[发明专利]显示背板及其制作方法和显示装置在审
申请号: | 202110481427.8 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113193034A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 朱志坚;卢鹏程;陈祯祐;杨子筠;田元兰;张大成 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;云南创视界光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 尹璐 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 背板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示背板,包括衬底基板和多个周期排列的像素单元,每个所述像素单元包括用于显示第一原色的第一子像素、用于显示第二原色的第二子像素、用于显示第三原色的第三子像素和用于显示第四色的第四子像素,其特征在于,
所述第一子像素中的第一发光层、所述第二子像素中的第二发光层和所述第三子像素中的第三发光层中的至少之一与所述第四子像素中的部分第四发光层共用同一个阳极。
2.根据权利要求1所述的显示背板,其特征在于,每个所述像素单元至少包括三个子像素单元,每个所述子像素单元中具有:
所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中的任意一种;以及
部分所述第四发光层。
3.根据权利要求2所述的显示背板,其特征在于,定义所述第一子像素的亮度、所述第二子像素的亮度与所述第三子像素的亮度之和为第一亮度;所述第四子像素的亮度为第二亮度,所述第一亮度和所述第二亮度之比是恒定的。
4.根据权利要求3所述的显示背板,其特征在于,所述第一亮度和所述第二亮度之比为(0.5~2):1。
5.根据权利要求4所述的显示背板,其特征在于,所述第一亮度和所述第二亮度之比为1:1。
6.根据权利要求5所述的显示背板,其特征在于,在所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层远离所述衬底基板的一侧还具有彩色滤光片,在每个所述子像素单元中,所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中的任意一种的面积和部分所述第四发光层的面积的关系满足:
Sa×τ=Sb,
其中,Sa为在每个所述子像素单元中,所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中的任意一种的面积;Sb为在每个所述子像素单元中,部分所述第四发光层的面积;τ为在该所述子像素单元中,所述彩色滤光片的透光率。
7.根据权利要求2所述的显示背板,其特征在于,所述第四发光层划分为第一子发光层、第二子发光层和第三子发光层,所述第一子发光层与所述第一发光层位于同一个所述子像素单元中且共用同一个所述阳极,所述第二子发光层与所述第二发光层位于同一个所述子像素单元中且共用同一个所述阳极,所述第三子发光层与所述第三发光层位于同一个所述子像素单元中且共用同一个所述阳极。
8.根据权利要求7所述的显示背板,其特征在于,每个所述像素单元包括12个子像素单元,所述子像素单元的形状为六边形,每个所述像素单元中的多个发光层包括4个所述第一发光层、4个所述第二发光层、4个所述第三发光层和4个所述第四发光层,每个所述像素单元中的12个所述子像素单元呈六边形紧密排列,所述六边形紧密排列具有第一横行和第二横行,所述第一横行和所述第二横行上分别具有6个所述子像素单元,
定义所述第一子发光层和所述第一发光层所在的所述子像素单元为第一子像素单元,所述第二子发光层和所述第二发光层所在的所述子像素单元为第二子像素单元,所述第三子发光层和所述第三发光层所在的所述子像素单元为第三子像素单元,
其中,所述第一横行第1个所述子像素单元、第一横行第4个所述子像素单元、第二横行第2个所述子像素单元和第二横行第5个所述子像素单元为所述第一子像素单元;所述第一横行第2个所述子像素单元、第一横行第5个所述子像素单元、第二横行第3个所述子像素单元和第二横行第6个所述子像素单元为所述第二子像素单元;所述第一横行第3个所述子像素单元、第一横行第6个所述子像素单元、第二横行第1个所述子像素单元和第二横行第4个所述子像素单元为所述第三子像素单元。
9.根据权利要求6所述的显示背板,其特征在于,在所述第四发光层远离所述衬底基板的一侧还具有平坦化层,所述平坦化层与所述彩色滤光片同层设置,且所述平坦化层与所述彩色滤光片的厚度相同。
10.根据权利要求9所述的显示背板,其特征在于,所述平坦化层的材料包括光固化材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的