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[实用新型]一种提升单晶拉速的水冷结构-CN202221981946.7有效
发明人：周彦杰;王林;张文霞;郭谦;王胜利;巩名扬;康学兵;韩鹏;乔金良;周建辉;成永亮 -专利权人：内蒙古中环晶体材料有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种提升单晶拉速的水冷结构，包括筒状本体，所述筒状本体包括外壁和内壁，所述外壁和内壁之间设有冷水道，用于冷却水循环，所述内壁一侧竖直设置，另外一侧包括连接设置的上段部、中段部和下段部，所述上段部和下段部竖直设置，所述上段部的直径大于下段部的直径，所述中段部连接所述上段部和下段部倾斜设置。本实用新型的有益效果是增大了单晶炉水冷结构的轴向温度梯度，提升了单晶的拉速，更有利于单晶的生长，提高了单晶炉的产能。
一种提升单晶拉速水冷结构

[实用新型]一种可调节水冷屏机构-CN202222611995.8有效
发明人：陈威;黄剑雄;沈吟青 -专利权人：无锡松瓷机电有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种可调节水冷屏机构，可调节水冷屏机构包括水冷屏、两个固定杆、两个第一密封法兰和两个旋转机构，两个固定杆对称设置在水冷屏的两侧，且每个固定杆的第一端与水冷屏固定连接；每个固定杆的第二端上安装有第一密封法兰；两个旋转机构分别设置在固定杆的第二端上，旋转机构包括驱动部和传动部，驱动部的驱动端与传动部的输入端连接，传动部的输出端与第一密封法兰的外沿连接，在驱动部的带动下，传动部带动第一密封法兰偏转进而带动固定杆和水冷屏偏转。本申请能够实现水冷屏的偏转，以使水冷屏适应垂直向下的硅棒，降低在提拉硅棒时，硅棒触碰到水冷屏的风险。
一种调节水冷机构

[发明专利]去除硅熔体表面的异物的方法、单晶硅的生长方法-CN202111515365.4有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种去除硅熔体表面的异物的方法、单晶硅的生长方法，属于单晶硅生长技术领域。去除硅熔体表面的异物的方法，包括：在籽晶与硅熔体熔接之前，在硅熔体表面形成一个近似带状暗色区域，持续监测硅熔体表面，若发现硅熔体表面存在异物，则使硅熔体表面的至少部分异物移动至暗色区域并沿着暗色区域移动至坩埚壁。其能够有效地将异物从硅熔体表面去除。
去除体表异物方法单晶硅生长

[实用新型]一种双加热器移动热屏式直拉式单晶炉-CN202222687106.6有效
发明人：贡梦涛 -专利权人：常州益群新能源科技有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶炉技术领域，尤其是一种双加热器移动热屏式直拉式单晶炉，包括固定架和设置安装在固定架底端的固定机构，所述固定机构包括传动组件和固定组件，所述传动组件包括支撑块、第一传动柱、转动盘、转动杆、滑动板和滑动槽板，所述固定架的底端固定连接有支撑块，所述支撑块的外壁设置有第一传动柱，所述第一传动柱的输出端固定连接有转动盘，通过设置支撑板，转动盘通过第一传动柱带动转动杆进行转动作业，滑动板通过转动杆沿着滑动槽板内部开设的滑槽滑动作业，推拉杆通过滑动板带动支撑板进行升降作业，支撑板通过推拉杆对支撑块进行支撑作业，通过支撑板的升降支撑，使单晶炉可以便捷的移动位置。
一种加热器移动热屏式直拉式单晶炉

[发明专利]焖炉料处理方法-CN202211296235.0在审
发明人：代理华;徐涛;龙昭钦;李含;李凤春 -专利权人：四川晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了焖炉料处理方法，包括以下步骤：提供浸泡治具，将所述浸泡治具放入水槽内，所述浸泡治具包括治具主体，所述治具主体包括依次连接的第一挡板、第二挡板、第三挡板和第四挡板，所述第一挡板、所述第二挡板、所述第三挡板和所述第四挡板围设成容纳空间；所述治具主体内连接有滤网，所述滤网具有网孔；所述治具主体的底部设置支撑柱；将焖炉料放入所述浸泡治具进行浸泡酸洗，得到分离后的埚邦与原料，其中，所述焖炉料包括坩埚、埚邦和原料；对分离后的埚邦和原料进行冲洗；冲洗结束后将原料进行酸洗处理，埚邦清洗晾干后进行煅烧处理。本发明不但能够降低埚邦的损坏率，还可以减小硅原料的损耗，同时减轻人员的工作强度，提升工作效率。
炉料处理方法

