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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]介电层的制造方法-CN99117965.X有效
发明人：史望澄;彭冠杰;赵兰璘 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 1999-08-17 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：一种介电层的制造方法，可应用于电容器。首先提供第一导电层，再对第一导电层实施一氮化反应，以在其表面形成一氮化物层。再形成一具有高介电常数的介电层，并对介电层先后实施一热处理及一氧等离子处理，以终结该介电层中的悬置键，并在该介电层表面吸附布置与悬置键键结的氧。这在介电层表面的一层活性氧原子使得后续的氮化钛在镀制时，自然形成一层极薄的氮氧化物，此氮氧化物薄膜有稳定界面，保护介电层的效果。
介电层制造方法

[发明专利]利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法-CN98105624.5有效
发明人：程蒙召 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 1998-03-19 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：一种利用多晶硅半球的晶粒扩展表面面积以形成电容器电极板的方法，此多晶硅半球的晶粒形成在第一电容器电极板的顶表面与侧壁；一垂直各向异性蚀刻步骤形成一第一电容器电极板的不规则的顶表面，并且一回火步骤提供在多晶硅半球的晶粒与第一电容器电极板的侧壁之间的良好附着力；一在第一电容器电极板之间介电层的固定时间回蚀刻步骤，确保在邻接第一电容器电极板之间良好的电子绝缘。
利用多晶半球晶粒蚀刻形成电容器方法

[发明专利]一种深槽电容的制作方法-CN02118539.5有效
发明人：严永松;刘炳良;许书豪;洪圭钧 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-04-27 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明先在一半导体衬底表面的深槽底部形成一埋入电极，接着在该衬底及该深槽表面形成一介电层并填满以一光致抗蚀剂层。随后进行一曝光暨显影工艺，以去除该深槽内一预定深度的该光致抗蚀剂层，并使残留于该深槽内的该光致抗蚀剂层的顶部略为切齐于该埋入电极顶部。最后去除未被该光致抗蚀剂层覆盖的该介电层，并依次进行一氧化工艺以及二多晶硅沉积－化学机械抛光－多晶硅凹入蚀刻工艺，以形成一储存电极。
一种电容制作方法

[发明专利]具有间隙的铁电电容-CN02118154.3无效
发明人：陈旭顺;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-04-23 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有间隙的铁电电容及其制造方法。本发明的铁电电容具有一扩散挡层，在进行高温工艺时，可保护钨插塞，防止高温氧扩散进入而与钨插塞反应，形成一层钨氧化层，且另一方面本发明的结构具有导体间隙，可使得本发明具有自对准功效，亦即通过此间隙结构来与导体层做电性连接，只要此导体层能与接触窗钨插塞耦接，即不会影响其电性表现。
具有间隙电容

[发明专利]高密度存储器结构-CN96105125.6无效
发明人：蔡南雄;陈民良 -专利权人：台湾茂矽电子股份有限公司
申请日： 1996-05-10 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：一动态随机存取存储器(DRAM)集成电路，包含一确定在一半导体基板内的凹陷区域。此凹陷区域具有自一底面延伸的基本上垂直的边侧。一场效应三极管经确定以邻接于该凹陷区域。一包含有下电容器板、电容介电体及上电容器板的电容器结构，确定在该凹陷区域中、该场效应三极管上方，借此提供较大的电容器表面。
高密度存储器结构

[发明专利]利用离子植入方法制作混合电路元件电容器的方法-CN02105962.4有效
发明人：刘建宏;黄守伟;潘锡树 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-04-10 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：一种利用离子植入方法制作混合电路元件电容器的方法。此方法先在已形成隔离区的硅基底上形成一层多晶硅层，接着对多晶硅层进行一离子植入步骤，将氧离子植入多晶硅层中的设定深度，随后进行回火步骤，使植入多晶硅层的氧离子与硅离子产生反应，而于多晶硅层中形成一层氧化硅层。最后，定义氧化硅层与多晶硅层，使氧化硅层上的多晶硅层作为电容器上电极与氧化硅层下的多晶硅层作为电容器下电极，以完成混合电路元件的电容器。
利用离子植入方法制作混合电路元件电容器

[发明专利]具有沟槽电容的半导体的制造方法-CN02106188.2无效
发明人：朱淑卿 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2002-04-08 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明提供一种具有沟槽电容的半导体的制造方法，包括下列步骤：在一基底中形成一沟槽；在沟槽中，依序形成具有第一既定高度的一玻璃掺杂层与第一介电层；由退火处理将玻璃掺杂层中的n型掺杂物向外扩散至基底中，形成一隐埋板；利用湿蚀刻移除第一介电层与玻璃掺杂层；在沟槽中，依序形成具有大体等于第一既定高度的第二介电层与第一导电层，在沟槽中，在第一导电层上的区域定义为上部区域；并在此形成一U型绝缘层；在上部区域中，自U型绝缘层底部形成一环状导电层；移除未与环状导电层接触的绝缘层，形成一环状绝缘层；并形成一隐埋导电带，填满在上述沟槽中。因此，形成具有低阻抗的隐埋导电带。
具有沟槽电容半导体制造方法

[发明专利]集成电路制造的推拉双向式派工方法-CN02108174.3无效
发明人：方亨利;陈忠信 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2002-03-28 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路制造的推拉双向式派工方法，用于决定芯片批次在每一工作站的排货次序。先定义芯片批次的优先次序，接着进行集成电路制造的推拉双向式派工方法，执行数个推货(Push)步骤与拉货(Pull)步骤。其中，推货步骤是不管下游的制作过程阶段或工作站的拥挤或延迟状况，直接由上游来安排推货、另外，拉货步骤是考虑下游的制作过程阶段或工作站的缺货需求，再由制作过程上游来安排推货。接着，再依原先芯片批次的优先次序高低来进行派工即可。利用此集成电路制造的推拉双向式派工方法，具有提高机台设备利用性的优点。
集成电路制造推拉双向式派工方法

