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[发明专利]Li9-CN202211408077.3在审
发明人：赵三根;罗军华;宋一鹏 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种Li9Na3Cs2(SO4)7化合物、非线性光学晶体、和Li9Na3Cs2(SO4)7晶体用于制作非线性光学器件的用途。所述化合物采用熔盐法制备，分子量为1069.69，属于三方晶系，空间群为P3，晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝120°，Z＝3；其具有短的紫外吸收截止边，约为160nm、适中的非线性光学效应，约为商业化非线性光学晶体KDP的0.5倍左右、易于制备、物理化学性能稳定等优点；该晶体可用于制作非线性光学器件；本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中，例如激光致盲武器、光盘记录、图像处理、光信号处理和光纤通讯等。
li base sub

[发明专利]K4-CN202111256686.7有效
发明人：罗军华;赵三根;刘有超 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种K4(HC3N3S3)2·H2O化合物、K4(HC3N3S3)2·H2O晶体的制备方法和K4(HC3N3S3)2·H2O晶体的用途。所述化合物分子量为515.37，属于正交晶系，空间群为P21212，晶胞参数为单胞体积为晶体的倍频效应约为KH2PO4(KDP)的10.8倍，紫外截止边为406nm，双折射率为0.402@550nm。采用水溶液蒸发法生长该晶体。本发明有如下有益效果：晶体生长速度较快、原料成本低、生长耗能低、易于获得较大尺寸晶体等优点。
base sub

[发明专利]一种具有铁电性的深紫外透明硫酸盐晶体及光学器件-CN202111275110.5有效
发明人：龙西法;沙洪源;王祖建;苏榕冰;何超;杨晓明 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供一种具有铁电性的深紫外透明硫酸盐晶体及光学器件。所述硫酸盐晶体的化学式为MxM′yM″z(SO4)(x/2+y/2+z/2)，M选自碱金属，M′选自碱金属或铵根离子，M″选自碱金属或铵根离子；x≥1，y≥1，z≥0。利用电场对硫酸盐晶体进行周期极化，得到准相位匹配光学器件。
一种具有铁电性深紫透明硫酸盐晶体光学器件

[发明专利]一种SnSe2-CN202210350394.8有效
发明人：芦宏;杨闻涛;蘧延庆;贾宏葛;闫尔云;董美伶;耿国梁;王文强 -专利权人：齐齐哈尔大学
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种SnSe2单晶的制备方法，包括如下步骤：彻底清洗石英管，将其置于恒温干燥箱中干燥后，自然冷却至室温，装入高纯Sn粒、Se粒与碘颗粒；抽真空至真空度≤0.01Pa，再向其中通入高纯氩气至1000Pa，重复操作两次；在管内压强500～3000Pa的氩气保护下，将石英管密封；将已密封的石英管平放于小型箱式炉中，由室温升温至最高温，并保持48～144h后，以2～5℃/min的降温速率将炉膛温度降至300℃后，自然冷却至室温，即获得SnSe2单晶。本发明生长出来的SnSe2单晶取向性强，便于剥离；无杂质、少缺陷；大片、高质量；并且所需设备简单、能耗更低、操作便捷，同时制备周期短。
一种 snse base sub

[发明专利]一种高纯碲化镓多晶合成生产装置-CN202110777597.0有效
发明人：卢鹏荐;曾小龙;张林;范晨光;夏文俊;胡振权;范小志 -专利权人：武汉拓材科技有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯碲化镓多晶合成生产装置，具体涉及半导体材料制备技术领域，包括生产底座，所述生产底座上表面的四角处均固定连接有固定支架，且四个固定支架的相对面通过销轴分别与四个限位框架相远离的一面固定连接，且四个限位框架相对面的一端通过销轴与同一个石英帽的外表面活动连接，所述石英帽的下表面设置有密封圈。本发明通过设置限位框架、石英管、石英帽和滑轮，由于限位套固定在石英帽的表面，使得移动石英帽的过程中，石英帽不易出现脱落的情况，且工作人员可以方便的对石英帽进行安装和拆卸，使得工作人员无需反复切割更换石英帽以及石英管，保障了石英管和石英帽的使用寿命，进而提高了该生产装置的环保性。
一种高纯碲化镓多晶合成生产装置

