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[发明专利]硫碘化物硼酸盐非线性光学晶体材料及其制备方法和用途-CN201910086702.9有效
发明人：郭胜平;迟洋;薛怀国 -专利权人：扬州大学
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫碘化物硼酸盐非线性光学晶体材料及其制备方法和用途，其化学式为Eu2.25B5O9S0.5I0.5，分子量为619.44，该晶体属于正交晶系，空间群为Pnn2，晶胞参数为：a=11.5283(17),b=11.5508(17),c=6.5072(9)Å,Z=4，V=866.5(2)Å3。合成的Eu2.25B5O9S0.5I0.5粉末晶体在相同粒度与条件下其倍频效应达到AgGaS2的0.5倍，而抗激光损伤阈值是AgGaS2的14倍以上，而这正是商业化AgGaS2晶体的一个重要缺陷。红外光谱表征本化合物在红外区域具有良好的透过性，适合用做红外区域的非线性晶体和红外探测器。
碘化物硼酸盐非线性光学晶体材料及其制备方法用途

[发明专利]一种电石渣净化制备死烧型硫酸钙晶须的方法-CN201911138479.4有效
发明人：桂明生;郭永平;邓思霞;杜茂松 -专利权人：四川康升晶须科技有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供一种电石渣净化制备死烧型硫酸钙晶须的方法，属于硫酸钙晶须制备技术领域。将电石渣置于煅烧炉中煅烧，煅烧后经消化、磁选、过筛后得到净化后的电石渣，将净化后的电石渣经中和、转晶、过滤、干燥、高温煅烧后得到死烧型硫酸钙晶须。本发明通过煅烧、消化、磁选、过筛等步骤对电石渣进行净化，净化后的电石渣白度大于90，氢氧化钙纯度提高到95％以上，大部分杂质离子以类似琉璃渣的形式排放，净化后的电石渣制备的硫酸钙晶须具有杂质含量低、长径比高、白度好和堆密度小的特点。本发明制备得到的硫酸钙晶须可广泛应用于造纸、涂料、塑料、橡胶、摩擦和其它高分子等行业。
一种电石净化制备死烧型硫酸钙方法

[发明专利]一种金属铂的半金属化合物及其制备方法-CN201610552213.4有效
发明人：张柯楠;颜明哲;周树云;吴扬;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属铂的半金属化合物，其中，所述半金属化合物为PtTe2单晶材料。本发明还涉及一种金属铂的半金属化合物的制备方法，该方法包括：提供多晶二碲化铂材料；将该多晶二碲化铂材料放入反应容器中作为反应原料，并加入化学输运介质；将装好反应原料和化学输运介质的反应容器抽真空至10帕以下；将反应容器放置于一温度梯度内，所述反应容器中装反应原料的一端为热端，相对的另一端为冷端，其中，所述热端的温度为1000摄氏度～1200摄氏度，所述冷端的温度为900摄氏度～1000摄氏度；以及将具有上述温度梯度的反应容器保温10天～30天。
一种金属化合物及其制备方法

[发明专利]在无悬挂键基底上范德华外延形成原子级薄的过渡金属碲化物二维金属材料的方法-CN201910021228.1有效
发明人：段曦东;段镶锋;吴瑞霞 -专利权人：湖南大学
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明属于二维材料制备领域，具体公开了一种原子能级薄层金属二维材料在无悬挂键二维基底上外延生长的制备方法，其特征在于：在无悬空键二维材料衬底上，以二维方式延伸原子级薄的2D金属纳米片的范德华外延生长方法。从而首次实现金属纳米片直至单层体系并产生原子级薄的过渡金属碲化物二维金属材料的。
悬挂基底上范德华外延形成原子过渡金属碲化物二维金属材料方法

[发明专利]一种Bi2-CN201910488709.3有效
发明人：董松涛;韦俊霖;汪蕾;郭宇航 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种Bi2O2Se晶体及其制备方法，所述Bi2O2Se晶体在300K时电导率为99～715S·cm‑1，2K时电导率为51288～300879S·cm‑1，在9T和2K条件下磁阻的范围2500％～3336％。所述制备方法包含以下步骤：a、按化学计量比将原料Bi2O3、Bi、Se或Bi2O3、Bi2Se3研磨混合均匀后装入石英管中，抽真空至10‑4Pa数量级时，真空密封；b、将密封好的石英管固定在提拉杆上，放置于布里奇曼炉的上炉，在500～600℃进行固相烧结反应；c、待反应结束后，升温至930～950℃，使生长原料熔化，通过控制原料的转速和下降的速度来完成晶体生长，解离得到Bi2O2Se晶体。本发明Bi2O2Se晶体的制备方法简单、成本低廉，晶体质量优良且晶体尺寸大等优点，适合规模化生产。
一种 bi base sub

