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[发明专利]一种薄硅片的重新利用方法-CN201410060656.2无效
发明人：肖型奎;陈杰;李显元;唐旭;宋洪伟;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄硅片的重新利用方法，所述的方法步骤为1）选用两片使用过的厚度偏薄的测试硅片，进行常规的再生工艺后，每片都有一个面是抛光面；2）将其中任意一片抛光硅片，热氧化生成SiO₂层，然后使带有氧化层的抛光硅片A正面与另一抛光硅片B的正面两两正对后进行室温键合；或不进行热氧化，直接将两片抛光硅片正面两两对准后进行室温键合；从而获得键合硅片组；3）将步骤2）键合的硅片组放到高温炉中进行退火，得到加固后的硅片组；4）将键合硅片组进行减薄，减薄后的厚度为半导体制造需要的最高厚度加抛光需要去除的损伤层厚度；5）抛光，去除掉表面由于减薄产生的损伤层；6）经过清洗检验合格后送半导体制造工厂作为测试片使用。本发明充分利用了偏薄要欲报废的偏薄硅片，降低了成本。
一种硅片重新利用方法

[发明专利]用于制造用于印刷电路板的Z取向的部件的筛选工艺-CN201280041888.2有效
发明人：保罗·凯文·霍尔;凯斯·布莱恩·哈丁;扎迦利·查尔斯·内森·克拉策;张清 -专利权人：利盟国际有限公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：根据一个示例性实施方案的用于制造用于插入印刷电路板中的安装孔中的Z取向的部件的方法包括把基体材料加入界定Z取向的部件的层的形状的模具中。模具中的基体材料的顶部表面被变平。模具中的基体材料被处理并且Z取向的部件的层被形成。传导性材料被施用于已形成的层的至少一个表面。Z取向的部件被形成为包括包含已形成的层的部件层的堆叠物。
用于制造印刷电路板取向部件筛选工艺

[发明专利]使用从惰性气体形成的亚稳态体的原子层蚀刻-CN201280035911.7有效
发明人：哈梅特·辛格 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于蚀刻原子层的衬底处理系统和方法。所述方法和系统被配置为将第一气体引入所述室，该气体是适合于蚀刻所述层的蚀刻剂气体，且允许所述第一气体存在于所述室中持续足以造成所述第一气体中的至少一些吸附到所述层的一段时间。用惰性气体实质上置换在所述室内的所述第一气体，然后从惰性气体产生亚稳态体以用所述亚稳态体蚀刻层，同时实质上防止所述等离子体带电物质蚀刻所述层。
使用惰性气体形成亚稳态原子蚀刻

[发明专利]一种多顶针芯片剥离装置-CN201310716769.9有效
发明人：陈建魁;尹周平;温雯;付宇;吴沛然 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多顶针芯片剥离装置，包括多顶针主体机构，安装于Z向升降机构上并连接旋转驱动机构，其包括中心顶针和外圈顶针，外圈顶针先接触蓝膜上芯片的外缘实现预顶松，然后中心顶针上升至外圈顶针等高并协作顶起芯片，完成芯片剥离；旋转驱动机构，连接多顶针主体机构，用于先后驱动外圈顶针和中心顶针上升以完成芯片顶起动作；Z向升降机构，安装于三自由度微调对准机构上，停机状态时其处于下降位置，工作状态其处于抬升位置，为顶起芯片做好准备；三自由度微调对准机构，用于对多顶针主体机构进行X、Y和Z向的微调。本发明可实现顶针的快捷更换以及各顶针高度的方便调节，芯片受力均匀，有效减少剥离过程中的芯片失效。
一种顶针芯片剥离装置

[发明专利]干燥方法及干燥装置-CN201210383045.2有效
发明人：谢宏亮;许明棋 -专利权人：辛耘企业股份有限公司
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种干燥方法，其应用于半导体、太阳能、LED等产业工艺中，主要包含高温气体加压步骤、降压步骤、差压循环判断步骤、低压干燥步骤、压力回复步骤及总循环判断步骤，而根据差压循环设定及总循环设定来干燥处理槽中的被干燥物，其中通过重复加热、加压及降压的循环而使被干燥物表面的水分完全被去除；本发明另公开一种干燥装置，用于执行该干燥方法；本发明可达成快速干燥工艺中的被干燥物的目的，并可维持被干燥物的高洁净度。
干燥方法装置

