“H01L21/00”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果4692个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电子元件生产用新型密封容器-CN201210594491.8有效
发明人：王振荣;黄春杰;刘红兵 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子元件生产用新型密封容器，其特征在于，包括：槽体，所述槽体设置有容腔，所述容腔用于盛放处理液以对晶圆进行处理；槽盖，所述槽盖设置在所述槽体上端盖住所述容腔且可相对于所述槽体移动地设置，所述槽盖移动后打开所述容腔。本发明使用的电子元件生产用新型密封容器，采用驱动器推动连杆带动槽盖沿槽体圆周打开或闭合，代替了高强度的人工操作，提高了工作效率及生产合格率，同时在槽盖完全打开后，与槽壁平行放置在槽体外侧，缩小了因槽盖打开而占用的竖直空间，大大提高了生产装置的空间利用率。
电子元件生产新型密封容器

[发明专利]用于涂覆晶片的装置-CN201080069727.5有效
发明人： J.巴特尔;R.霍尔茨莱特纳;R.霍夫曼;F.施兰克;J.特瓦 -专利权人： EV集团有限责任公司
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于涂覆晶片(2)的表面(2o)的装置，带有用于将晶片(2)容纳在容纳面(19)上的容纳器件(16)和用于在Z方向上涂覆晶片(2)的喷嘴器件(10)，其特征在于，在晶片(2)的侧向周缘(2a)处可布置有利用内周缘(4i)来环绕晶片(2)的环形物(4)以用于在涂覆晶片(2)时扩大涂覆面。
用于晶片装置

[发明专利]晶圆在超纯水中过浸泡后的补救方法-CN201110377093.6无效
发明人：陈东强;寿晓懂 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆在超纯水中过浸泡后的补救方法，适用于晶圆生产过程中的任何一种湿法工艺，该方法对在超纯水中过度浸泡的晶圆，在正常回收以后，流至下一制程以前，用稀氢氟酸进行处理。通过对在超纯水中过度浸泡的晶圆追加一步稀氢氟酸处理步骤，有效地改变了晶圆的表面形态，去除了浸泡过程中沉积在晶圆表面的金属污染物，从而提高了产品的良率和可靠性。
超纯水浸泡补救方法

[发明专利]具有与第一通路或中间通路结构连接的后触点的微电子元件-CN201080069192.1有效
发明人：瓦格·奥甘赛安;贝勒卡西姆·哈巴;伊利亚斯·默罕默德;克雷格·米切尔;皮尤什·萨瓦利亚 -专利权人：德塞拉股份有限公司
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：微电子单元包括微电子元件，例如具有单晶形式的半导体区域的集成电路芯片。半导体区域具有以第一方向延伸的正面、邻近正面的有源电路元件、远离正面的背面、及向背面延伸的导电通路。导电通路可通过无机介电层与半导体区域绝缘。开口可从背面延伸，穿过半导体区域的部分厚度，沿第一方向，开口和导电通路具有各自的宽度。在开口与导电通路相交处，开口的宽度可比导电通路的宽度更大。后触点可与导电通路电连接，并在背面暴露，用于与如另一类似微电子单元、微电子封装或电路板等外部电路元件电连接。
具有第一通路中间结构连接触点微电子元件

[发明专利]电子元件生产用密封容器-CN201210594022.6有效
发明人：王振荣;刘红兵;陈概礼 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子元件生产用密封容器，其特征在于，包括密封盖和槽体，所述密封盖设置于槽体上端；所述槽体内壁设置有台阶；所述密封盖包括：压盖本体，所述压盖本体设置有容腔；旋转机构，所述旋转机构与容腔形状像适应，所述旋转机构可旋转地设置在容腔内；按压机构，所述按压机构可朝向槽体内壁往复移动地设置；传动机构，所述旋转机构与按压机构通过传动机构连接；所述旋转机构旋转时通过传动机构驱动按压机构往复移动；所述压盖本体与所述台阶之间设置有密封圈，所述按压机构朝槽体内壁移动时受槽体内壁压迫而带动压盖本体朝所述台阶移动而压缩密封圈。本发明结构简单，可提高密封性能。
电子元件生产密封容器

