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[发明专利]一种新型高迁移率超薄层状Bi3-CN202310506754.3在审
发明人：吴金雄;何育彧;王兵;刘俊豪 -专利权人：南开大学
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高迁移率超薄层状Bi3O2.5Se2半导体薄膜及其制备方法，属于二维半导体材料领域。该超薄层状Bi3O2.5Se2半导体薄膜的制备方法是以Se粉末和Bi2O3粉末为原料，以氩气和微量氢气为载气，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述超薄层Bi3O2.5Se2半导体单晶薄膜。该方法经济、简单、易行，所得单晶纳米薄膜不仅厚度可控、晶体质量好，在微电子学领域具有重要研究价值。
一种新型迁移率超薄层状 bi base sub

[发明专利]一种Bi2-CN202310555485.X在审
发明人：田睿;尹文静;王钟;吴国庆;张金波;曹荣幸 -专利权人：扬州大学
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种Bi2Te3基拓扑材料MBT的单晶制备方法，首先按照Mo：Bi：Te＝0.3:2:3的原子量比计算出Mo、Bi、Te三种初始固体粉末原料所需质量后进行称重，将这三种粉末混合充分，然后利用高压压片机进行压片；然后将压完的样品圆片放入石英管中进行真空封管；再将石英管放入双温区管式炉中进行高温加热，经过一段时间的加热后取出样品放入冰水混合物中进行淬火，得到MBT的单晶样品。本发明通过调节材料的烧结温度、温度梯度参数，有效控制原料的固体化学反应、高温下流体间的物相传输，从而制备出成品量高、纯度高的MBT单晶。此方法相对简单，生产成本较低，制备的MBT单晶具有高产量、高纯度的优点。
一种 bi base sub

[发明专利]一种基于分子束外延生长的碲化钼的方法-CN202310576616.2在审
发明人：王笑;赵海鹏;潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于分子束外延生长的碲化钼的方法。将钼源和碲源分别置于不同的蒸发源内，蒸发的碲、钼原子在超高真空环境中沉积于表面处理后的Au（111）衬底表面，即得；所述钼原子的沉积速率为0.015~0.03ML/min，所述碲原子与钼原子的沉积速率比为18~25：1；所述Au（111）衬底的表面温度为265~285℃。该方法基于各过程间的协同控制，通过控制原料的沉积速率和衬底的表面温度可控合成单层1T′相碲化钼单晶；基于本发明所提供的技术方案所得的单层1T′相碲化钼单晶尺寸可达微米级，且所得晶体缺陷少，结晶质量高，无1H等杂相的混合，可满足高能低耗电子学器件制备的性能要求。
一种基于分子外延生长碲化钼方法

[发明专利]一水合硝酸氨基磺酸锶非线性光学晶体及其制备方法和用途-CN202310358393.2在审
发明人：郝霞;叶宁;罗敏;上官恩波 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一水合硝酸氨基磺酸锶非线性光学晶体及其制备方法和用途，一水合硝酸氨基磺酸锶非线性光学晶体的化学式为Sr(NH2SO3)2(NO3)·H2O，晶体结构属于正交晶系，空间群为Pca21，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4，单胞体积为本发明还公开了该晶体的制备方法及其在光学器件中的用途。本发明制得的Sr(NH2SO3)2(NO3)·H2O非线性光学晶体无色透明、不潮解、化学稳定性好，其粉末倍频效应为KH2PO4的5.2倍，因此有望在各种非线性光学领域中获得广泛应用。
水合硝酸氨基磺酸锶非线性光学晶体及其制备方法用途

[发明专利]一种有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法-CN202310008003.9有效
发明人：张跃;刘一禾;张铮;张先坤;于慧慧;高丽;李瑞山;姜鹤 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法，涉及晶圆级过渡金属硫化物制备技术领域。方法包括以下步骤：将过渡族金属源与有机黏着剂溶于溶剂中，得到溶液；将所述溶液涂覆于基底表面后烘干，得到前驱体；将所述前驱体在含有VIA族元素反应源的气氛中进行退火处理，得到晶圆级过渡金属硫化物。本发明克服MOCVD生长晶圆级多层TMDCs材料的限制以及过渡金属源选择性的问题，提供了一个绿色、低成本、适用范围广、重复性高的层数可控的晶圆级二维TMDCs材料合成策略。相对于MOCVD方法，本发明有机溶液辅助的晶圆级过渡金属硫化物的生长方法(OACVD)更适用于生长单层至多层不同厚度的TMDCs材料。
一种有机溶液辅助晶圆级过渡金属硫化物生长方法