[发明专利]一种具有反常霍尔效应的材料及其制备方法和应用-CN202110581606.9有效
发明人：刘恩克;申建雷;王文洪;郗学奎;吴光恒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供一种具有反常霍尔效应的材料及其制备方法和应用，其化学式为：Co3‑aXaSn2‑bYbS2‑cZc，其中，X选自Cu、Ni、Fe、Mn、Cr、V和Ti中的一种或多种，Y选自Al、Ga、In、Si、Ge、Pb和Sb中的一种或多种，Z选自Se、Te和P中的一种或多种，0≤a≤2，0≤b≤2，0≤c≤2，并且0a+b+c6，其中，当X为Ni时，b和c不同时为0；当Y为In时，a和c不同时为0；当Z为Se时，a和b不同时为0。本发明提供的材料是一系列不同元素取代的磁性外尔半金属，通过各种机制可实现该类材料的反常霍尔参数的优化和连续可调。其中，横向电流转换效率即反常霍尔角比常规的磁性材料高1‑2个数量级。因此该材料在磁性传感器、磁随机储存器、自旋转移力矩等自旋电子学器件方面有广泛的应用前景。
一种具有反常霍尔效应材料及其制备方法应用

[发明专利]一种Sb2-CN202211329829.7在审
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明属于合金材料制备技术领域，公开了一种Sb2Se3合金的制备方法。所述制备方法为：分别将Sb块和Se块放入石英反应器的第一腔体和第二腔体，第一腔体和第二腔体通过隔板隔开并通过一石英管道连通，惰性气体保护下，将第一腔体升温至660～700℃使Sb熔化，然后将第二腔体升温至250～300℃使Se熔化，再将石英管道部分升温至250～300℃，通过倾斜石英反应器使第二腔体内的Se液通过石英管道流入第一腔体中与Sb液进行保温反应；待Se液全部流入第一腔体后，将管式炉立起来后进行摇摆均匀化处理，得到Sb2Se3合金。本发明方法可有效避免Se在高温下的挥发，提高产率和组分均匀性。
一种 sb base sub

[发明专利]一种二维α相硒化铟的生长方法-CN202211461709.2在审
发明人：王广;周溯媛;祁祥 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维α相硒化铟的生长方法，以硒化铟为靶材，加热，在目标温度下通入保护气体和氢气的混合气体，进行化学气相沉积，将硒化铟沉积在衬底上，得到二维α相硒化铟；所述目标温度为800‑900℃，在加热过程中，从衬底向靶材通入保护气体；本申请在加热升温阶段采用逆向气流，逆向气流可以很好地避免在升温过程中过早出现化合物生长成核，可以使其更容易获得大面积的原子级薄膜，α相硒化铟的生长质量较好，表面平整度更高，在整个过程中气流方向可以随时切换，操作较为简便；采用本申请的方案，可以调整反应参数，比如气流速度、沉积时间等，调节α相硒化铟的生长，改变生长层厚及尺寸等，满足产品的各种需要。
一种二维相硒化铟生长方法

[发明专利]一种辅助生长硒氧化铋薄膜的方法-CN202210955942.X在审
发明人：张甲;任宣羽;葛传洋;李宇阳;孙洪安 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种辅助生长硒氧化铋薄膜的方法，包括如下步骤：步骤一、以铋氧硒固体粉末为生长原材料，硒化铋片为辅助材料，生长时将所述生长原材料置于管式炉中心，辅助材料置于生长原材料上游，基底置于下游；步骤二、先向管式炉内通入初始气流量并对基底进行加热，移动炉子加热生长原材料，调节气流量，使用低流量进行形核，达到预设沉积温度后，再使用大气流量在所述沉积温度下保温生长，沉积完毕后，得到层状铋氧硒半导体薄膜。本发明提供的气流量调控硒化铋辅助生长法制备层状铋氧硒半导体薄膜的方法是一种可控制备大面积层状铋氧硒半导体薄膜的方法，在较低温下使用较低的气流量，可以减少形核，更利于生长。
一种辅助生长氧化薄膜方法

[发明专利]一种代磷酸盐单晶材料的制备方法-CN202210116726.6有效
发明人：李千;杜子婉;杨祎罡;赖雨轩 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本申请提供了一种代磷酸盐单晶材料的制备方法，包括以下步骤：1)将代磷酸盐多晶材料置于密封容器中，并抽真空；2)将含有所述代磷酸盐多晶材料的所述密封容器在旋转状态下加热，使得所述代磷酸盐多晶材料完全熔融；3)将完全熔融的代磷酸盐多晶材料在步骤2)所述的旋转状态下降温生长晶体；当所述晶体生长结束后，即得所述代磷酸盐单晶材料；所述密封容器为抗Li侵蚀的容器。通过本申请提供的生长方法和设备，突破了化学气相传输法生长代磷酸盐单晶材料的尺寸限制，并可进一步通过设计坩埚尺寸对块体单晶进行尺寸调控。
一种磷酸盐材料制备方法

