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[发明专利]一种提高坩埚中心部位熔液温度的装置-CN202211184209.9在审
发明人：郭李梁;朱振业 -专利权人：郭李梁;朱振业
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种提高坩埚中心部位熔液温度的装置，涉及人工晶体制备领域，本发明通过在坩埚中心部位的上方设置中部加热源，通过中部加热源对坩埚的中心部位进行加热，使坩埚中心部位的温度升高，实现坩埚中心部位与坩埚中心部位外围温度的均匀性，避免在拉制过程中因坩埚中部温度低而导致熔液结晶的现象，同时本发明还可以实现通过降低加热器加热功率的方式增加熔液的粘稠度，进而提高拉制速度的目的，通过本发明的实施，不仅可以避免坩埚中心部位熔液结晶，同时还可以提高晶体的拉制速度，通过本发明的应用，可以更好的实现多根柱状晶体的同时拉制等，适合大范围的推广和应用。
一种提高坩埚中心部位温度装置

[发明专利]一种工艺法兰及单晶炉-CN202211215572.2在审
发明人：曹建伟;朱亮;叶钢飞;阮文星;刘东 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请涉及单晶炉领域，尤其是涉及一种工艺法兰，包括：工艺法兰本体，所述工艺法兰本体用于连接于单晶炉的炉盖和炉体之间；连接组件，所述连接组件至少具有三组，所述连接组件连接于所述工艺法兰本体的内壁上；以及工艺组件，所述工艺组件包括水冷热屏和/或导流筒，所述水冷热屏和/或导流筒位于所述工艺法兰本体的内部，所述水冷热屏和/或导流筒与所述连接组件连接，且所述水冷热屏和/或导流筒与所述工艺法兰本体共轴。解决了炉体拆卸不便的技术问题，达到便于炉体拆卸的技术效果。
一种工艺法兰单晶炉

[发明专利]拉晶炉的冷却装置及拉晶炉-CN202211339977.7在审
发明人：钟伟 -专利权人：三一硅能（株洲）有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生产制造装置技术领域，提供一种拉晶炉的冷却装置及拉晶炉，包括用于供冷却介质流通的螺旋管道，螺旋管道的截面形状具有至少一个直线边，至少一个直线边所在的螺旋管道表面为第一吸热面，其余螺旋管道的表面为第二吸热面，第一吸热面平行于螺旋管道的中轴线，使用本装置时，可以在拉晶炉的炉壁内部以及腔室内部分别设置螺旋管道，由各自螺旋管道的第一吸热面分别螺旋环绕于腔室周围以及腔室内生长的晶体周围，相较于现有技术，第一吸热面各局部位置从整体上更靠近发热体，冷却效果更优，另外第二吸热面还能够在侧向进行换热冷却，整体提高了冷却效率，进而提高了单晶硅晶体的生产效率。
拉晶炉冷却装置

[发明专利]晶体生产设备及籽晶的断裂方法-CN202211442606.1在审
发明人：欧阳鹏根;曹建伟;朱亮;傅林坚;叶钢飞;石刚;魏怡凡 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体生产设备及籽晶的断裂方法。晶体生产设备包括晶体炉以及被配置为能够相对晶体炉升降活动的提拉单元，还包括热熔装置，热熔装置包括激光发生单元，激光发生单元用于在提拉单元运动至不低于预设断晶高度时产生激光，并通过激光照射籽晶以熔融籽晶。籽晶的断裂方法包括：驱动提拉单元运动至不低于预设断晶高度的位置；在提拉单元不低于预设断晶高度时，启动激光发生单元并激光照射籽晶，以使籽晶的受照区域熔融断裂。
晶体生产设备籽晶断裂方法

[实用新型]热场装置连接结构和组合热场装置-CN202222395682.3有效
发明人：申富强;申富胜;申钰静;牛龙祥 -专利权人：上海骐碳复合材料科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种热场装置连接结构和组合热场装置，所述连接结构包括机构和沟槽，所述机构的截面为两头大、中间小的形状，所述沟槽的截面形状和所述机构截面形状对应，所述沟槽和所述机构紧密配合。本申请留下邦环重复使用，不需要报废整个热场装置，或者是利用多余新料制造邦环，堆叠形成可以使用的组合热场装置，有节省材料、降低费用的效果。
装置连接结构组合

