[发明专利]功率半导体模块

权利要求书

1.一种功率半导体模块，所述功率半导体模块具有基底(2)，所述基底(2)包括不导电的绝缘层(3)和布置在所述绝缘层(3)上的金属化负载层区域(MI，MA1，MA2，MZ1，MZ2)，并且所述功率半导体模块具有功率半导体开关(T)，每个所述功率半导体开关(T)均包括第一负载电流端子和第二负载电流端子(C，E)以及控制端子(G)，其中，所述基底(2)具有：内部金属化负载层区域(MI)，所述内部金属化负载层区域(MI)在纵向方向(L)上延伸；第一外部金属化负载层区域和第二外部金属化负载层区域(MA1，MA2)，所述第一外部金属化负载层区域和所述第二外部金属化负载层区域(MA1，MA2)在所述纵向方向(L)上延伸；以及第一中间金属化负载层区域和第二中间金属化负载层区域(MZ1，MZ2)，所述第一中间金属化负载层区域和第二中间金属化负载层区域(MZ1，MZ2)在所述纵向方向(L)上延伸且彼此导电地连接起来；其中，在垂直于所述纵向方向(L)的横向方向(Q)上，所述第一中间金属化负载层区域(MZ1)被布置在所述内部金属化负载层区域(MI)与所述第一外部金属化负载层区域(MA1)之间，并且所述第二中间金属化负载层区域(MZ2)被布置在所述内部金属化负载层区域(MI)与所述第二外部金属化负载层区域(MA2)之间，其中，所述功率半导体开关(T)中的第一组和第二组功率半导体开关(P1，P2)被设置用以实现半桥电路(6)的第一臂(A1)，其中，所述功率半导体开关(T)中的第三组和第四组功率半导体开关(P3，P4)被设置用以实现所述半桥电路(6)的第二臂(A2)，其中，所述功率半导体开关(T)中的所述第一组功率半导体开关和所述第二组功率半导体开关(P1，P2)被布置在所述内部金属化负载层区域(MI)上，并且所述功率半导体开关(T)中的所述第一组功率半导体开关和所述第二组功率半导体开关(P1，P2)的所述第一负载电流连接部(C)与所述内部金属化负载层区域(P1，P2)导电地接触，其中，所述第一组功率半导体开关(P1)中的所述功率半导体开关(T)的所述第二负载电流端子(E)被导电地连接到所述第一中间金属化负载层区域(MZ1)，并且所述第二组功率半导体开关(P2)中的所述功率半导体开关(T)的所述第二负载电流端子(E)被导电地连接到所述第二中间金属化负载层区域(MZ2)，其中，所述功率半导体开关(T)中的所述第三组功率半导体开关(P3)被布置在所述第一中间金属化负载层区域(MZ1)上，并且所述功率半导体开关(T)中的所述第三组功率半导体开关(P3)的所述第一负载电流端子(C)与所述第一中间金属化负载层区域(MZ1)导电地接触，其中，所述第三组功率半导体开关(P3)中的所述功率半导体开关(T)的所述第二负载电流端子(E)被导电地连接到所述第一外部金属化负载层区域(MA1)，其中，所述功率半导体开关(T)中的所述第四组功率半导体开关(P4)布置在所述第二中间金属化负载层区域(MZ2)上，并且所述功率半导体开关(T)中的所述第四组功率半导体开关(P4)的所述第一负载电流端子(C)与所述第二中间金属化负载层区域(MZ2)导电地接触，其中，所述第四组功率半导体开关(P4)的所述功率半导体开关(T)的所述第二负载电流端子(E)被导电地连接到所述第二外部金属化负载层区域(MA2)。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述第一中间金属化负载层区域和所述第二中间金属化负载层区域(MZ1，MZ2)借助于布置在所述绝缘层(3)上的第一金属化连接层区域(MV1)彼此导电地连接起来，所述第一金属化连接层区域(MV1)与所述第一中间金属化负载层区域和所述第二中间金属化负载层区域(MZ1，MZ2)一体地形成。

3.根据权利要求1-2中的任一项所述的功率半导体模块，其特征在于，所述第一外部金属化负载层区域和所述第二外部金属化负载层区域(MA1，MA2)彼此导电地连接起来。

4.根据权利要求3所述的功率半导体模块，其特征在于，所述第一外部金属化负载层区域和所述第二外部金属化负载层区域(MA1，MA2)借助于布置在所述绝缘层(3)上的第二金属化连接层区域(MV2)彼此导电地连接起来，所述第二金属化连接层区域(MV2)与所述第一外部金属化负载层区域和所述第二外部金属化负载层区域(MA1，MA2)一体地形成。