[发明专利]其中一部分暴露在环境下并且带有竖直集成电子器件的气密封MEMS设备-CN201280037056.3有效
发明人：约瑟夫·西格;伊戈尔·切尔科夫;哈桑·阿克约尔;格克森·G·亚拉里奥格鲁;史蒂文·S·纳西里;伊利亚·古林 -专利权人：因文森斯公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在此披露了一种用于为MEMS设备提供集成电子器件的系统和方法。该MEMS设备包括一个集成电路衬底和一个耦联到该集成电路衬底上的MEMS子组件。该集成电路衬底包括耦联到至少一个固定电极上的至少一个电路。该MEMS子组件包括通过平版印刷工艺形成的至少一个压铆螺母柱、一个带有顶面和底面的柔性板、以及一个耦联到该柔性板上并且电耦联到该至少一个压铆螺母柱上的MEMS电极。作用在该柔性板上的一个力引起该MEMS电极与该至少一个固定电极之间的一个间隙的变化。
其中一部分暴露环境并且带有竖直集成电子器件密封 mems 设备

[发明专利]将光学透镜附接到带有电子光源的印刷电路板的方法-CN201280023404.1无效
发明人： D.卡托尼;J.D.哈曼 -专利权人：萨特－R－盾公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED组件和用于通过施涂包括硅树脂或环氧树脂的粘合剂并在低温下热固化粘合剂材料来附接光学透镜到具有电子光源的印刷电路板的方法，电子光源例如是LED或OLED。
光学透镜接到带有电子光源印刷电路板方法

[发明专利]一种自组装形成尺寸可控的硅纳米晶薄膜的制备方法-CN201310694281.0有效
发明人：畅庚榕;马飞;徐可为;韩婷 -专利权人：西安文理学院
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种自组装形成尺寸可控的硅纳米晶薄膜的制备方法，主要步骤如下：首先，镀膜前预处理后利用Ar离子对Si靶和C靶进行磁控共溅射，调整Si和C靶的溅射功率，在硅和玻璃基体上交替沉积多层结构的非晶硅/碳薄膜；然后，在氮气气氛中分阶段退火，形成α-SiC/nc-Si多层结构薄膜。此类薄膜形成的硅纳米晶尺寸在2-10nm范围内可控，同时硅纳米晶的密度亦可控，此尺寸范围的硅纳米晶的光学带隙在2.7-1.8eV范围内可控改变。本发明超晶格结构Si/C多层薄膜形成尺寸和密度可控的硅纳米晶，进而调整其吸收光谱范围，并显著提高所用材料光电转换效率。此类薄膜有望大幅提高硅基光伏器件的光吸收范围和光电转换效率。
一种组装形成尺寸可控纳米薄膜制备方法

[发明专利]粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置-CN201310385311.X在审
发明人：金岛安治;长谷幸敏;村山拓;山本雅之 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置。将比用于构成腔室的成对的罩的外形大的粘合带粘贴于该成对的罩中的下罩上的用于成对的罩接合的接合部，该下罩与上罩一起夹住该粘合带而构成腔室之后，一边使靠以与该粘合带的粘合面接近并相对的方式配置的晶圆的一侧的空间的气压低于另一个空间的气压，一边将该粘合带粘贴于晶圆。通过加压构件的扁平面来对粘贴于晶圆的电路形成面上的粘合带的表面进行加压而使其平坦化。根据该晶圆的电路状态和粘合带的特性选择性地进行粘合带表面的加压处理。
粘合粘贴方法装置

[发明专利]粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置-CN201310388691.2在审
发明人：奥野长平;山本雅之 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供粘合带粘贴方法和粘合带粘贴装置。在自宽度大于环形框的外形的宽度的带状的粘合带的长度方向和宽度方向对粘合带施加了张力的状态下，将粘合带粘贴于该环形框。利用成对的罩将环形框与半导体晶圆的之间的粘合带夹住而形成腔室，将由该粘合带（T）分隔成的、容纳有晶圆的一侧的空间减压至低于另一个空间的气压，从而将粘合带（T）粘贴于晶圆的形成于晶圆外周的环状凸部和该环状凸部的内侧的扁平面。
粘合粘贴方法装置

