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[发明专利]Pt-氧化物系溅射靶和垂直磁记录介质-CN202180034320.7在审
发明人：金光谭;镰田知成;栉引了辅 -专利权人：田中贵金属工业株式会社
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供磁晶各向异性常数Ku和矫顽力Hc高的磁记录介质以及用于制造该磁记录介质的溅射靶。一种Pt‑氧化物系溅射靶，其是由60体积％以上且小于100体积％的Pt基合金相和大于0体积％且40体积％以下的氧化物构成的Pt‑氧化物系溅射靶，其特征在于，Pt基合金相含有50原子％以上且100原子％以下的Pt。
pt 氧化物溅射垂直记录介质

[发明专利]面内磁化膜多层结构、硬偏置层和磁阻效应元件-CN202180031697.7在审
发明人：栉引了辅;金光谭;镰田知成 -专利权人：田中贵金属工业株式会社
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明提供能够在不进行加热成膜的情况下实现矫顽力Hc为2.00kOe以上且每单位面积的剩磁Mrt为2.00memu/cm2以上的磁性能的面内磁化膜多层结构。该面内磁化膜多层结构是作为磁阻效应元件(20)的硬偏置层(22)使用的面内磁化膜多层结构(10)，其中，具有两个以上面内磁化膜(12)和非磁性中间层(14)，非磁性中间层(14)配置在面内磁化膜(12)彼此之间，并且，夹着非磁性中间层(14)相邻的面内磁化膜(12)彼此进行了铁磁性耦合，面内磁化膜(12)含有金属Co和金属Pt，相对于面内磁化膜(12)的金属成分的合计，含有45原子％以上且80原子％以下的金属Co，含有20原子％以上且55原子％以下的金属Pt，两个以上面内磁化膜(12)的合计厚度为30nm以上。
磁化多层结构偏置磁阻效应元件

[发明专利]面内磁化膜、面内磁化膜多层结构、硬偏置层、磁阻效应元件和溅射靶-CN202180031695.8在审
发明人：栉引了辅;金光谭;镰田知成 -专利权人：田中贵金属工业株式会社
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供能够在不进行加热成膜的情况下实现矫顽力Hc为2.00kOe以上且每单位面积的剩磁Mrt为2.00memu/cm2以上的磁性能的面内磁化膜。该面内磁化膜是作为磁阻效应元件(12)的硬偏置层(14)使用的面内磁化膜，其中，含有金属Co、金属Pt和氧化物，厚度为20nm以上且80nm以下，相对于该面内磁化膜的金属成分的合计，含有45原子％以上且80原子％以下的金属Co，含有20原子％以上且55原子％以下的金属Pt，相对于该面内磁化膜的整体，含有3体积％以上且25体积％以下的上述氧化物，该面内磁化膜的磁性晶粒的面内方向的平均粒径为15nm以上且30nm以下。
磁化多层结构偏置磁阻效应元件溅射

[发明专利]垂直磁记录介质-CN201980083935.1有效
发明人：谭金光;镰田知成;栉引了辅;齐藤伸 -专利权人：田中贵金属工业株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11B5/64 文献下载
摘要：本发明提供具备特性(使垂直磁记录介质的热稳定性提高并且使开关磁场减弱的特性)比现有的帽层更优良的帽层从而实现了热稳定性的提高和开关磁场的减弱的垂直磁记录介质。垂直磁记录层(24)具有包含CoPt合金磁性晶粒(24A)和非磁性晶界氧化物(24B)的颗粒结构，帽层(26)具有包含CoPt合金磁性晶粒(26A)和磁性晶界氧化物(26B)的颗粒结构，帽层(26)的CoPt合金磁性晶粒(26A)含有65原子％以上且90原子％以下的Co、10原子％以上且35原子％以下的Pt，磁性晶界氧化物(26B)相对于帽层(26)整体的体积分数为5体积％以上且40体积％以下。
垂直记录介质

[发明专利]磁记录介质用溅射靶-CN201980030501.5有效
发明人： 镰田知成;栉引了辅;金光谭;齐藤伸 -专利权人：田中贵金属工业株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G11B5/851 文献下载
摘要：为了进一步高容量化，提供能够制作提高单轴磁各向异性、降低晶粒间交换耦合、提高热稳定性和SNR(信噪比)的磁性薄膜的磁记录介质用溅射靶。一种磁记录介质用溅射靶，其包含由选自Cu和Ni中的至少一种以上、Pt、作为余量的Co和不可避免的杂质构成的金属相以及至少含有B2O3的氧化物相。
记录介质溅射

[发明专利]溅射靶-CN201980023830.7在审
发明人：金光谭;栉引了辅;镰田知成;青野雅广;石桥毅之;沼崎健志;齐藤伸 -专利权人：田中贵金属工业株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供可以在使磁记录层颗粒膜层叠于Ru基底层的上方的情况下能够使磁记录层颗粒膜中的磁性晶粒彼此良好地分离的缓冲层的形成中使用的溅射靶。一种含有金属和氧化物的溅射靶，其中，所含有的所述金属在使其整体为单一的金属时成为含有hcp结构的非磁性金属，该非磁性金属中含有的所述hcp结构的晶格常数a为以上且以下，并且，所含有的所述金属中含有相对于该金属的整体为4原子％以上的金属Ru，并且，含有20体积％以上且50体积％以下的所述氧化物，所含有的所述氧化物的熔点为1700℃以上。
溅射