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[发明专利]半导体处理装置及控制方法-CN201110215819.6有效
发明人：温子瑛 -专利权人：无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明揭露了一种半导体处理装置，所述半导体处理装置包括一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室部，所述微腔室部包括具有上腔室内壁的上腔室部和具有下腔室内壁的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部可在一用于装载或移除半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳半导体晶圆的关闭位置之间移动。所述半导体处理装置还包括一驱动装置，所述驱动装置包括若干个驱动器，每个驱动器对应于所述上腔室内壁或者下腔室内壁的部分区域，所述驱动器驱动所述上腔室内壁或者下腔室内壁的对应区域与半导体晶圆间的空隙发生改变，以达到控制所述空隙中处理流体的流动图案的目的。
半导体处理装置控制方法

[发明专利]掀开式半导体处理装置-CN201110215818.1有效
发明人：温子瑛 -专利权人：无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明揭露了一种掀开式半导体处理装置，包括一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的部分边缘通过枢接件枢接，所述上腔室部和所述下腔室部可绕所述枢接件在一用于装载或移除半导体晶圆的打开位置和一用于容纳和处理半导体晶圆的关闭位置之间运动。藉由上述结构，使得本发明中的半导体处理装置获得了相比现有技术中同类装置更小的体积，同时由于节省了材料和部件，也较大幅度降低了成本，使得本半导体处理装置更适合个人或者小型实验室等客户使用。
掀开半导体处理装置

[发明专利]多腔室半导体处理装置-CN201110217259.8有效
发明人：温子瑛 -专利权人：无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明揭露了一种多腔室半导体处理装置，所述多腔室半导体处理装置包括至少两个沿纵向分布的用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，每个微腔室包括形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，每个微腔室的上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和所述下腔室部可沿纵向贯穿所述柱位孔的立柱的导引在一用于装载或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于容纳和处理半导体晶圆的关闭位置之间相对移动。与现有技术相比，本发明中的多腔室半导体处理装置采用立柱导引结构，并在所述立柱上纵向设置多个微腔室。使得所述多腔室半导体处理装置能够同时对多个半导体晶圆进行单晶圆化学处理。
多腔室半导体处理装置

[发明专利]一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪-CN201110200246.X在审
发明人：王守国;赵玲利;贾少霞;韩传宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪，包括两个射频电极、介质阻挡层、三个接地电极和一个射频电源，其特征在于：射频电极和接地电极呈交替阵列排列，形成四个喷口，射频电极由介质阻挡层包裹，工作气体采用氩气和氧气的混合气体，常压下，在射频电极与射频电源连接并且接地电极接地时，在射频电极和接地电极之间击穿氩氧的混合气体，产生辉光等离子体，该喷枪上端接进气口，下端为喷口，四周用金属板密封，电极区产生的高密度等离子体自由基在气流的携带下由喷口向外喷出。
一种新型常压等离子体自由基清洗喷枪

[发明专利]防止机械手臂凝结水滴的装置和方法-CN201110198692.1有效
发明人：邵业明;张伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止机械手臂凝结水滴的装置，包括文丘里管气体加压喷射装置，所述文丘里管气体加压喷射装置设置在机械手臂上，所述文丘里管气体加压喷射装置具有截面变小的气流通道，所述文丘里管气体加压喷射装置将流入其内部的气流进行加速后喷射到机械手臂。同时，本发明还公开了一种防止机械手臂凝结水滴的方法。通过在机械手臂的上方增设内部具有截面突然变小的气流通道的文丘里管气体加压喷射装置，可以利用车间内本身具有的高效空气过滤器出来的较低速度的气流，对其通过文丘里原理进行加速后喷射到所述机械手臂上，实现在不需要额外增加动力设备前提下，将机械手臂上的水汽吹走，既防止机械手臂凝结出水滴，又有效节约了能源。
防止机械手臂凝结水滴装置方法

[发明专利]用于对旨在构成光电电池的硅片进行机械纹理化的装置和方法以及所形成的硅片-CN201180021643.9无效
发明人：让-保罗·加朗代;雅基·邦西永;卢卡·费代尔佐尼;马克·皮罗 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于对用于构成光电（PV）电池的硅片（4）进行纹理化的新的技术方案。可以制造这样的硅片，其表面具有深度在5至50μm之间的均匀雕刻图案。
用于旨在构成光电电池硅片进行机械纹理装置方法以及形成

[发明专利]将光学材料施加到光学元件的系统和方法-CN201180022603.6在审
发明人： M.多诺弗里奥;N.O.肯农 -专利权人：克里公司
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开包括加热光学元件的方法。将光学材料施加到被加热光学元件，以便提供经由被加热光学元件中的热能来固化的共形层。
光学材料施加光学元件系统方法

[发明专利]带温度分布控制的加工方法和装置-CN201080066401.7有效
发明人：艾里克斯·古拉里;米海尔·贝洛索夫;瓦迪姆·波谷斯拉斯基;博扬·米特洛维奇 -专利权人：威科仪器有限公司
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了晶片处理方法和装置，其具有晶片载体（80），用于固定晶片（124）并向晶片与晶片载体之间的间隔（130）内注入填充气体。所述装置设置为可填充气体的成分、流速或同时改变二者，以抵消晶片温度非均匀性的非理想模式。
温度分布控制加工方法装置

[发明专利]具备洁净室功能的手套箱及利用该手套箱的传送系统-CN201080053769.X无效
发明人：金哲永 -专利权人：莫泰克有限公司
申请日： 2011-10-02 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除氧及水分来提供清洁的工序环境的手套箱及利用该手套箱的传送系统，能够提供一种具备洁净室功能的手套箱及利用该手套箱的传送系统，上述手套箱包括：过滤机构（110），设置于在手套箱所具备的工序腔室（B）的上部及下部所设置的上部构造物（A）及下部构造物（C），使工序腔室（B）的内部空气向外部循环而过滤灰尘；静电去除机构（120），设置于上部构造物（A），去除由于灰尘产生的静电；以及腔室机构（130），为了进行工序作业而设置于工序腔室（B）。
具备洁净室功能手套利用传送系统