[发明专利]一种氟代铈基硫酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用-CN202310405281.8在审
发明人：张弛;吴天辉;吴超 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种氟代铈基硫酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用，该晶体材料的化学式为Ce3F4(SO4)4，分子量为880.60，属于单斜晶系，其空间群为C2，晶胞参数为α＝90°，β＝96.67°～96.87°，γ＝90°，Z＝2，晶胞体积为本发明的晶体Ce3F4(SO4)4在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的1.0倍，且在1064nm激光照射下能实现相位匹配,表明其在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
一种氟代铈基硫酸盐非线性光学晶体材料及其制备应用

[发明专利]碲化物单晶的制备方法-CN202310428714.1在审
发明人：邱海龙;刘建英;赵博进;胡章贵;吴以成 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲化物单晶的制备方法，将金属源、碲源、输运剂放入石英管中，将石英管密封完全之后放入两区炉中进行高温加热并保温；所述金属源为片状、粉末状的金属钽；碲源包括碲粉末；输送剂是碘单质与四氯化碲的混合物；所述高温加热及保温程序为高温端升温至800‑850℃后保温25‑35h，随后升至1000‑1050℃后保温5‑7天；低温端升温至850‑900℃后保温，随后自然降温至室温。本发明利用混合输运剂增加输运剂的输运能力，并降低了反应温度。利用提前预热的方法反应物在反应前充分的融合促进碲化物的生长，较为方便的合成大尺寸碲化物晶体，制备出的晶体尺寸在1至2厘米，具有良好的结晶性。
碲化物单晶制备方法

[发明专利]一种厘米级单晶单层的MoS2-CN202310543438.3在审
发明人：郑弼元;李东;潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种厘米级单晶单层的MoS2薄膜及其快速制备方法，将C/A‑蓝宝石衬底与Mo源置于管式炉的中心区，其中C/A‑蓝宝石衬底位于相比Mo源更靠近管式炉的上游的位置，且C/A‑蓝宝石衬底与Mo源的间距≤3cm，将S源置于管式炉的上游，然后通过化学气相沉积即得MoS2薄膜，所述Mo源由Mo箔以及夹在两片Mo箔中间的混合粉末组成，所述混合粉末由MoO3粉与NaCl粉组成。本发明只需2min左右生长保温时间，即可以获得高质量厘米级单晶单层的MoS2薄膜。相对于现有技术，生长时间大幅缩短。本发明有效解决了现有技术中厘米级单晶单层MoS2薄膜的生长速度慢，合成时间长的难题。
一种厘米级单晶单层 mos base sub

[发明专利]一种用于太赫兹探测的晶圆级狄拉克半金属二碲化铂的生长方法-CN202310450201.0在审
发明人：成义俊;吴曙翔;李树玮 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及拓扑半金属材料技术领域，具体涉及一种用于太赫兹探测的晶圆级狄拉克半金属二碲化铂的生长方法。本发明在晶圆级大面积氧化铝衬底上采用分子束外延技术控制Pt原子和Te原子的流速比，控制合适的衬底温度和生长速度，实现了大面积晶圆级高质量单晶狄拉克半金属二碲化铂的均匀可控生长制备。本发明区别于化学气相沉积和机械剥离，制到的二碲化铂为高质量的大面积均匀薄膜，结晶性好，在室温下稳定，具有高载流子迁移率和电导性，基于此材料制备的器件可以实现从中红外到太赫兹的光电探测，为后续光电探测器件的制备提供了不可或缺的条件。
一种用于赫兹探测晶圆级狄拉克半金属二碲化铂生长方法

[发明专利]碲化铁的制备方法-CN202110327036.0有效
发明人：李昊;吴扬;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：一种碲化铁的制备方法，其包括以下步骤：在一石英管的底部放入石英碎渣，在该石英碎渣的上方放入石英棉纤维；向所述石英管中加入反应原料，该反应原料为铁单质、铋单质和碲单质；将装有所述反应原料的石英管抽真空，同时将所述石英管封口；将所述石英管倒置，使所述反应原料与所述石英棉纤维分别位于所述石英管的两端；将封装好的所述石英管放入一保温套筒中，在所述石英管与所述保温套筒间填充一绝热材料以保温并固定所述石英管；将装有所述石英管的保温套筒放入一加热炉中；将装有所述石英管的保温套筒加热，最终得到一反应产物；保温结束后，将所述保温套筒从所述加热炉中取出并放入一离心机中；以及自然冷却。
碲化铁制备方法

