专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]透平油组合物-CN99101046.9有效
  • 吉田俊男;五十岚仁一;渡辺治道 - 日本石油株式会社
  • 1999-01-08 - 1999-09-01 - C10M133/12
  • 本发明涉及一种透平油组合物,该组合物使用含2ppm(重量)以上碱性氮的矿物油系润滑油基油,并且与碱性氮含量实质上为零的矿物油系润滑油基油中配合酚系防氧化剂的透平油相比,具有相同的或更高的氧化稳定性,它含有(A)碱性氮含量2ppm(重量)以上的矿物油系润滑油基油和(B)酚系防氧化剂和/或(C)芳香胺系防氧化剂和(D)苯并三唑和/或其衍生物。
  • 透平组合
  • [发明专利]通过发酵生产L-丝氨酸的方法-CN99100440.X有效
  • 菅美喜子;杉本雅一;大住刚;中松亘;日比野涉;伊藤美佳 - 味之素株式会社
  • 1999-01-12 - 1999-09-01 - C12N1/20
  • 本发明公开了一种对重氮丝氨酸或β-(2-噻吩)-DL-丙氨酸具有抗性并且具有L-丝氨酸生产力的棒杆菌。本发明还公开了来自其中对L-丝氨酸的反馈抑制被脱敏的棒杆菌的D-3-磷酸甘油酸脱氢酶;可以从对重氮丝氨酸或β-(2-噻吩)-DL-丙氨酸具有抗性并且具有L-丝氨酸生产力的棒杆菌获得的D-3-磷酸甘油酸脱氢酶;具有序列表中SEQID12中所示氨基酸序列或包括一个或更多个氨基酸替代、添加或缺失并且其中的相应于SEQID12氨基酸序列中第325个谷氨酸残基的氨基酸残基被非谷氨酸的氨基酸替代的序列的D-3-磷酸甘油酸脱氢酶;具有序列表SEQIDNO11中所示氨基酸序列的D-3-磷酸甘油酸脱氢酶;编码上述D-3-磷酸甘油酸脱氢酶的DNA;具有序列表中SEQIDNO13所示碱基序列的DNA;携带含有该DNA的重组DNA的棒杆菌;和生产L-丝氨酸的方法,包括在培养基中培养上述细菌从而使L-丝氨酸在培养基中积累并且从该培养基中收集L-丝氨酸的步骤。
  • 通过发酵生产丝氨酸方法
  • [发明专利]高亲脂性喜树碱衍生物-CN97197194.3有效
  • F·H·赫施尔;K·哈里达斯;P·斯特哈拉穆鲁;D·穆拉里;D·G·勒迪;S·姚;P·彼特路鲁 - 比奥纽默里克药物公司
  • 1997-08-15 - 1999-09-01 - C07D491/22
  • 具有式(Ⅰ)的化合物,其中R1为具式-C(O)R2的酰基,其中的R2为C1-6烷基,C2-6链烯基,C2-6链炔基或芳基;或R1为C2-8链烯基或C2-8链炔基,其中每一个均可任意地被一或多个卤原子,羟基,C1-6烷基或C1-6烷氧基团所取代;或R1为卤素;氧,在这种情况下,1,2-和6,7-环双键被一个单独的2,6-环双键所取代;或-S-R3,其中的R3为C1-6烷基,芳基或卤素或C1-6烷基取代的芳基;或R1为-S(O)-C1-6烷基;-OSO2CF3;或-SiR8R9R10,-R5-SiR8R9R10或-S-R5-SiR8R9R10,其中R5为C1-6亚烷基,C2-6亚链烯基或C2-6亚链炔基,并且R8,R9和R10各自为氢或C1-6烷基;且R11为氢,羟基保护基团,其保护羟基不发生三氟甲磺酰化;这些化合物游离碱以及其药学上可接受的酸加成盐形式具有高度的亲脂性,内酯稳定性,且不需要代谢激活,是一种抗肿瘤化合物。
  • 高亲脂性喜树碱衍生物
  • [发明专利]自动盖厕器-CN98111867.4无效
  • 邹永平 - 邹永平
  • 1998-02-24 - 1999-09-01 - A47K11/00
  • 这是一种厕所便池坑的自动封盖与收盖装置。当人进入厕所踏下踏板,则厕坑盖板自动转动收折起来立在厕坑背后近墙位置。当便后冲洗完毕离开厕所时再次踏动踏板,厕坑盖就自行落下封住厕坑。盖板由前盖板和后盖板两块用铰链连接而成,后盖板绕转轴转动,转轴及相关传动件都固定在壳体上。壳体用膨胀螺钉或真空吸盘固定在厕坑背后墙上。清洁卫生,使用方便。
  • 自动盖厕器
  • [发明专利]电容的下电极的制造方法-CN98105348.3无效
  • 施俊吉;黄修文;洪允锭;陈立哲 - 联诚积体电路股份有限公司
  • 1998-02-27 - 1999-09-01 - H01L21/82
  • 一种电容的下电极的制造方法包括形成第一介电层、氮化硅层与氧化层以覆盖基底。形成第一导体层。形成第一半球型硅晶粒层与第二介电层。对第二介电层、第一半球型硅晶粒层与第一导体层构图。形成第二导体层与第二半球型硅晶粒层。去除第二半球型硅晶粒层与第二导体层,以及去除第二介电层,直至暴露出第一半球型硅晶粒层。本发明的方法可避免回蚀工艺损害第一半球型硅晶粒层,并且可完全消除下电极之间的微细连接现象。
  • 电容电极制造方法

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