[发明专利]含能MOFs薄膜半导体桥及其制备方法有效
| 申请号： | 201710741380.8 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107631664B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 张文超;王嘉鑫;郑子龙;俞春培;秦志春;田桂蓉;叶家海 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | F42B3/13 | 分类号： | F42B3/13;F42B3/198;B82Y30/00;B05D1/02 |
| 代理公司： | 32203 南京理工大学专利中心 | 代理人： | 刘海霞 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种含能MOFs薄膜半导体桥及其制备方法。所述的含能MOFs薄膜半导体桥采用纳米喷涂的方法将MOFs组装到半导体桥芯片表面形成MOFs薄膜制得，具体是配置硝酸钴的乙醇溶液以及3‑硝基‑1H‑1,2,4‑三唑的乙醇溶液，采用纳米喷涂方法将硝酸钴溶液，3‑硝基‑1H‑1,2,4‑三唑溶液以及乙醇依次循环喷涂在半导体桥芯片上，干燥后半导体桥芯片上得到一层含能MOFs薄膜。本发明的含能MOFs薄膜半导体桥通过增添的含能MOFs薄膜能够在点火过程中产生高温等离子体与高温飞溅物的复合火焰，提高输出能量并且增加对一些对等离子体不敏感的药剂，如斯蒂芬酸铅和叠氮化铅的点火能力，具有高发火能量、低感度，高安全性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜半导体 半导体桥 薄膜 纳米喷涂 乙醇溶液 三唑 硝基 等离子体 芯片 高温等离子体 硝酸钴溶液 点火过程 点火能力 发火能量 复合火焰 高安全性 输出能量 芯片表面 循环喷涂 不敏感 低感度 叠氮化 飞溅物 硝酸钴 乙醇 酸铅 制备 组装 配置 | ||
【主权项】：
1.含能MOFs薄膜半导体桥的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1，以乙醇为溶剂，分别配置浓度为0.1～2mmol/L的硝酸钴溶液和浓度为0.1～0.8mmol/L的3-硝基-1H-1,2,4-三唑溶液；/n步骤2，采用纳米喷涂方式，依次循环将硝酸钴溶液与3-硝基-1H-1,2,4-三唑溶液喷涂在半导体桥上，每次循环后，乙醇喷涂，去除未反应物质，在半导体桥芯片表面自组装MOFs薄膜，得到含能MOFs薄膜半导体桥，所述的MOFs薄膜为基于配体3-硝基-1H-1,2,4-三唑的含能[Co(ntz)]
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学，未经南京理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710741380.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 含能MOFs薄膜半导体桥及其制备方法-201710741380.8
- 张文超;王嘉鑫;郑子龙;俞春培;秦志春;田桂蓉;叶家海 - 南京理工大学
- 2017-08-25 - 2019-12-27 - F42B3/13
- 本发明公开了一种含能MOFs薄膜半导体桥及其制备方法。所述的含能MOFs薄膜半导体桥采用纳米喷涂的方法将MOFs组装到半导体桥芯片表面形成MOFs薄膜制得，具体是配置硝酸钴的乙醇溶液以及3‑硝基‑1H‑1,2,4‑三唑的乙醇溶液，采用纳米喷涂方法将硝酸钴溶液，3‑硝基‑1H‑1,2,4‑三唑溶液以及乙醇依次循环喷涂在半导体桥芯片上，干燥后半导体桥芯片上得到一层含能MOFs薄膜。本发明的含能MOFs薄膜半导体桥通过增添的含能MOFs薄膜能够在点火过程中产生高温等离子体与高温飞溅物的复合火焰，提高输出能量并且增加对一些对等离子体不敏感的药剂，如斯蒂芬酸铅和叠氮化铅的点火能力，具有高发火能量、低感度，高安全性的优点。
- 专利分类