[发明专利]含碱土金属缺陷黄铜矿类型化合物和红外非线性光学晶体及制备方法和应用-CN202111489415.6有效
发明人：潘世烈;李俊杰;王鹏;楚羽 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及含碱土金属缺陷黄铜矿类型化合物和红外非线性光学晶体的制备方法及应用，该化合物的分子通式为AGa2Se4，式中A为碱土金属元素Be或Mg，其化学式BeGa2Se4，分子量为464.29；化学式MgGa2Se4，分子量为479.59；该BeGa2Se4晶体不具有对称中心，属四方晶系，空间群为I2m，晶胞参数为：a＝b＝5.5002(9)Å，c＝10.7185(5)Å，α＝β＝γ＝90°，Z＝2；MgGa2Se4晶体不具有对称中心，属四方晶系，空间群为I，其晶胞参数为：a＝b＝5.6997(2)Å，c＝10.7265(6)Å，α＝β＝γ＝90°，Z＝2，该含碱土金属缺陷黄铜矿类型红外非线性光学晶体，具有高抗激光损伤、非线性光学效应适中、透光波段宽、硬度较大、机械性能好、不易碎裂和潮解、易于加工和保存等优点，可用于制作红外非线性光学器件。
碱土金属缺陷黄铜矿类型化合物红外非线性光学晶体制备方法应用

[发明专利]一种含镓单斜无机化合物晶体及其制备方法、作为红外非线性光学晶体材料的应用-CN202210138676.1有效
发明人：刘彬文;郭国聪;陈文发;姜小明;徐忠宁 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本申请公开了一种含镓单斜无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。其中，A选自碱金属元素中的一种；Q选自硫族元素中的一种；所述含镓单斜无机化合物晶体属于单斜晶系，P21空间群。进一步公开了制备上述含镓单斜无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓单斜无机化合物晶体具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓单斜无机化合物晶体的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。
一种单斜无机化合物晶体及其制备方法作为红外非线性光学材料应用

[发明专利]铷氯硒氧氢双折射晶体及其制备方法和应用-CN202111270541.2有效
发明人：刘莉莉;王欢;胡兆炜;徐家跃 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种铷氯硒氧氢双折射晶体及其制备方法和在制备偏振分束棱镜中的应用。化学式为RbCl·(H2SeO3)2，分子量377.9，属于三斜晶系，空间群为晶胞参数为β＝89.697(7)，Z＝3.167。制备方法采用水热法。本发明所得晶体易于生长、易于切割、易于研磨、易于抛光和易于保存，在空气中稳定，不易潮解；可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜，在光学和通讯领域有重要应用。
铷氯硒氧氢双折射晶体及其制备方法应用

[发明专利]一种含镓正交无机化合物晶体及其制备方法、作为红外非线性光学晶体材料的应用-CN202210138652.6有效
发明人：刘彬文;郭国聪;陈文发;姜小明;徐忠宁 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本申请公开了一种含镓正交无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。Q选自硫族元素中的一种。所述含镓无机化合物属于正交晶系，Iba21空间群。进一步公开了制备上述含镓正交无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓无机化合物具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓无机化合物的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。
一种正交无机化合物晶体及其制备方法作为红外非线性光学材料应用

[发明专利]一种具有大倍频效应的深紫外透明硫酸盐晶体及其制备方法和应用-CN202310256557.0在审
发明人：王祖建;徐俊鑫;何超;苏榕冰;杨晓明;张文杰 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供一种具有大倍频效应的深紫外透明硫酸盐晶体。所述硫酸盐晶体的化学式为MxM′yM″z(SO4)(x/2+y/2+z/2)，其中，M选自碱金属，M′选自碱金属或铵根离子，M″选自碱金属或铵根离子。所述晶体为大倍频效应的深紫外透明非线性光学晶体，具有短的深紫外截止吸收边和宽的透光波段、较大的倍频效应及稳定的物理化学性能，是一种优良的光电功能晶体。
一种具有倍频效应深紫透明硫酸盐晶体及其制备方法应用