[实用新型]液处理装置有效
申请号: | 202020576502.X | 申请日: | 2020-04-17 |
公开(公告)号: | CN211957602U | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 冈泽智树;西山雄太;飞松武志 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027;G03F7/16;G03F7/30 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种液处理装置,其特征在于,具备:
处理液供给部,其具有喷出处理液的喷嘴;
喷嘴移动部,其使所述喷嘴在用于朝向基板的表面供给所述处理液的涂布位置和与所述涂布位置不同的待机位置之间移动;
清洗部,其朝向所述待机位置供给清洗液,以通过所述清洗液对位于所述待机位置的所述喷嘴的顶端面进行清洗;
吸引部,其具有朝向位于所述待机位置的所述喷嘴的顶端面开口的吸引口,所述吸引部吸引从位于所述待机位置的所述喷嘴喷出的所述处理液以及通过所述清洗部供给到所述待机位置的所述清洗液;以及
控制装置,其控制所述处理液供给部、所述喷嘴移动部、所述吸引部及所述清洗部。
2.根据权利要求1所述的液处理装置,其特征在于,
在所述处理液供给部停止从位于所述待机位置的所述喷嘴喷出所述处理液后,所述吸引部停止从所述吸引口吸引所述处理液。
3.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
所述清洗部具有:清洗槽,其设置于所述待机位置;以及清洗液供给部,其向所述清洗槽内供给所述清洗液,
所述吸引口向所述清洗槽内开口,
所述清洗液供给部向收容有所述喷嘴的所述清洗槽内供给所述清洗液;以及
所述吸引部吸引由所述清洗液供给部供给到所述清洗槽内的所述清洗液。
4.根据权利要求3所述的液处理装置,其特征在于,
所述吸引部还具有吸引头,该吸引头相对于所述清洗槽的底壁突出,
所述吸引口在所述吸引头的上表面开口。
5.根据权利要求4所述的液处理装置,其特征在于,
所述清洗部还具有排液口,该排液口设置于所述清洗槽的所述底壁,向所述清洗槽外排出所述清洗液,
所述排液口位于所述吸引头的周围。
6.根据权利要求5所述的液处理装置,其特征在于,
所述吸引头朝向收容于所述清洗槽内的所述喷嘴的顶端面突出,
所述排液口位于由所述吸引头与所述底壁形成的高低差部中的低的面。
7.根据权利要求5或6所述的液处理装置,其特征在于,
设置有多个所述排液口,多个所述排液口设置于夹着所述吸引头的位置。
8.根据权利要求5或6所述的液处理装置,其特征在于,
设置有多个所述排液口,多个所述排液口沿以所述吸引口为中心的周向形成。
9.根据权利要求5或6所述的液处理装置,其特征在于,
所述排液口的大小大于所述吸引口的大小。
10.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
所述吸引口的直径是所述喷嘴的喷出口的直径的0.7倍~1.3倍。
11.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
在所述喷嘴位于所述待机位置的状态下,所述喷嘴和所述吸引部配置成所述喷嘴的喷出口的中心与所述吸引部的所述吸引口的中心相互大致一致,且以从所述喷嘴喷出的所述处理液不扩散到所述喷嘴的顶端面而被所述吸引口吸引的程度接近。
12.根据权利要求1或2所述的液处理装置,其特征在于,
所述清洗部还具有气体供给部,该气体供给部朝向位于所述待机位置的所述喷嘴的下端部供给气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造