[发明专利]像素结构及掩膜板在审
申请号: | 202110371569.9 | 申请日: | 2021-04-07 |
公开(公告)号: | CN113178461A | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 何坤 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;C23C14/04 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 掩膜板 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括多个像素单元,每个像素单元包括颜色不同的第一子像素、第二子像素和第三子像素;所述第二子像素环绕所述第一子像素设置,所述第三子像素环绕所述第二子像素设置。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一子像素的启动电压和所述第三子像素的启动电压均小于所述第二子像素的启动电压。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第二子像素环绕所述第一子像素形成环形结构,所述环形结构为闭环结构或者开环结构;所述第三子像素环绕所述第二子像素形成环形结构,所述环形结构为闭环结构或者开环结构。
4.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,当所述第二子像素为开环结构时,所述第二子像素包括第一开口;当所述第三子像素为开环结构时,所述第三子像素包括第二开口;所述第二开口朝向所述第一开口,或者所述第二开口与所述第一开口错位设置。
5.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述环形结构为圆环结构、三角形环结构、方环结构、多边形环结构中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的像素结构,其特征在于,当所述环形结构为三角形环结构、方环结构、多边形环结构中的至少一种时,所述环形结构的弯折角处设置为圆角。
7.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一子像素为圆形结构、三角形结构、方形结构、多边形结构中的一种。
8.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,在一个像素单元中,所述第二子像素为蓝色子像素;所述第一子像素为红色子像素,所述第三子像素为绿色子像素;或者所述第一子像素为绿色子像素,所述第三子像素为红色子像素。
9.一种掩膜板,其特征在于,包括第一子像素掩膜板、第二子像素掩膜板和第三子像素掩膜板,用于制作权利要求1-8中任一项所述的像素结构;其中,所述第一子像素掩膜板用于制作所述第一子像素,在对应所述第一子像素位置设置第一透光区;所述第二子像素掩膜板用于制作所述第二子像素,在对应所述第二子像素位置设置第二透光区;所述第三子像素掩膜板用于制作所述第三子像素,在对应所述第三子像素位置设置第三透光区。
10.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,所述第一透光区为圆形结构、三角形结构、方形结构、多边形结构中的一种;所述第二透光区环绕所述第一透光区形成环形结构,所述环形结构为闭环结构或者开环结构;所述第三透光区环绕所述第二透光区形成环形结构,所述环形结构为闭环结构或者开环结构;所述环形结构为圆环结构、三角形环结构、方环结构、多边形环结构中的至少一种;当所述环形结构为三角形环结构、方环结构、多边形环结构中的至少一种时,所述环形结构的弯折角处设置为圆角。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的