[实用新型]二极管/三极管外观不良品回收系统-CN201320628730.7有效
发明人：黄职彬 -专利权人：四川蓝彩电子科技有限公司
申请日： 2013-10-12 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二极管/三极管外观不良品回收系统，底座（1）上设有X向导轨（2），传送装置（4）上放置编带（5），回收装置（3）包括固定板（3.1），固定板（3.1）在驱动电机A的驱动下沿着X向导轨（2）滑行，固定板（3.1）一端设有立板（3.2），立板（3.2）上设有Z向导轨（3.3），竖杆（3.4）在驱动电机B的驱动下沿Z向导轨（3.3）滑行，竖杆（3.4）的上端通过横杆（3.5）连接机械手（3.6），摄像头（8）的输出与上位机（9）相连，上位机（9）的输出分别与驱动电机A和驱动电机B连接。本实用新的检测和回收由上位机自动控制，能够减少人工操作，对不良品进行集中回收，避免与合格品混合。
二极管三极管外观不良回收系统

[发明专利]用于使产品衬底与载体衬底脱离的设备和方法-CN201180011757.5有效
发明人： F.P.林德纳;J.布格拉夫 -专利权人： EV集团有限责任公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：用于借助如下装置使产品衬底与通过连接层同该产品衬底连接的载体衬底脱离的设备：膜框架；与该膜框架连接的柔性膜，所述柔性膜在膜的接触面区段中具有用于容纳产品衬底的粘结层，其中该膜在膜的围绕接触面区段的附着区段中与膜框架连接；以及通过膜框架和膜形成的、尤其是容积变化的用于容纳用于分离连接层的溶剂的储溶剂器，其中产品衬底和连接层可被容纳在该储溶剂器中；和用于将溶剂引入储溶剂器中的引入装置以及用于使产品衬底与载体衬底脱离的脱离装置。此外，本发明还涉及一种用于通过如下方式来使产品衬底与和产品衬底脱离的方法：构造通过膜框架和与膜框架连接的柔性膜形成的用于容纳用于分离连接层的溶剂的储溶剂器，以及将产品衬底和连接层容纳在储溶剂器中以及将溶剂引入储溶剂器中并且使产品衬底与载体衬底脱离。
用于产品衬底载体脱离设备方法

[发明专利]蚀刻设备和方法-CN201310357603.2有效
发明人： K.皮尔希 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了蚀刻设备和方法。向工件供给蚀刻剂。此外，利用经空间调制的光来照射工件，以在供给蚀刻剂的同时调节所述工件的温度分布。
蚀刻设备方法

[发明专利]用于处理晶片状物件的表面的装置-CN201280026920.X有效
发明人：奥托·洛奇;乌尔里奇·塔辛德勒;马库斯·容克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于晶片状物件的液体处理的装置，其包括封闭处理室和位于所述封闭处理室内的环形卡盘。所述环形卡盘适于在没有物理接触的情况下通过磁轴承进行驱动。磁定子围绕所述封闭处理室。所述封闭处理室具有在晶片状物件的液体处理过程中位于所述环形卡盘和所述磁定子之间的圆柱形壁。多种结构被提供来防止处理液体向上流入限定在所述环形卡盘和所述圆柱形壁之间的间隙中。
用于处理晶片物件表面装置

[发明专利]基板的粘结及分离的方法-CN201310558036.7有效
发明人：孙硕阳;黄婉真;林威廷;郑君丞 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种基板的粘结及分离的方法，包含以下步骤：提供基板；形成第一硅胶层于基板的离型区以及形成第二硅胶层于基板的周边区，其中，第一硅胶层及第二硅胶层分别包含相同的硅胶主剂以及相同的硅胶硬化剂，且第一硅胶层的硅胶主剂与硅胶硬化剂的体积比为约12∶1至约15∶1，第二硅胶层的硅胶主剂与硅胶硬化剂的体积比为约1∶1至约5∶1；贴合对向基板至第一硅胶层及第二硅胶层；固化第一硅胶层及第二硅胶层，以粘结基板与对向基板；以及将基板的一部分与对向基板分离。
粘结分离方法