[发明专利]一种DFB芯片的脊钝化方法

说明书

本发明公开了一种DFB芯片的脊钝化方法。所述方法包括：在基体表面沉积光学介质膜，沉积有光学介质膜的基体表面上具有至少一个脊槽和至少一个脊；在光学介质膜表面上涂覆第一光刻胶，形成第一光刻胶层，填平脊槽，之后对涂覆了第一光刻胶的基体进行固化；在第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶，形成第二光刻胶层，通过光刻工艺在第二光刻胶层上形成贯穿第二光刻胶层的脊开孔图形，脊开孔图形的位置与脊的位置相对应；根据脊开孔图形，在基体上刻蚀出从上往下依次贯穿第一光刻胶层和光学介质膜层的脊开孔。本发明有效解决脊刻蚀过程中造成脊侧壁裸露的问题，进而避免了芯片漏电，提高了芯片的可靠性。

技术领域

本发明属于光电芯片的制造技术领域，具体涉及一种DFB芯片的脊钝化方法。

背景技术

在光通讯、光传感等领域，为了提高光电芯片的性能与可靠性，很多科研工作者对光电芯片的工艺优化做了大量的实验。由于InP基DFB激光器(Distributed FeedbackLaser，分布式反馈激光器)稳定的动态单纵模特点，使其被广泛应用于光纤通信发射器件，其中脊结构钝化保护的好坏直接影响DFB激光器性能及良率。因为脊条的宽度较细，只有2微米左右，在光刻图形转移过程中，往往会因为曝光量以及对准的偏离，加上刻蚀的横向效应，造成脊侧壁上的SiNx氮化硅被刻蚀掉，造成钝化失效，导致漏电，影响芯片的可靠性。

如何提供一种钝化有效、不漏电及提高芯片可靠性的DFB芯片的脊钝化方法，是一个急需解决的问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种DFB芯片的脊钝化方法，从而克服现有技术的不足。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例提供了一种DFB芯片的脊钝化方法，其包括：

S100，在基体表面沉积光学介质膜，沉积有所述光学介质膜的基体表面上具有至少一个脊槽和至少一个脊；

S200，在所述光学介质膜表面上涂覆第一光刻胶，形成第一光刻胶层，填平所述脊槽，之后对涂覆了所述第一光刻胶的基体进行固化；

S300，在所述第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶，形成第二光刻胶层，通过光刻工艺在所述第二光刻胶层上形成贯穿第二光刻胶层的脊开孔图形，所述脊开孔图形的位置与所述脊的位置相对应；

S400，根据所述脊开孔图形，在基体上刻蚀出从上往下依次贯穿第一光刻胶层和光学介质膜层的脊开孔。

在一优选实施例中，所述光学介质膜为光学介质膜SiN_x。

在一优选实施例中，沉积有所述光学介质膜的基体表面上具有多个间隔设置的脊槽，且相邻两个脊槽之间设置有脊。

在一优选实施例中，所述脊槽为向下凹陷的倒梯形脊槽，所述脊为向上凸起的正梯形脊。

在一优选实施例中，所述第一光刻胶为光敏BCB光刻胶。

在一优选实施例中，所述S300中的光刻工艺包括匀胶、曝光和显影步骤。

在一优选实施例中，所述S400中刻蚀工艺为感应耦合等离子体ICP刻蚀工艺。

在一优选实施例中，所述等离子体刻蚀工艺的流程包括：

S401，先通过干法ICP刻蚀，刻蚀第一光刻胶；

S402，再通过干法ICP刻蚀，刻蚀光学介质膜。

在一优选实施例中，所述S401中，反应气体包括流速为30-60sccm的六氟化硫、流速为60-80sccm的氧气及流速为50-90sccm的氦。