[发明专利]半导体器件和提供低衬底电容区域的方法-CN03107305.0有效
发明人：詹姆斯·A·杜哈姆;基思·G·凯米考纳;布赖恩·斯库诺维尔 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：一种半导体结构(1)，其特征在于在半导体材料(10)上形成隔离区(5)。在隔离区下面在半导体材料中形成立柱(15)，其中该立柱用第一介电材料(20)覆盖，以形成空洞(16)。
半导体器件提供衬底电容区域方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN98115044.6有效
发明人：迈克尔·怀斯 -专利权人：西门子公司
申请日： 1998-06-23 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成器件的元件；在衬底上淀积可流动的介电层，该可流动的介电层覆盖器件的元件和衬底；抛光可流动的介电层以产生平整表面；将可流动的介质层加热到足以使其变成粘性的温度，由此使可流动的介质层响应表面张力并流动，以使CMP期间形成的至少一部分划痕愈合；和在可流动的介电层上形成一介电层，所述可流动的介电层和所述介电层的组合厚度等于预定厚度。
形成半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件电容器的方法-CN99123981.4无效
发明人：崔璟根 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-06-26 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明公开一种使电容器电极工作稳定并改善半导体器件的工作特性和可靠性的制造半导体器件电容器的方法。该方法包括以下各步骤：制备一块半导体基片；在该基片上形成绝缘层；通过选择去除下绝缘层形成接触孔；在接触孔内形成柱塞；在其上形成Ti/TiN膜；在Ti/TiN膜上形成第一氧化钌膜；在第一氧化钌膜上形成第一SOG膜；将离子注入到第一SOG膜的表面；在第一SOG膜上形成第二SOG膜，然后选择去除第一和第二SOG膜；利用第一和第二SOG膜作掩模腐蚀第一氧化钌膜Ti/TiN和膜；去除第一和第二SOG膜，然后在裸露的表面上形成介质膜；以及在介质膜上形成第二氧化钌膜。
制造半导体器件电容器方法

[发明专利]在快闪存储器元件中形成自行对准掩埋N+型式区域的方法-CN02159626.3有效
发明人：张正佶 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-12-25 - 公布日： 2003-09-17 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明主要是提供一种在电子遂穿氧化层(ETOX)的快闪存储器元件中形成自行对准(self－aligned)扩散掩埋(buried)N+型式的方法。本方法至少提供具有垫氧化物层的底材，介电层于垫氧化物层上，与覆盖层(caplayer)于介电层上。接着，蚀刻部分覆盖层与部分介电层以终止于垫氧化物层以形成出主动区域。然后，形成间隙壁于介电层的侧壁上。接着，蚀刻部分垫氧化物层与底材以穿过掩埋N+型式区域以形成开口。最后，形成场氧化区域于底材内。
闪存元件形成自行对准掩埋型式区域方法

[发明专利]动态随机存取存储器的电容器的制造方法-CN02106596.9有效
发明人：涂国基 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-02-28 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：一种动态随机存取存储器的电容器的制造方法，在绝缘层中形成电容储存窗口后，涂布一层填满电容储存窗口的光阻层，并将相邻电容储存窗口之间的光阻层曝光后移除，形成暴露出其下方的绝缘层表面的图案化光阻层；移除绝缘层后，移除此图案化光阻层；并在绝缘层表面及电容储存窗口底部及侧壁形成一导电薄层；通过涂布另一层光阻层，并经全面性部份曝光后移除，至暴露出位于绝缘层上表面的导电薄层，接着移除暴露出的导电薄层，使导电薄层仅位于电容储存窗口的表面而做为下电极后，将上述的光阻层移除；在导电薄层表面形成一电容器绝缘层；并于电容器绝缘层上全面性沉积形成一导电层，经化学机械研磨至暴露出绝缘层的上表面后，形成上电极。
动态随机存取存储器电容器制造方法

[发明专利]具有五氧化二钽介电层的电容器制造方法-CN02105021.X有效
发明人：史望澄;吴泰伯;张志祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-02-10 - 公布日： 2003-08-27 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有五氧化二钽(Ta2O5)介电层的电容器制造方法，适用于动态随机存取内存(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)中，其在形成有储存电极的基板上沉积Ta2O5介电层，且其中掺杂有二氧化钛(TiO2)使得介电层的成分为(Ta2O5)1－x(TiO2)x且满足0.15＜x＜0.25及Ti/Ta的原子百分比比率在8.8到16.7at.％的范围，并于经过氮化处理及氧化退火处理之后，接着在介电层上形成一相对电极以完成电容器的制造，可有效降低漏电流产生并维持高的储存容量。
具有氧化二钽介电层电容器制造方法

[发明专利]可变电阻器件、可变电阻储存器的制造方法及储存器-CN03104234.1有效
发明人：庄维佛;许胜籘 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-02-08 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：一种可变电阻器件的制造方法，其包括：制备硅衬底；在衬底上形成硅氧化物层，在硅氧化物层上沉积第一个金属层，其中，第一个金属层的金属选自铂和铱，在第一个金属层上形成钙钛矿金属氧化物薄膜，在钙钛矿金属氧化物薄膜上沉积第二个金属层，其中，第二个金属层的金属选自铂和铱，将在沉积第二个金属层的步骤中得到的结构在约400℃－700℃下退火约5分钟至3小时，然后改变第一个金属层和第二个金属层之间的电阻。
可变电阻器件储存器制造方法

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