[发明专利]用于单晶炉的防晶棒掉落装置和单晶炉-CN202211268657.7在审
发明人：杨文武;张雯 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本公开涉及用于单晶炉的防晶棒掉落装置和单晶炉，该用于单晶炉的防晶棒掉落装置包括设置在单晶炉的副炉室处的感测装置、抱接装置和止挡件，其中，感测装置用于感测晶棒是否发生掉落；抱接装置包括单独的抱接件，抱接装置用于根据感测装置感测到晶棒发生掉落而使抱接件抱接并固定至晶棒的外表面；以及止挡件设置在抱接装置的下方，并且止挡件构造成能够止挡随掉落的晶棒下落的抱接件，以由此止挡晶棒。
用于单晶炉防晶棒掉落装置

[发明专利]一种单晶炉热场加热器组件及单晶炉-CN202011102898.5有效
发明人：杨文武;沈福哲;宋振亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本公开提供一种单晶炉热场加热器组件及单晶炉，包括：加热器主体；绝缘保护罩，包括套设于加热器主体外侧面的筒状罩体及设置于加热器主体的底部开口端的底部遮挡板，底部遮挡板的中部设有通孔，通孔内设有绝缘轴承套，底部遮挡板通过绝缘轴承套固定于坩埚的坩埚轴上，以使底部遮挡板在坩埚轴带动下运动；导向组件，包括导轨和滑动件，导轨设置在加热器主体的侧面，导轨的导向方向与坩埚轴的轴向相同，滑动件连接至加热器主体，滑动件以可移动方式设置在导轨上，滑动件在加热器主体带动下沿导轨运动。本公开单晶炉热场加热器组件及单晶炉，具有加热效果好、升温快、热场温度稳定等特点，有利于长晶过程中晶棒的无缺陷生长，提高晶棒的良率。
一种单晶炉热场加热器组件单晶炉

[实用新型]一种单晶炉下轴保护装置-CN202222693225.2有效
发明人：李安君;许堃;吴超慧;朱厚军;罗昌萍 -专利权人：宇泽半导体（云南）有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉设备技术领域，具体为一种单晶炉下轴保护装置，包括托杆，托杆安装在单晶炉下轴上，托杆的外侧上部安装有底加，底加的下方设置有防漏护板，防漏护板的底部安装有副石墨电极。该单晶炉下轴保护装置中，通过托杆保护环可以减少单晶炉内的硅熔体在拉晶时的液面晃动及因溅硅而导致的下轴波纹管烫穿而造成的单晶炉漏气，可有效降低拉晶过程中的液面晃动及波纹管烫穿的异常事故，托杆保护环为活动式设计，托杆保护环缩小了热场和托杆保护环的距离，使得溅硅被托杆保护环所阻挡，溅硅不会直接落入下轴波纹管中，从而降低了下轴波纹管被溅硅烫穿的概率，大大减少单晶炉漏气事件的发生及更换下轴波纹管的维修费用。
一种单晶炉下轴保护装置

[实用新型]一种拉晶换热装置和拉晶设备-CN202222235392.2有效
发明人：文永飞;马少林;成路;程磊;丁彪;马宝;张朝光;王莎莎 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种拉晶换热装置和拉晶设备，涉及光伏技术领域，以解决晶棒的生长速度慢的问题。所述拉晶换热装置包括换热筒体，换热筒体具有开设冷却腔入口和冷却腔出口的冷却腔，换热筒体包括由下至上连通布置的第一筒体段和第二筒体段，第二筒体段包括用于形成观察通道的换热结构，第一筒体段靠近拉晶轴线的内壳体的内表面上设置有开口朝第一筒体段内部的凹槽，凹槽至少部分位于观察通道的观察路径上。所述拉晶设备包括上述技术方案所提的拉晶换热装置。本实用新型提供的拉晶换热装置用于吸收晶棒结晶时释放的热量。
一种拉晶换热装置设备

[实用新型]一种基于提拉法的漂浮物去除装置提取杆-CN202222248394.5有效
发明人：张辉;吴丹;金竹;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于提拉法的漂浮物去除装置提取杆，提取杆安装于漂浮物去除装置的底端，提取杆包括提取头以及与连接杆，连接杆的一端与漂浮物去除装置的底端固定，另一端与提取头可拆卸连接，提取头的端部设有底面部与侧屏部。本实用新型通过“捞取”的方式去除漂浮物，漂浮物无需与装置“粘接”，解决因熔体温度过高出现漂浮物无法粘接的问题，提高漂浮物去除成功率，提取头具有侧屏部，准确限制漂浮物尺寸，确保能将漂浮物从保温材料上盖口中提离保温腔，避免熔体温度过低时漂浮物尺寸过大导致提离过程中遮挡保温材料上盖口，使籽晶杆升降不受阻挡，确保后续晶体生长步骤的正常进行，能防止漂浮物在提取过程中滑落。
一种基于提拉法漂浮去除装置提取