[发明专利]用于单晶硅棒生长的导流装置、生长设备及单晶硅棒生长的方法-CN202111245498.4有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请提供一种用于单晶硅棒生长的导流装置、生长设备及单晶硅棒生长的方法，涉及单晶硅棒生长技术领域。导流装置包括主导流筒和可拆卸地安装于主导流筒内侧的辅助导流筒；主导流筒具有第一内侧壁，辅助导流筒具有第一外侧壁，第一外侧壁能够与第一内侧壁的至少部分接触，以限制辅助导流筒与主导流筒在主导流筒的高度方向的相对运动；辅助导流筒具有第二内侧壁，第一外侧壁与第一内侧壁的至少部分接触时，第二内侧壁限定出用于单晶硅棒生长的通道，通道的内径小于主导流筒的内径。其无需采用多个不同尺寸的导流筒来满足不同目标直径单晶硅棒的生长，能够节约成本。
用于单晶硅生长导流装置设备方法

[实用新型]加热器和单晶炉-CN202221949180.4有效
发明人：张朝光;王莎莎;程磊;文永飞;马少林;丁彪 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种加热器和单晶炉，所述加热器包括：发热筒，用于罩设在单晶炉的坩埚的外侧，以对所述坩埚进行加热，所述发热筒包括相对的第一端面和第二端面，所述发热筒还包括由所述第一端面向所述第二端面延伸的第一狭槽，以及由所述第二端面向所述第一端面延伸的第二狭槽，所述第二狭槽的末端与所述第一端面之间的距离小于所述第一狭槽的末端与所述第二端面之间的距离，以及支撑腿，用于与所述单晶炉的电极连接，所述支撑腿连接在所述发热筒靠近所述第二端面的一端。通过上述技术方案，本公开所提供的加热器和单晶炉能够解决降低晶棒头部含氧量和保持拉晶稳定性无法兼顾的技术问题。
加热器单晶炉

[实用新型]一种拉晶换热装置和拉晶设备-CN202221794965.9有效
发明人：文永飞;程磊;马少林;成路;邓浩;丁彪;马宝;张朝光 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种拉晶换热装置和拉晶设备，涉及光伏技术领域，以解决晶棒的生长速度慢的问题。所述拉晶换热装置包括换热筒体，换热筒体具有开设冷却腔入口和冷却腔出口的冷却腔，换热筒体包括由下至上连通布置的第一筒体段和第二筒体段，沿第一筒体段的周向方向，第一筒体段包括用于形成观察通道的第一换热结构以及与第一换热结构连通的第二换热结构。所述拉晶设备包括上述技术方案所提的拉晶换热装置。本实用新型提供的拉晶换热装置用于吸收晶棒结晶时释放的热量。
一种拉晶换热装置设备

[实用新型]一种热屏装置和单晶炉热场-CN202222200454.6有效
发明人：文永飞;马少林;程磊;丁彪;马宝;张朝光;成路;王莎莎 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种热屏装置和单晶炉热场，包括：热屏本体以及多个凸起结构，所述凸起结构用于反射和吸收热辐射，其中，多个所述凸起结构均设置于所述热屏本体的底部，所述凸起结构沿所述热屏本体的底部向远离所述热屏本体的方向延伸；多个所述凸起结构沿所述热屏本体的周向间隔设置，相邻两个所述凸起结构之间形成一个导流通道。可以增大晶棒沿其生长方向上的温度梯度，进而提高晶棒的生长速度；且相邻两个所述凸起结构之间形成一个导流通道，便于气体通过并带走固液界面的挥发物。
一种装置单晶炉热场

[实用新型]一种磁控拉晶装置-CN202222214478.7有效
发明人：陈永康;李侨;杜婷婷;朱永刚;张朝光;任伟康;刘阳;牛彩鹤 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例，提供了一种磁控拉晶装置，包括单晶炉、坩埚以及磁控组件；坩埚设置于单晶炉内，用于盛放硅液，所述磁控组件设置于所述硅液上方。磁控组件包括环形磁体，环形磁体内设置有用于单晶硅棒穿设的拉晶通道，环形磁体靠近硅液设置，用于在硅液内形成勾型磁场。所述勾型磁场在所述硅液的液面的磁场强度大于或者等于0.1毫特。硅液内部的勾型磁场可以有效抑制硅液的纵向热对流、横向热对流以及其他方向的热对流，抑制了硅液在多个方向的热对流。这样，就可以减少硅液对坩埚壁的冲刷，降低硅液中的杂质含量，提高了拉晶质量。而且，磁控拉晶装置的结构简单，在现有的拉晶装置的基础上仅需进行少量的改进即可实施，适用范围广泛且成本较低。
一种磁控拉晶装置

