挡板的表面上,所以处理室内部不会被污染,因而以测量处理室内悬浮或落下的细颗粒的弱散射光。
制造大规模集成电路处理设备

[发明专利]用于半定制集成电路器件的母片且带有内建附加电流驱动器的半导体晶片-CN97125711.6无效
发明人：押川芳裕 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1997-12-26 - 公布日： 1998-07-01 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：用于半定制集成电路的母片包括按行和列设置的标准单元(311—344),这些标准单元分别与附加信号驱动器(411—444)关联;当由于信号线的传输期间的延时造成了后注释结果和LSI测试结果间发生逻辑不相容时,附加信号驱动器选择性地与标准单元的信号驱动器相连,以便提高电流驱动能力,由此使LSI测试结果与后注释结果一致。
用于定制集成电路器件带有附加电流驱动器半导体晶片

[发明专利]纳米级平面微细结构加工装置-CN96116903.6无效
发明人：顾宁;陆祖宏;韦钰 -专利权人：东南大学
申请日： 1996-04-22 - 公布日： 1997-10-29 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面微细结构加工装置。本发明由三维压电扫描器、探针及安装调节器组成，在探针的外部设有密封室，在密封室的下部设有可供探针进出的小孔，在密封室上还设有气孔，该气孔可以包括入气孔和出气孔，上述密封室可以选择为锥形密封室。本发明可以在探针的周围形成小范围反应气体，因此，既节省了气体，又降低了污染，反应气体在密封室中也可以得到充分混合，另外，本发明可以通过密封室搬迁原子，具有易重复定位，结构简单的优点。
纳米平面微细结构加工装置

[发明专利]电压和电流基准电路-CN97102494.4无效
发明人：杰弗森·W·豪尔 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1997-02-20 - 公布日： 1997-10-15 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：具有低温度系数的电压和电源基准电路可使元件数最少以减小集成电路芯片面积。带隙电压基准产生低温度系数的电压。电压跟随器接到该带隙电压基准以产生出相应的基准电压。从带隙电压基准来的随温度变化的电流被镜像并提供到电压跟随器的第一电极。电阻(R4)接在电源端子与电压跟随器第二电极之间，选择该阻值以产生电流来抵消随温度变化的电流的温度依随性。电流镜电路接收随温度变化的电流的剩余部分，输出一个低温度系数的电流。
电压电流基准电路

[发明专利]镓铟砷(GaInAs)横向光电晶体管-CN93114285.7无效
发明人：李安民 -专利权人：中国科学院半导体研究所;电子工业部第十三研究所
申请日： 1993-11-11 - 公布日： 1997-03-12 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：镓铟砷横向光电晶体管是根据横向光电晶体管的原理制作的一种均匀掺杂、宽基区，发射极结和集电极结在镓铟砷处延层顶部横向排列，电极对称，极性任意的光电器件。其是镓铟砷横向光电晶体管(5)与结型场效应晶体管(6)可以集成在一个镓铟砷外延层上，做成光电器件与电子器件集成在一起的长波长接收器。其最大优点是两种器件外延层共用；工艺相容，而制作的长波长接收器可广泛用于光纤通信接收机和中继器。
镓铟砷 gainas 横向光电晶体管

[发明专利]离子束致多重精细打印平面微细加工工艺-CN93103336.5无效
发明人：刘本林 -专利权人：刘本林;王琼;王逸农;陈荣保;何明旗;陈国联;毛剑平;徐国友
申请日： 1993-04-01 - 公布日： 1994-10-26 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：一种适用集成电路芯片加工的多重精细打印微电子平面微细加工工艺。经过加速，聚集与成像的带电粒子束射入一种由耐高温金属薄膜与制膜材料膜组成的载料膜，选区加热熔化或汽化膜上的制膜材料，并转移凝结至与之相贴近的半导体基片，以完成半导体基片的选区制膜过程。
离子束多重精细打印平面微细加工工艺

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