[发明专利]类金刚石网格结构的红外非线性光学晶体、其制备方法与用途-CN202111039955.4在审
发明人：林华;朱起龙;陈蔓蔓;吴新涛 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明属于无机非线性光学材料技术领域，具体公开了一种类金刚石网格结构的红外非线性光学晶体、其制备方法与用途。本发明的光学该晶体的分子式为：ACd3Ga5S11；其中，A为碱金属元素，所述碱金属元素选自K，Rb或Cs，其晶体结构属于正交晶系，空间群为Pna21。本发明的光学晶体具有优良的二阶非线性光学性质，在红外波段能够实现相位匹配，较宽的透光范围，强的红外倍频响应，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的2‑3倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的35‑40倍，在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要应用价值，尤其是用于红外探测器和红外激光器。
金刚石网格结构红外非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]一种四元锰基的红外非线性光学晶体、其制备方法与用途-CN202111039974.7在审
发明人：林华;朱起龙;陈蔓蔓;吴新涛 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明属于无机非线性光学晶体材料技术领域，具体公开了一种四元锰基的红外非线性光学晶体、其制备方法与用途。本发明的光学晶体的分子式为AMn3Ga5S11；其中，A为碱金属元素，所述碱金属元素选自K，Rb或Cs，其晶体结构属于单斜晶系，空间群为Pc。本发明的光学晶体具有优良的二阶非线性光学性质，在红外波段能够实现相位匹配，具有宽的光学带隙(Eg3.0eV)，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的0.8‑1.5倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的30‑35倍，在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要应用价值，尤其是用于红外探测器和红外激光器。
一种四元锰基红外非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]一种非线性光学晶体碘亚硒酸铋及其制备方法和应用-CN202211453015.4在审
发明人：耿磊 -专利权人：曲阜师范大学
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种非线性光学晶体碘亚硒酸铋及其制备方法和应用，非线性光学晶体碘亚硒酸铋化学式为BiSeIO6，为正交晶系，空间群为Pna2(1)，晶胞参数为a=7.115Å，b=11.335Å，c=6.717Å，V=541.67Å3；将铋源、碘源、硒源按照铋元素、碘元素、硒元素摩尔比1~1.2:1~1.2:1~1.2的比例混合，于150~250℃下水热反应24小时以上，得非线性光学晶体碘亚硒酸铋。本发明中的非线性光学晶体碘亚硒酸铋在激光频率变换设备中的应用。具有强的倍频效应，在1064nm脉冲激光泵浦下产生的粉末倍频强度为同等条件下磷酸二氢钾（KDP）的6倍，并且可以实现I类相位匹配，有利于激光器件的调试和高效率的激光变频应用。
一种非线性光学晶体碘亚硒酸铋及其制备方法应用

[发明专利]一种高长径比碱式硫酸镁晶须及其制备方法-CN202111416758.X有效
发明人：方莉;张少博;程文婷;程芳琴 -专利权人：山西大学
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明属于无机功能材料技术领域，具体公开了一种高长径比碱式硫酸镁晶须及其制备方法，包括以下步骤：将氢氧化钠溶液缓慢滴加到氯化镁溶液中，恒温下进行溶胶凝胶反应，得到氢氧化镁溶胶；将硫酸镁溶解于乙醇‑水溶液中，配置成硫酸镁醇水溶液；将乙二胺四乙酸钠加入硫酸镁醇水溶液中，搅拌溶解；将得到的氢氧化镁溶胶与硫酸镁醇水溶液混合并搅拌均匀，得到碱式硫酸镁晶须前驱体；快速转移到高压反应釜中，进行水热晶化反应，然后冷却至室温，经抽滤、洗涤、干燥，得到碱式硫酸镁晶须产物。本发明制备的碱式硫酸镁晶须具有结晶度好、长径比高、分散性好等优点，晶须产率可达90％，长度可达500～1000μm，长径比达150～300以上，可应用于多种阻燃高分子材料中。
一种长径硫酸镁及其制备方法

[发明专利]一种硫酸钙晶须及其制备方法-CN202110991996.7在审
发明人：孙晓灵;杨晨;谢勇;刘修才 -专利权人：上海凯赛生物技术股份有限公司;CIBT美国公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及生物发酵液中材料的技术领域，公开了一种硫酸钙晶须及其制备方法，该方法包括：(1)采用第一萃取体系对第一溶液进行第一萃取处理，得到第一水溶液和第一有机溶液，所述第一萃取处理使得所述第一溶液中的至少一部分金属离子被萃取到所述第一有机溶液中；(2)向所述第一有机溶液中加入硫酸反应，然后经过滤、洗涤和干燥得到硫酸钙晶须；其中，所述第一溶液包括乳酸发酵液和/或乳酸发酵处理液。本发明通过使用合适的萃取体系将钙离子从乳酸发酵液或乳酸发酵处理液中萃取出来，并对萃取相通过调控的硫酸酸解工艺，一步获得纯度高、质量好的硫酸钙晶须。
一种硫酸钙及其制备方法