[发明专利]一种减少石墨包裹物的碳化硅晶体的生长方法

权利要求书

1.一种减少石墨包裹物的碳化硅晶体的生长方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1、选取石墨坩埚作为反应容器，将碳化硅粉料放入石墨坩埚内，然后放入多孔石墨片，然后将将籽晶固定于石墨坩埚内的上盖中心位置，将密封好的石墨坩埚放入单晶生长炉内，抽真空至1×10^-5-6×10^-5torr后以1-8℃/min的速率进行加热；

步骤2、当单晶生长炉加热温度至1000-1500℃后通入惰性保护气体将气压调整至1-20torr，继续升温至1700-2000℃保持恒温，长晶时间为30-150h；

步骤3、充入氩气至300-500torr，按照2-5℃/min的速率开始降温至1000℃后，关闭加热电源后随炉冷却至室温，完成一种减少石墨包裹物的碳化硅晶体的生长。

2.根据权利要求1所述的一种减少石墨包裹物的碳化硅晶体的生长方法，其特征在于：步骤1中石墨坩埚采用高纯高密度石墨制成，其密度为1.2-2.0g/cm³。

3.根据权利要求1或2所述的一种减少石墨包裹物的碳化硅晶体的生长方法，其特征在于：步骤1中多孔石墨片为低密度石墨制成，多孔石墨片的密度为0.4-1.0g/cm³，多孔石墨片的气孔率为40-70％。

4.根据权利要求3所述的一种减少石墨包裹物的碳化硅晶体的生长方法，其特征在于：步骤1中多孔石墨片的厚度为0.1-1cm。

5.根据权利要求4所述的一种减少石墨包裹物的碳化硅晶体的生长方法，其特征在于：步骤2中惰性保护气体为氩气、氮气、或者二者组成的混合气体。

6.根据权利要求5所述的一种减少石墨包裹物的碳化硅晶体的生长方法，其特征在于：步骤2中升温速率为2-5℃/min。

7.根据权利要求6所述的一种减少石墨包裹物的碳化硅晶体的生长方法，其特征在于：步骤3中关闭加热电源后的降温速率为5-15℃/min。