[发明专利]一种碘酸硒酸铋红外倍频晶体材料及其制备与应用-CN201910214755.4有效
发明人：张弛;王天佑;吴超 -专利权人：同济大学
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种碘酸硒酸铋红外倍频晶体材料及其制备与应用，该晶体材料的化学式为Bi4O(IO3)6(SeO4)，并可通过水热法制备得到，材料可用于激光频率转化器中。与现有材料相比，本发明制备得到的碘酸硒酸铋晶体材料具有强的倍频效应和大的激光损伤阈值，在1064nm激光照射下，倍频效应为已商业化材料KH2PO4(KDP)晶体的4.2倍，激光损伤阈值为已商业化材料AgGaS2晶体的51倍，此外，该晶体材料在可见光和红外区有较宽的透过范围，光学透过波段为0.36～11.84μm，在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
一种碘酸硒酸铋红外倍频晶体材料及其制备应用

[发明专利]一种非线性光学晶体锶锂硅硫及其制备方法与应用-CN201911021567.6有效
发明人：武奎;杨亚 -专利权人：河北大学
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种非线性光学晶体锶锂硅硫及其制备方法与应用，非线性光学晶体锶锂硅硫的化学式为SrLi2SiS4，分子量为257.83，其为无色透明的非中心对称结构单晶，以[LiS4]、[SiS4]和[SrS8]基团组成结构基元。本发明采用高温固相合成方法合成非线性光学晶体锶锂硅硫，其具有优异的光学性能，红外吸收截止边较长，带隙宽，激光损伤阈值高，非线性光学系数大，作为新型中远红外非线性光学晶体在高功率红外激光系统中具有广泛的潜在应用价值。
一种非线性光学晶体锶锂硅硫及其制备方法应用

[发明专利]一种金属铂的半金属化合物及其制备方法-CN201610862879.X有效
发明人：张柯楠;颜明哲;周树云;吴扬;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属铂的半金属化合物，其中，所述半金属化合物为PtSe2单晶材料。本发明还涉及一种金属铂的半金属化合物的制备方法，该方法包括：提供多晶二硒化铂材料；将该多晶二硒化铂材料放入反应容器中作为反应原料，并加入化学输运介质；将装好反应原料和化学输运介质的反应容器抽真空至10帕以下；将反应容器放置于一温度梯度内，所述反应容器中装反应原料的一端为热端，相对的另一端为冷端，其中，所述热端的温度为1000摄氏度～1200摄氏度，所述冷端的温度为900摄氏度～1000摄氏度；以及将具有上述温度梯度的反应容器保温10天～30天。
一种金属化合物及其制备方法

[发明专利]一种金属铂的半金属化合物的制备方法-CN201610552531.0有效
发明人：张柯楠;颜明哲;周树云;吴扬;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属铂的半金属化合物的制备方法，该方法包括：将铂单质和碲单质放入反应容器作为反应原料；将装有反应原料的反应容器抽真空至气强10帕；将装有反应原料的反应容器加热至反应温度并保温进行反应，其中，反应温度为600摄氏度～800摄氏度，反应时间为24小时～100小时；将反应后的反应容器降温至保温温度并保温一定时间得到反应产物，其中，降温速率为1摄氏度/小时～10摄氏度/小时，保温温度为400摄氏度～500摄氏度，且降温至保温温度后的保温时间为24小时～100小时；以及使反应产物中过量的熔融状态的助熔剂与PtTe2单晶样品进行分离。
一种金属化合物制备方法

[发明专利]一种棒状α-半水硫酸钙晶须的制备方法-CN201910466020.0有效
发明人：杨儒;李天喜;徐杰;李松;李敏;赵国海;张建宁;史争光;许垒 -专利权人：河南博海化工有限公司;北京化工大学常州先进材料研究院
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及石膏材料制备技术领域，具体涉及一种棒状α‑半水硫酸钙晶须的制备方法。本发明提供的棒状α‑半水硫酸钙晶须的制备方法，包括如下步骤：1)向硫酸钠水溶液中加入有机晶型控制剂，加热搅拌，加入无机钙盐，继续搅拌反应；2)步骤1)中反应结束后，静置陈化得到棒状α‑半水硫酸钙晶须粗品，将棒状α‑半水硫酸钙晶须粗品洗涤、干燥即得棒状α‑半水硫酸钙晶须。本发明提供的棒状α‑半水硫酸钙晶须的制备方法，其方法先进，合成温度低，原材料价格低廉，制备工艺绿色无污染且重复性好，其制得的α‑半水硫酸钙晶须呈短棒状，形貌规则可控。
一种硫酸钙制备方法