[发明专利]用于对多个多层本体进行热处理的装置和方法-CN201180041583.7有效
发明人： M.菲尔方格;S.约斯特 -专利权人：法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于在至少一个加热室和至少一个冷却室中对至少两个相叠布置的工艺层面上的至少两个多层本体进行连续热处理的装置，所述加热室和冷却室相继布置，其中加热室包括：第一工艺层面（3.1），其具有用于至少一个第一多层本体（4.1）的第一工艺框（5.1），所述第一工艺框（5.1）位于第一辐射器阵列（2.1）与第二辐射器阵列（2.2）之间，所述辐射器阵列具有用于加热第一多层本体（4.1）的加热辐射器（9）；第二工艺层面（3.1），其具有用于至少一个第二多层本体（4.2）的第二工艺框（5.2），所述第二工艺框位（5.2）于第二辐射器阵列（4.2）与第三辐射器阵列（4.3）之间，所述辐射器阵列具有用于加热第二多层本体（4.2）的加热辐射器（9）；其中第一辐射器阵列（2.1）和第二辐射器阵列（2.2）被构造为使得由第一辐射器阵列（2.1）以与第二辐射器阵列（2.2）不同的辐射强度照射第一工艺层面（2.1），和/或其中第二辐射器阵列（2.2）和第三辐射器阵列（2.3）被构造为使得由第二辐射器阵列（2.2）以与第三辐射器阵列（2.3）不同的辐射强度照射第二工艺层面（2.2），并且其中冷却室（KK1）包括：冷却装置；第一工艺层面（3.1），其用于冷却至少一个第一多层本体（4.1）；以及第二工艺层面（3.2），其用于冷却至少一个第二多层本体（4.2）。
用于多层本体进行热处理装置方法

[发明专利]一种晶圆干燥方法及装置-CN201210489029.1有效
发明人：刘伟;吴仪 -专利权人：北京七星华创电子股份有限公司
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了集成电路制造领域中的一种晶圆干燥方法及装置。首先识别晶圆表面的图形和所述图形沟道的深度；然后根据所述晶圆表面的图形和所述图形沟道的深度设置吸液参考点；之后根据吸液参考点将吸管的位置调整到图形沟道的底部中点并吸液；最后在吸液完成后对图形沟道进行气体干燥。本发明首先用吸管吸取晶圆线槽内的大部分液体，之后迅速用氮气将线槽内的剩余液体吹干，不仅避免了因氮气直接吹扫导致晶图上的线槽坍塌，破坏线槽的特征结构，同时也没有使用干燥剂，避免了对人体的伤害和晶圆的二次污染。
一种干燥方法装置

[发明专利]硅片冲洗脱胶架-CN201110261315.8无效
发明人：丁国发 -专利权人：丁国发
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片冲洗脱胶架。包括工作台、冲洗脱胶架、进出水管道和控制阀，所述的工作台上设有若干冲洗区，每个冲洗区设有冲洗脱胶架、进水管道、喷头和控制阀，所述的冲洗脱胶架由对称的支架构成，支架上设有水平滑槽。本发明按结构分类可分为四工位和六工位，冲洗时只需将硅片插入滑槽内即可，省去了水箱蓄水时间，具有结构紧凑、操作简便、运行成本低、工作效率高的优点。
硅片冲洗脱胶

[发明专利]使用炉管进行工艺加工的方法-CN201110257722.1无效
发明人：李琳松;孙勤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用炉管进行工艺加工的方法，首先于主反应步骤设定依次递增的温度，确保晶舟的各个位置硅片的成膜膜厚均匀一致；其次还可以新增补偿反应步骤，所述补偿反应采用的气体只是主反应中的保护性气体；所述补偿反应设定与主反应相反方向的依次递增的温度；所述补偿反应的时间与主反应相同；从而补足晶舟的各位个置的热效应差异，同时确保成膜均匀性一致。
使用炉管进行工艺加工方法

[发明专利]智能全自动半导体清洗装置-CN201110236781.0在审
发明人：李宾;于跃;刘建民;钱军;许元毅;彭冲;王宁宁 -专利权人：大连联达科技有限公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能全自动半导体清洗装置，包括：配酸系统与清洗系统；所述清洗系统具有：用于支撑整体装置的骨架本体；安装在骨架本体内部的清洗工艺槽；安装于清洗工艺槽内，控制清洗模块内洗液层流结构的层流控制系统；连接所述层流控制系统和清洗工艺槽，将清洗液输送至清洗工艺槽的传动系统；使用PLC系统实现远程的系统升级和修复，每个清洗槽位进行独立的控制，提高产品的工艺适应性，故障自动停机功能，避免人工监视设备工作易产生的疏忽，也降低了产品损失的风险，液注入前进行预处理，防止新清洗液的注入对槽中的环境造成影响。
智能全自动半导体清洗装置

