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[发明专利]具有坚固支撑、碳掺杂、电阻率控制和热梯度控制的半导体晶体生长的方法和装置-CN201210257159.2无效
发明人： X·G·刘;W·G·刘 -专利权人： AXT公司;北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2002-07-03 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明为具有坚固支撑、碳掺杂、电阻率控制和热梯度控制的半导体晶体生长的方法和装置。在含有一个坚固密封的安瓿瓶及与原料非物质接触以掺碳的系统中，在电阻加热控制和热梯度控制下，在晶体生长炉内生长Ⅲ-Ⅴ，Ⅱ-Ⅵ族及其相关单晶化合物晶体。提供了一个以坚固圆柱体来支撑装有坩埚且密封的安瓿瓶的组合体，同时圆柱体中填充有低密绝缘物质用来阻止热传导和热对流。在低密物质的中间打有热辐射通道用来提供热辐射的路径，通过这条通道，热可以进出籽井区域和晶体生长坩埚的传热区域。在籽井的下方由绝缘物质形成中空的芯区，为生长中的晶体提供了冷却条件。这就确保了系统中能生长出均匀的大体积晶体，同时还保证了生长中的晶体和熔液的固液界面平滑，进而使得晶体具有均匀的电特性。
具有坚固支撑掺杂电阻率控制梯度半导体晶体生长方法装置

[发明专利]生长半导体晶体的装置-CN201110144303.7无效
发明人： X·G·刘;W·G·刘 -专利权人： AXT公司;北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2002-07-03 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种生长半导体晶体的装置。在封闭安瓿的坚固支座、碳掺杂和电阻控制、及温度控制条件下，在晶体生长炉中生长Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族及其相关单晶化合物。支座圆筒对于组合的封闭的安瓿和坩埚组件提供了支撑，同时该支座圆筒内的低密度绝缘材料阻碍了传导和对流加热。穿透低密度材料的热辐射通道对于热辐射进出坩埚的籽井和过渡区提供了路径。在绝缘材料中的中空的芯直接位于籽井的下方，为生长中的晶体的中央提供了冷却，其确保了晶体结晶块均匀而平滑地生长，同时还保证了晶体和熔体分界面的平滑，进而产生具有均匀电特性的圆片。
生长半导体晶体装置

[发明专利]生长半导体晶体的方法、装置和晶体产品及装置支撑方法-CN200810147519.7无效
发明人： X·G·刘;W·G·刘 -专利权人： AXT公司
申请日： 2002-07-03 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：一种生长半导体晶体的方法、装置和晶体产品及装置支撑方法。在封闭安瓿的坚固支座、碳掺杂和电阻控制、及温度控制条件下，在晶体生长炉中生长III-V、II-VI族及其相关单晶化合物。支座圆筒对于组合的封闭的安瓿和坩埚组件提供了支撑，同时该支座圆筒内的低密度绝缘材料阻碍了传导和对流加热。穿透低密度材料的热辐射通道对于热辐射进出坩埚的籽井和过渡区提供了路径。在绝缘材料中的中空的芯直接位于籽井的下方，为生长中的晶体的中央提供了冷却，其确保了晶体结晶块均匀而平滑地生长，同时还保证了晶体和熔体分界面的平滑，进而产生具有均匀电特性的圆片。
生长半导体晶体方法装置产品支撑

[发明专利]以坚固支座、碳掺杂和电阻率控制及温度梯度控制来生长半导体晶体的方法和装置-CN02815865.2有效
发明人： X·G·刘;W·G·刘 -专利权人： AXT公司
申请日： 2002-07-03 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： C30B11/04 文献下载
摘要：在封闭安瓿的坚固支座、碳掺杂和电阻控制、及温度控制条件下，在晶体生长炉中生长III－V、II－VI族及其相关单晶化合物。支座圆筒对于组合的封闭的安瓿和坩埚组件提供了支撑，同时该支座圆筒内的低密度绝缘材料阻碍了传导和对流加热。穿透低密度材料的热辐射通道对于热辐射进出坩埚的籽井和过渡区提供了路径。在绝缘材料中的中空的芯直接位于籽井的下方，为生长中的晶体的中央提供了冷却，其确保了晶体结晶块均匀而平滑地生长，同时还保证了晶体和熔体分界面的平滑，进而产生具有均匀电特性的圆片。
坚固支座掺杂电阻率控制温度梯度生长半导体晶体方法装置