[发明专利]显示背板及其制作方法和显示装置在审
申请号: | 202110481427.8 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113193034A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 朱志坚;卢鹏程;陈祯祐;杨子筠;田元兰;张大成 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;云南创视界光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 尹璐 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 背板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供了显示背板及其制作方法和显示装置。该显示背板包括衬底基板和多个周期排列的像素单元,每个所述像素单元包括用于显示第一原色的第一子像素、用于显示第二原色的第二子像素、用于显示第三原色的第三子像素和用于显示第四色的第四子像素,所述第一子像素中的第一发光层、所述第二子像素中的第二发光层和所述第三子像素中的第三发光层中的至少之一与所述第四子像素中的部分第四发光层共用同一个阳极。该显示背板中发光层所发出的光的利用率高,在进行伽马调试时难度较低,显示效果较佳。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及显示背板及其制作方法和显示装置。
背景技术
在相关技术中,Micro OLED微显示是以单晶硅集成电路作为背板、顶发光OLED(Organic Light Emitted Transistor)器件作为光源的微型有机发光二极管显示装置,其具有体积小、重量轻、对比度高、响应速度快和功耗低等优点,有望成为下一代移动显示终端。然而,Micro OLED微显示目前普遍存在着发光亮度低的问题,这限制了其在AR/VR技术领域的广泛应用。
因而,现有的Micro OLED微显示的相关技术仍有待改进。
发明内容
本发明是基于发明人的以下发现而完成的:
目前Micro OELD微显示是采用白光EL(Emitted-Light)加上CF(Color Filter,彩色滤光片)实现彩色显示。彩色滤光片通过吸收特定波长的光,实现单色红、绿或者蓝光通过。因此,当白光EL发出的光透过彩色滤光片以后,该束光的亮度会大幅下降,从而导致白光EL所发出的光的利用率低。
基于此,本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种发光层所发出的光的利用率高、在进行伽马调试时难度较低或者显示效果较佳的显示背板。
在本发明的一个方面,本发明提供了一种显示背板。根据本发明的实施例,该显示背板包括衬底基板和多个周期排列的像素单元,每个所述像素单元包括用于显示第一原色的第一子像素、用于显示第二原色的第二子像素、用于显示第三原色的第三子像素和用于显示第四色的第四子像素,所述第一子像素中的第一发光层、所述第二子像素中的第二发光层和所述第三子像素中的第三发光层中的至少之一与所述第四子像素中的部分第四发光层共用同一个阳极。该显示背板中发光层所发出的光的利用率高,在进行伽马调试时难度较低,显示效果较佳。
根据本发明的实施例,每个所述像素单元至少包括三个子像素单元,每个所述子像素单元中具有:所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中的任意一种;以及部分所述第四发光层。
根据本发明的实施例,定义所述第一子像素的亮度、所述第二子像素的亮度与所述第三子像素的亮度之和为第一亮度;所述第四子像素的亮度为第二亮度,所述第一亮度和所述第二亮度之比是恒定的。
根据本发明的实施例,所述第一亮度和所述第二亮度之比为(0.5~2):1。
根据本发明的实施例,所述第一亮度和所述第二亮度之比为1:1。
根据本发明的实施例,在所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层远离所述衬底基板的一侧还具有彩色滤光片,在每个所述子像素单元中,所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中的任意一种的面积和部分所述第四发光层的面积的关系满足:Sa×τ=Sb,其中,Sa为在每个所述子像素单元中,所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中的任意一种的面积;Sb为在每个所述子像素单元中,部分所述第四发光层的面积;τ为在该所述子像素单元中,所述彩色滤光片的透光率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的