[发明专利]半导体芯片

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括：

半导体衬底，包括第一晶体管；

互连结构，设置在所述半导体衬底上方并且电连接至所述第一晶体管，所述互连结构包括堆叠的层间介电层、互连布线和嵌入在所述堆叠的层间介电层中的第二晶体管；以及

存储器器件，嵌入在所述堆叠的层间介电层中并且电连接至所述第二晶体管。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述第二晶体管嵌入在所述堆叠的层间介电层之中的第一层间介电层中，所述存储器器件嵌入在所述堆叠的层间介电层之中的第二层间介电层中，并且所述第二层间介电层覆盖所述第一层间介电层。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，还包括：介电层，覆盖所述第二层间介电层。

4.根据权利要求3所述的半导体芯片，还包括：缓冲层，覆盖所述介电层，其中，所述互连结构和所述第二晶体管设置在所述缓冲层上。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片，其中，所述第二晶体管包括设置在所述缓冲层上的薄膜晶体管。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述存储器器件的每个包括第一电极、第二电极以及所述第一电极和所述第二电极之间的存储层。

7.根据权利要求6所述的半导体芯片，其中，所述第二层间电介质包括第一介电子层和覆盖所述第一介电子层的第二介电子层。

8.根据权利要求7所述的半导体芯片，其中，所述互连布线包括第一通孔和第二通孔，所述第一通孔嵌入在所述第一介电子层中并且电连接至所述存储器器件的所述第一电极，所述存储器器件和所述第二通孔嵌入在所述第二介电子层中，并且所述第二通孔电连接至所述存储器器件的所述第二电极。

9.一种半导体芯片，包括：

半导体衬底，包括逻辑电路；

互连结构，设置在所述半导体衬底上并且电连接至所述逻辑电路，所述互连结构包括堆叠的层间介电层和嵌入在所述堆叠的层间介电层中的互连布线；以及

存储器单元阵列，嵌入在所述堆叠的层间介电层中，所述存储器单元阵列包括驱动晶体管和存储器器件，并且所述存储器器件通过所述互连布线电连接至所述驱动晶体管。

10.一种半导体芯片，包括：

半导体衬底，包括鳍式场效应晶体管；

互连结构，设置在所述半导体衬底上并且电连接至所述鳍式场效应晶体管，所述互连结构包括堆叠的层间介电层和嵌入在所述堆叠的层间介电层中的互连布线；以及

存储器单元阵列，包括：

驱动电路，包括嵌入在所述堆叠的层间介电层中的薄膜晶体管；以及

存储器器件，嵌入在所述堆叠的层间介电层中并且通过所述互连布线电连接至所述薄膜晶体管。