[发明专利]用于热处理基板的装置-CN201180019194.4无效
发明人： A·卡斯帕瑞;S·汉高;J·特鲁布;S·史蒂勒;M·福范格尔 -专利权人：莱博德光学有限责任公司;法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2011-02-14 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于热处理基板（20）的热处理内腔（3），其具有包围热处理内腔（3）的内部空间（24）的腔壁（10），具有用于在热处理期间支承基板（20）的支承装置（8）及具有用于将能量引入热处理内腔（3）的内部空间（24）中的能量源（11），其中，所述腔壁（10）内侧的至少一部分被构造用于反射由能量源（11）引入的功率，其中规定了，所述腔壁（10）内侧的至少一部分由至少高反射红外线辐射的材料制成。此外，本发明涉及用于热处理基板（20）的热处理内腔（3），其具有包围热处理内腔（3）的内部空间（24）的腔壁（10），具有用于在热处理期间支承基板（20）的支承装置（8）及具有用于将能量引入热处理内腔内部空间（24）中的能量源（11），其中，设有用于冷却所述腔壁（10）的冷却装置（14）。
用于热处理装置

[发明专利]硅片处理装置及其处理方法-CN201110172219.6有效
发明人：李中秋;徐兵;李志丹 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明揭露一种硅片处理装置及其处理方法，用以对硅片进行预对准及边缘曝光。硅片处理装置沿光路包括光源和光学镜头。光学镜头包括滤波片单元，滤波片单元包括预对准用滤波片和曝光用滤波片，预对准用滤波片通过预对准波段的光，曝光用滤波片通过曝光波段的光，预对准用滤波片和曝光用滤波片之一置于工作状态。本发明提出的硅片处理装置，硅片边缘曝光及预对准使用同一光源和同一光学镜头、传感器及硅片旋转台，提高了能量利用率，降低了整套系统的成本，同时也提高了整套系统的可靠性和紧凑性。
硅片处理装置及其方法

[发明专利]一种单晶硅片的超声波清洗装置-CN201110173357.6无效
发明人：倪云达;葛正芳;钱大丰 -专利权人：江苏顺大半导体发展有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片的超声波清洗装置，包括清洗槽和搁置单晶硅片的框架，在清洗槽的侧壁上设有去离子水的进水口和出水口，在清洗槽内腔底部设有超声波振子；所述框架包括石英网格面和支架，所述石英网格面通过支架平置于清洗槽内，且石英网格面低于去离子水水平面并与清洗槽内腔底部存在间距。本发明提供的单晶硅片的超声波清洗装置，结构简单，能够增加单晶硅片清洗后的清洁度，并能够减少用水。
一种单晶硅超声波清洗装置

[发明专利]避免氧化炉管二氯乙烯失效的方法和装置-CN201110157046.0有效
发明人：李春龙;王桂磊;李俊峰;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-11 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种避免氧化炉管二氯乙烯失效的方法和装置，用于确保热氧化生长过程中二氯乙烯通过N2的携带方式正常通入所述氧化炉管内，对于每个含有二氯乙烯的工艺制程，采集其二氯乙烯重量减少的数据，如所述二氯乙烯重量减少的数据在正常值范围内，则说明每次都有足够量的二氯乙烯通进所述氧化炉管内。本发明通过直接监测DCE的重量是否减少来确保DCE送入氧化炉管内，消除了传统技术中通过监测N2的流量而间接地监测DCE是否送入氧化炉管所隐藏的不确定因素，保证了DCE能够有效去除SiO2生长过程的杂质离子，确保了SiO2的薄膜质量。
避免氧化炉管氯乙烯失效方法装置

[发明专利]键合机上的力传感器的安装结构及键合机-CN201110154792.4有效
发明人：李朝军 -专利权人：北京中电科电子装备有限公司
申请日： 2011-06-09 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供的键合机上的力传感器的安装结构，用于安装力传感器，安装结构包括位于键合机的Z向动臂内部的与力传感器的相配合的嵌槽。本发明的键合机，包括Z向动臂和超声波换能器，Z向动臂内部设置有形状与力传感器的形状相配合的嵌槽，力传感器安装于嵌槽内。本发明的键合机上的力传感器的安装结构结构简单、易于安装，力传感器安装于Z向动臂的内部，防止力传感器在使用中受到外界干扰，测量结果更为稳定、精确。本发明的键合机，其上的力传感器的安装结构结构简单、易于安装，力传感器安装于Z向动臂的内部，防止力传感器在使用中受到外界干扰，测量结果更为稳定、精确。
键合机上传感器安装结构键合机

[发明专利]腔体预热方法-CN201110148235.1有效
发明人：陶晟;刘长安;赵强 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种腔体预热方法，该方法包括：提供三片晶控片；使所述三片晶控片按顺序依次进入第一腔体、第二腔体和第三腔体内，对所述第一腔体、第二腔体和第三腔体各进行三次预热。本发明所提供的腔体预热方法，由于采用三片晶控片，并使所述三片晶控片按顺序依次进入第一腔体、第二腔体和第三腔体，因此，当第二片晶控片进入第一腔体时，第二腔体并未处于闲置状态，当第三片晶控片进入第一腔体时，第二腔体和第三腔体均未处于闲置状态，因此，本发明所提供的腔体预热方法可减少第二腔体和第三腔体处于闲置状态的时间，进而可缩短工艺流程时间，提高产量。
预热方法