[发明专利]机台调机时机械手臂存取晶片相对位置的监测装置及其监测方法-CN201110242744.0有效
发明人：刘涛;程光中;刘刚;储著飞 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2011-08-23 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种机台调机时机械手臂存取晶片相对位置的监测装置，包括检测用晶片和位移感测器，所述位移感测器包括控制器和与所述控制器连接的感测头，所述感测头设置在所述检测用晶片上。本发明在校正机械手臂时，通过将检测用晶片插设于晶片盒中，设定位移感测器对机械手臂偏离范围的上限值和下限值，量化对存取晶片机械手臂的监测，使晶片与机械手臂的相对距离介于预设的范围内，有效地避免观察法带来的人工误差，进而防止机械手臂倾斜或刮伤晶片。
机台机时机械手臂存取晶片相对位置监测装置及其方法

[发明专利]遮蔽装置及具有其的半导体处理设备-CN201110234741.2有效
发明人：文莉辉;窦润江 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-08-16 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提出一种遮蔽装置，包括：遮蔽盘；托盘，用于承载遮蔽盘，且托盘之中设置有至少一个传感器，所述至少一个传感器用于检测遮蔽盘的状态；和转轴，所述转轴与托盘相连以带动托盘在空余位置和遮蔽位置之间移动。本发明还提出一种半导体处理设备。根据本发明的遮蔽装置能够准确检测遮敝盘在水平面上的任何方向上是否发生偏移，同时能够准确检测遮敝盘是否置于托盘上，还能够防止误判的发生。根据本发明的半导体处理设备，防止遮蔽盘错位对设备带来的损害，防止事故的发生，提高设备安全性。
遮蔽装置具有半导体处理设备

[发明专利]通过加工引发的单轴向应变控制介电薄膜内的铁电性-CN201180016493.2有效
发明人： C·A·杜伯尔蒂欧;M·M·弗兰克 -专利权人：国际商业机器公司;国家科研中心
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及通过加工引发的单轴向应变控制介电薄膜内的铁电性。一种控制集成电路设备部件铁电特性的方法，包括在衬底上成形铁电性可控的介电层；并且紧靠铁电性可控的介电层成形应力施加结构，从而通过应力施加结构在铁电性可控的介电层内引发基本单轴向的应变；其中铁电性可控的介电层包括以下中的一个或多个：铁电性氧化物层以及在没有施加应力时不会表现出铁电性质的通常无铁电性的材料层。
通过加工引发轴向应变控制薄膜铁电性

[发明专利]一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式-CN201110228262.X在审
发明人：王守国;贾少霞;赵玲利 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式，由三层隔板组成，喷枪上端为进气口，下端为喷口，周围用金属板密闭，等离子体放电电极由射频电极和接地电极组成，喷枪等离子放电对进气均匀性要求严格，本发明设计的喷枪进气方式以降低气流冲击力为前提，使气体均匀进入喷枪放电缝隙，保证放电均匀稳定，其特征在于：进气方式由三层金属板组成，三层隔板不同位置开缝隙，形成缝隙交错间隔的格局，当工作气体进入喷枪后，先通过第一层隔板，第一层隔板两侧开狭缝，气流在第一层隔板的阻挡下，冲击力下降，并从两侧缝隙流出，第二层隔板中间开狭缝，从第一层隔板进入的工作气体被第二层隔板阻挡，形成涡流，冲击力再次下降，气流流速逐渐均匀，第三层隔板与第一层隔板一样，两侧开狭缝，气流被第三层隔板均匀分流到两侧流出进气系统，进入射频电极与接地电极之间的放电区域。
一种新型常压等离子体自由基清洗喷枪方式

[发明专利]用于静电夹具的匹配的热膨胀系数-CN201180026329.X无效
发明人：威廉·李;阿施文·普鲁黑特 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种用于选择用于形成静电夹持装置的材料的装置和方法。静电夹持装置具有背板，背板具有第一热膨胀系数，其中背板对静电夹持装置提供结构性支撑和刚性。静电夹持装置进一步具有夹持板，夹持板具有与接触工件相关的夹持表面，其中夹持板具有与其相关的第二热膨胀系数。夹持板被结合、连接或生长在背板上，其中夹持板的微小偏转在预定温度范围上是明显的。第一热膨胀系数和第二热膨胀系数例如是大致相似，并且以不大于3的因子变化。
用于静电夹具匹配热膨胀系数