[发明专利]像素结构及掩膜板

说明书

本发明提供一种像素结构及掩膜板。像素结构包括多个像素单元，每个像素单元包括颜色不同的第一子像素、第二子像素和第三子像素；所述第二子像素环绕所述第一子像素设置，所述第三子像素环绕所述第二子像素设置。本发明利用所述第一子像素(R/G像素)的启动电压和所述第三子像素(G/R像素)的启动电压均小于所述第二子像素(B像素)的启动电压，将所述第二子像素设置在所述第一子像素与所述第三子像素之间，通过增大所述第一子像素与所述第三子像素(R像素与G像素)的距离，在尽量不降低显示面板的最大亮度情况下，改善AOD模式像素点颜色偏差的问题。

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种像素结构及掩膜板。

背景技术

有机电致发光(Organic Lighting Emitting Diode)器件简称OLED，因OLED器件具有自发光，色彩丰富，响应速度的快，视角广，重量轻，耗能低，可做成柔性显示屏等优点而受到广泛关注，OLED在手机，平板，数码相机等显示领域正逐步取代液晶显示器。然而，OLED器件由于在制程精度以及对位偏差的原因，在蒸镀有机发光材料时候，容易出现R/G/B像素中发光层出现重叠现象。

图1是目前的OLED器件的结构示意图，OLED器件90包括阳极91、空穴传输层92(Hole Transport Layer,HTL)、多层石墨烯层93(FL/FLG)、发光层94(Emitting Layer，EML)、电子传输层95(Electron Transport Layer,ETL)、电子注入层96(ElectronInjection Layer，EIL)、阴极97。其中阳极91采用氧化铟锡(ITO)材质，阴极97采用银镁合金(Ag/Mg)，发光层94包括同层设置的红色发光层(R)、绿色发光层(G)和蓝色发光层(B)。

图2是OLED器件的能级结构，电子在电场作用下由电子能级低的阴极跃迁到高能级，电子逐步扩散到EML层，空穴由阳极从高的能级跃迁到低能级，逐步扩散到EML，电子空穴在EML层处复合而发光。由于器件结构中，FLR和FLG的能级相差很小，所以由于蒸镀过程中FLG和FLR重叠后，如图1所示，在点亮绿色发光层G(或者红色发光层R)后，大部分空穴经过FLG(或者FLR)去点亮绿色发光层G(或者红色发光层R)像素，也有小部分空穴会出现侧向漏电，经流FLR(或FLG)流向红色发光层R(或绿色发光层G)像素点，从而点亮红色发光层R(或者绿色发光层G)。由于FLB与FLG和FLR的能级差异很大，空穴要流入FLB需要克服很大的势垒(存在FLB与HTL之间的势垒)，此外，由于蓝色发光层B的启亮电压高，所以蓝色发光层B像素点很难被绿色发光层G或者红色发光层R代亮。在点亮蓝色发光层B时候，由于蓝色发光层B pixel内的载流子符合速率很快，所以侧向漏电一般会很弱，从而使得B不容易带亮绿色发光层G/红色发光层R。对于绿色发光层G和红色发光层R，二者启亮电压接近(二者在2.2-2.3V之间)，由于红色发光层R的启亮电压更低一些，所以红色发光层R更容易被点亮，使得绿色发光层G的CIE坐标在最容易超规，这种现象在AOD模式中更为明显。

现阶段三星公司(Samsung)，京东方公司(BOE)和维信诺公司的菱形(Diamond)像素排布结构，二合一(2in 1)像素排布结构和德尔塔(Delta)像素排布结构都存在R和G像素点邻近的现象，分别如图3、图4、图5所示；以及在已经公布的专利，如CN110137210A，CN110137207A等，如图6、图7所示，虽然这些设计通过增大某像素周围其他像素的数量，一定程度上增加了像素点的间距，但是这些设计中都存在各种子像素邻近的现象，在蒸镀子像素时候难以解决偏位带来的子像素发光层重叠现象。所以现阶段的发光层在蒸镀过程中重叠的问题未得到解决。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种像素结构及掩膜板，以解决现有的像素排布结构的排布方式导致无法解决发光层在蒸镀过程中重叠，导致在AOD模式中由于电子跃迁导致未被点亮的像素点被点亮出现颜色偏差的技术问题。