[实用新型]一种稳定单晶硅棒的装置-CN202222801438.2有效
发明人：李鑫;许堃;李安君;朱厚军;高贻刚 -专利权人：宇泽半导体（云南）有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种稳定单晶硅棒的装置，属于单晶硅棒取棒辅助装置技术领域。所述的稳定单晶硅棒的装置包括单晶棒防晃动支撑架、支撑软毡、单晶棒下落支撑装置；所述的单晶棒防晃动支撑架设置在单晶炉副室下口处，支撑软毡环绕设置在单晶炉副室下口内壁上，支撑软毡的厚度适应单晶棒和单晶炉副室下口内壁之间的距离，单晶棒下落支撑装置设置在单晶炉副室下口下侧，并通过单晶棒防晃动支撑架支撑安装。本实用新型通过在单晶炉副室下口内部增加单晶棒防晃动装置，解决了取棒时晶棒不稳晃动碰到炉壁的现状，使得单晶棒在副室旋转时，副室内单晶棒不会发生晃动，防止了单晶棒和副室内壁发生磕碰，降低了单晶棒掉棒等重大异常事故的发生。
一种稳定单晶硅装置

[实用新型]一种二氧化碲晶体生长装置-CN202222472452.2有效
发明人：马立强;闫志祥;杜灿中 -专利权人：焦作晶锐光电有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及结晶设备技术领域的一种二氧化碲晶体生长装置，包括炉体，炉体内设有坩埚，炉体顶部设有配合的旋转提拉组件；坩埚外部绕设有加热线圈，坩埚的上方配合有移动加热组件，移动加热组件包括加热套管，加热套管顶部的外壁上对称固定有水平的连接杆，连接杆固定连接移动块，所述移动块螺纹配合有竖直的螺杆，螺杆的下端通过轴承与炉体的底部转动连接，螺杆的上端贯穿炉体后连接有正反转电机。本实用新型整体结构合理，操作简单，可在二氧化碲晶体生长时，根据需要对晶体上部的温度进行灵活地调整，通过改变局部温度的方法使晶体上部温度梯度变小，保证了整体温场的梯度的均匀性，适应晶体的生长，大幅度提高了晶体的优良品率。
一种氧化晶体生长装置

[实用新型]一种单晶炉-CN202222530896.7有效
发明人：陈国良;刘利国;高伟杰;李海明 -专利权人：双良硅材料(包头)有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单晶炉。将所述导流筒设置于所述石英坩埚上方；导流筒的外筒体的上部设置为直筒结构，下部设置为倒锥形筒体结构；所述钼环固定于所述锥形筒体结构的外表面，通过上述公开的单晶炉，由于钼环能够将热辐射作用在硅液，使得硅液液面的温度更稳定，更有利于晶体的生长，并且由于锥形筒体结构的外表面设有钼环，使得单晶硅在生长过程中，避免外筒体上的杂质在高温作用下进入硅溶液，进而避免单晶硅尾部碳含量升高而影响单晶的品质，并且还能减少导流筒的外筒体被腐蚀，有效延长导流筒的使用寿命。
一种单晶炉

[实用新型]一种自动剪籽晶的炉体-CN202222547284.9有效
发明人：华焱;刘森;李东 -专利权人：常州四杰机械科技有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅制造设备技术领域，尤其是一种自动剪籽晶的炉体，副炉室和剪断装置，所述剪断装置连接在所述副炉室的外表面上，所述剪断装置包括驱动装置、连接座和剪刀，所述连接座和剪刀之间通过定位装置连接，本申请在副炉室外壁上安装了可以调节轴向和径向方向的自动剪刀，实现了籽晶的自动剪断，在使用大型单晶炉时，无需人工手持剪刀进行登高作业，消减了操作人员所需面临的风险，单晶硅生产线的安全得到了提升。
一种自动籽晶

[实用新型]一种炉盖隔水条-CN202221030091.X有效
发明人：华焱;刘森;李东 -专利权人：常州四杰机械科技有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉设备技术领域，尤其是一种炉盖隔水条，包括炉盖内封板，所述炉盖内封板为倒扣的碗状，所述炉盖内封板中部设置有第一安装孔，所述炉盖内封板上设置有隔水条组，所述隔水条组焊接在炉盖内封板的表面，所述隔水条组包括第一隔水条，所述第一隔水条一端与第一安装孔连接，所述第一隔水条另一端依次连接第二安装孔、第三安装孔、第四安装孔、第五安装孔以及第六安装孔，所述炉盖内封板边缘设置有定位阶梯。通过设置隔水条组，隔水条组形成水道，冷却水通过水管进入水道，对炉盖进行冷却散热，不会烫伤操作者，降低操作人员的安全隐患。
一种炉盖隔水条