[发明专利]一种光取出材料、光取出层、发光器件和显示装置

说明书

本发明提供了一种光取出材料、光取出层、发光器件和显示装置，涉及显示技术领域，该光取出材料的极化率较高，从而可以大幅提高光取出材料的折射率。该光取出材料包括：芳胺类化合物，所述芳胺类化合物包括至少三个多环结构A，相邻所述多环结构A通过氨基键合；所述多环结构A包括至少两个通过单键键合的基团，其中一个基团为杂芳环，所述杂芳环包括至少一个氮；另一个基团为多元环。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种光取出材料、光取出层、发光器件和显示装置。

背景技术

在OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置中加入CPL层(Capping Layer，光取出层)可以改善显示装置的出光模式，使原本被限制在装置内部的光线能够射出显示装置，表现出更高的光取出效率。但是，目前的CPL层无法非常高效的提高显示装置的出光效率，导致用户体验差。

因此，亟需一种CPL层，以解决上述问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种光取出材料、光取出层、发光器件和显示装置，该光取出材料的极化率较高，从而可以大幅提高光取出材料的折射率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供了一种光取出材料、光取出层、发光器件和显示装置，该光取出材料包括：芳胺类化合物，所述芳胺类化合物包括至少三个多环结构A，相邻所述多环结构A通过氨基键合；

所述多环结构A包括至少两个通过单键键合的基团，其中一个基团为杂芳环，所述杂芳环包括至少一个氮；另一个基团为多元环。

可选的，所述多环结构A包括三个基团，所述多环结构A的结构通式为：

其中，R3为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的硫醚基、取代或未取代的C1～C50的芳基、由取代或未取代的C2～C9的环结构形成的C2～C50的杂芳基中的任一种；

X1为氧或硫；

Z1-Z4各自独立地为氮或碳，且Z1-Z4中的至少一个为氮；

为与所述氨基或R4连接的键；其中，R4为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的硫醚基、取代或未取代的C1～C50的芳基、由取代或未取代的C2～C9的环结构形成的C2～C50的杂芳基中的任一种。

可选的，所述多环结构A包括两个基团，所述多环结构A的结构通式为：

其中，X1为氧或硫；

X2为氧、硫、碳、氮中的任一种，且至少一个为氮；

Y1-Y7各自独立地为氮或碳，且Y1-Y7中的至少一个为氮。

可选的，所述芳胺类化合物的结构通式为：

其中，R1和R2各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的硫醚基、取代或未取代的C1～C50的芳基、由取代或未取代的C2～C9的环结构形成的C2～C50的杂芳基中的任一种。

可选的，所述R1和所述R2的结构通式均为：