[发明专利]一种利用烧结烟气脱硫灰一步法合成硫酸钙晶须的方法-CN201811009007.4有效
发明人：龙红明;魏汝飞;章裕东;王毅璠;王平;孟庆民;春铁军;狄瞻霞;余正伟;钱立新 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用烧结烟气脱硫灰一步法合成硫酸钙晶须的方法，属于资源回收再利用技术领域。本发明将预处理的脱硫灰和MgCl2溶液充分搅拌均匀后制成浆液，在浆液中滴加饱和Ca(OH)2，调节浆液的pH值的范围至8～9之间，再将浆液转移至高压反应釜中进行水热合成得到硫酸钙晶须。本发明以烧结烟气脱硫灰为原料，采用水热体系氧化协同制备硫酸钙晶须，实现烧结烟气脱硫灰氧化协同制备硫酸钙晶须，解决了CaSO3难以快速氧化和硫酸钙晶须制备工艺流程较长的难题，提高了脱硫灰的回收利用率，改善了硫酸钙晶须的质量。
一种利用烧结烟气脱硫一步法合成硫酸钙方法

[发明专利]一种二维二硫化钨薄膜的制备方法-CN201910462792.7有效
发明人：吕燕飞;徐竹华;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维二硫化钨薄膜的制备方法，该方法采用硫代硫酸钠固体粉末和二硫化钨固体粉末作为前驱物，通过化学气相沉积法合成了WS2二维单分子/多分子层厚度的单晶材料，其中二硫化钨单晶形貌为三角形、六边形或枝形。本发明将硫代硫酸钠应用到CVD法中来制备WS2晶体材料，降低了化学气相沉积法生长二硫化钨二维薄膜的生长温度，薄膜制备重复性好、晶体结晶质量高。制备的WS2单晶为三角形，六边形和枝晶状，薄膜厚度为1～30个分子层厚度。
一种二维硫化薄膜制备方法

[发明专利]一种大尺寸三层硫化钼单晶的化学气相沉积制备方法-CN201910491868.9有效
发明人：李学飞;徐晓乐;吴燕庆 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明属于二维材料制备领域，公开了一种大尺寸三层硫化钼单晶的化学气相沉积制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：分别准备清洁且干燥的钼箔和钠钙玻璃，并分别称量硫粉和三氧化钼作为前驱体；S2：在CVD沉积管内放置装有钼箔、钠钙玻璃及三氧化钼的第一载物舟以及装有硫粉的第二载物舟；S3：对所述CVD沉积管进行双温区温度控制的化学气相沉积，从而在钠钙玻璃上实现三层硫化钼单晶的沉积。本发明通过对制备方法中关键CVD工艺所采用的衬底材料、双温区温度设置等进行改进，与现有技术相比，提供了一种制备大尺寸三层二硫化钼单晶的新方法，得到的三层硫化钼单晶其内部最长长度可达90μm，并且制备的三层二硫化钼单晶质量好。
一种尺寸三层硫化钼单晶化学沉积制备方法

[发明专利]SrHgSnS4-CN201910108606.X在审
发明人：姚吉勇;郭扬武;李壮;邢文豪 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2019-02-03 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种非线性光学晶体，其化学式为SrHgSnS4，结构不具有对称中心，属正交晶系，空间群为Ama2，晶胞参数为：α＝β＝γ＝90°，Z＝4。该非线性光学晶体为红外波段的非线性光学晶体，具有非线性光学效应大(同等条件下AgGaS2的1.9倍)、透光波段宽(0.6‑14μm)、双折射大、机械性能好、易于加工等优点。本发明还公开了该非线性光学晶体的制备方法和应用。
srhgsns base sub

[发明专利]一种磷石膏晶须的制备方法-CN201811543819.7有效
发明人：许杰;陈泽琦;柏自奎;包海峰;徐卫林 -专利权人：武汉纺织大学
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷石膏晶须的制备方法，属于无机材料制备技术领域。本发明以磷石膏为原料，用磷酸三丁酯和硫酸的混合溶液进行预处理；在细菌纤维素分散液中依次加入晶型调控剂和预处理后的磷石膏进行反应，将反应后的混合溶液抽滤，洗涤，干燥即可。本发明制备方法简单，能有效的降低杂质对硫酸钙晶须生成的影响，缩短反应所需时间，解决了现有技术中磷石膏晶须收率低、在非高压条件下不易生产的问题，降低了磷石膏综合利用生产硫酸钙晶须的生产成本。
一种石膏制备方法