[发明专利]显示装置的制作方法在审
申请号: | 202110255593.6 | 申请日: | 2021-03-09 |
公开(公告)号: | CN115050770A | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 吴湲琳;刘敏钻;蔡宗翰 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋兴;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制作方法 | ||
本揭露提供一种显示装置的制作方法,包括以下步骤。提供基板。形成像素电路于基板上。形成发光单元于像素电路上。形成触控感测单元于发光单元上。形成绝缘层于触控感测单元上。形成抗反射层于绝缘层上。本揭露实施例的显示装置的制作方法可提升可靠度。
技术领域
本揭露涉及一种显示装置的制作方法,尤其涉及一种可提升可靠度的显示装置的制作方法。
背景技术
显示装置已广泛地应用于电子装置例如移动电话、电视、监视器、平板电脑、车用显示器、穿戴装置以及台式电脑中。随电子装置蓬勃发展,对于显示装置上的显示品质的要求越来越高,使得显示装置不断朝向高亮度、低能耗、高解析度、或高饱和度的显示效果改进,同时针对显示装置的制作方法也不断朝向减少制程时间、减少制程步骤、或较佳制程顺序等方向改进。
发明内容
本揭露是提供一种显示装置的制作方法,其可提升显示装置的可靠度,例如提升显示装置的耐弯折能力、提升显示装置的使用寿命或提升以上所述,但不以此为限。
本揭露提供一种显示装置的制作方法,包括以下步骤。提供基板。形成像素电路于基板上。形成发光单元于像素电路上。形成触控感测单元于发光单元上。形成绝缘层于触控感测单元上。形成抗反射层于绝缘层上。
附图说明
包含附图以便进一步理解本揭露,且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例,并与描述一起用于解释本揭露的原理。
图1为本揭露一些实施例的显示装置的局部剖面示意图;
图2为本揭露一实施例的显示装置的制作方法的流程示意图;
图3A至图3H为本揭露一些实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图;
图3H’与图3H”为本揭露一些实施例的显示装置的局部剖面示意图;
图4为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图;
图5A与图5B为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图;
图6A与图6B分别为本揭露一些实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图;
图7为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图;
图8A与图8B为本揭露一些实施例的显示装置的局部剖面示意图;
图9为本揭露另一实施例的显示装置的上视示意图;
图10A至图10E为图9的显示装置沿剖面线A-A’的制作方法的流程剖面图;
图11A至图11C为图9的显示装置沿剖面线B-B’的制作方法的流程剖面图;
图12A至图12C为图9的另一实施例的显示装置沿剖面线A-A’的制作方法的流程剖面图;
图13为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程示意图;
图14A至图14D为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图;
图15为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程示意图;
图16A至图16D为本揭露另一实施例的显示装置的制作方法的流程剖面图。
附图标号说明
100、100a、100b、100c、100d、100f、100g:显示装置;
101:非出光区;
102R、102G、102B:出光区;
103、103a、103b:岛区;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的