[实用新型]单晶炉-CN202222412378.5有效
发明人：朱永刚;张伟建;李侨;董升;白锋;曹杰;邓浩 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种单晶炉，本单晶炉包括：炉体、炉盖和泄压装置；所述炉盖连接于所述炉体，所述炉盖上开设有泄压口；所述泄压装置包括泄压管道和密封盖，所述泄压管道的第一端与所述泄压口连接并连通，所述密封盖连接于所述泄压管道的第二端，所述密封盖能够打开或封闭所述泄压管道的第二端。本单晶炉通过将泄压装置的泄压管道与单晶炉的炉盖的泄压口进行连接，能够二次泄压排气的作用，起到保险作用，即使单晶炉随着使用时间的增加，炉底附着沉积物将炉底的排气口堵塞后，单晶炉内压力升高时，也可以通过泄压装置进行泄压排气，能够避免单晶炉出现爆炸隐患，保证操作人员的人身安全。
单晶炉

[实用新型]一种换热器和单晶硅棒拉制装置-CN202222210865.3有效
发明人：陈永康;李侨;朱永刚 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种换热器和单晶硅棒拉制装置。所述换热器具体包括：环状本体，所述环状本体内设置有环状腔体，所述环状腔体用于容纳冷却介质；进水管，所述进水管与所述环状腔体连通，所述进水管用于将所述冷却介质通入所述环状腔体内；出水管，所述出水管与所述环状腔体连通，所述出水管用于将所述环状腔体内的所述冷却介质导出；以及环状的磁性件，所述磁性件连接于所述环状本体靠近所述坩埚的一侧。本申请实施例中，所述换热器的磁性件可以在所述坩埚的硅液内形成磁场，所述磁场可以用于抑制所述硅液内部的热对流，减少所述硅液对所述坩埚壁的冲刷，降低所述硅液中的杂质含量，以兼顾所述单晶硅棒的拉制速度和拉晶品质。
一种换热器单晶硅拉制装置

[发明专利]一种采用直拉法制备单晶硅的单晶炉-CN202211397684.4在审
发明人：李伯华;张军驰;于向前 -专利权人：徐州康信软件技术有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产技术领域，且公开了一种采用直拉法制备单晶硅的单晶炉，炉体内部的顶端位置活动套接有导流筒，炉体内部的底端固定安装有支撑板，支撑板两侧的套孔内部活动套接有螺旋筒，支撑板顶面中部活动安装有顶部与石墨坩埚底面固定连接的支撑转柱，导流筒的顶部呈环状均匀开设有进气孔，导流筒内壁靠近导气口一侧开设有与进气孔连通的喇叭口，炉体内壁位于导流筒顶部位置固定安装有定位环，导流筒内部开设有与进气孔、喇叭口连通的L型液压孔，支撑板顶面中部开设有与支撑转柱活动套接的限位槽，该单晶炉通过对导流筒的改进以及支撑板的设计，大大提高了硅棒拉出时的稳定性，保证了成型质量。
一种采用法制单晶硅单晶炉

[发明专利]一种单晶硅拉制装置及拉制方法-CN202211392983.9在审
发明人：黄旭光;李朝阳;刘世龙 -专利权人：晶澳太阳能有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请公开一种单晶硅拉制装置及拉制方法，拉制装置包括：熔化炉，将固体硅料熔化为熔融硅；多个提拉炉，围绕所述熔化炉均匀分布，并且接收来自所述熔化炉内的熔融硅，将所述熔融硅提拉生长为单晶硅；输料部，设置于所述熔化炉和多个所述提拉炉中的一个或多个之间，并且将所述熔化炉内的熔融硅输送至多个所述提拉炉中的一个或多个内；将固体硅料熔化和单晶拉制分别在两个不同的炉内进行，并且采用一个熔化炉搭配多个提拉炉的生产模式，既提高了生产效率，又降低了能耗。
一种单晶硅拉制装置方法

[发明专利]单晶炉的水冷热屏结构、单晶炉及单晶硅的生长方法-CN202210287527.1有效
发明人：杨政;王新强;秦现东;景华玉;张正 -专利权人：双良硅材料(包头)有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅制造技术领域，尤其涉及一种单晶炉的水冷热屏结构、单晶炉及单晶硅的生长方法。所述单晶炉的水冷热屏结构包括：单晶炉炉盖；在所述单晶炉炉盖上方的喉口处设置有充气法兰；所述充气法兰设置有气体进口；与所述炉盖滑动配合的环状水冷热屏；设置在所述环状水冷热屏内部的盘旋状气管；气体进入所述充气法兰，经过所述盘旋状气管吹向所述单晶炉内的熔体液面。本发明在炉盖上方喉口法兰处增加一条气路，气路沿盘旋状气管环绕在环状水冷热屏内部，气体流出后以环流形式吹向液面。此设计增大了换热面积的同时引入气体换热，提升结晶潜热的带走速率，从而提升单晶生长速率。
单晶炉水冷结构单晶硅生长方法