[发明专利]一种抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法

权利要求书

1.一种抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法，其特征在于：通过化学反应引入金属-氧化学键消除光刻胶图形表面去离子水表面张力影响，增强光刻胶图形机械强度从而抑制图形坍塌与黏连，把显影后的光刻胶图形样品放入化学气相沉积设备反应腔，把金属在设定温度下与水发生反应的化合物前驱体通入反应腔，与光刻胶中的水分子反应，最后使用吹扫气体去除多余的反应物和副产物，消耗光刻胶图形表面水分子的同时引入金属-氧化学键，极大的增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌和变形。

2.根据权利要求1所述的抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法，其特征在于：把显影液中取出的光刻胶图形放入去离子水中晃动水洗，洗好取出后用高纯N₂吹干；把光刻胶图形样品放入反应腔，设定反应温度在40～120℃之间，把金属化合物前驱体通入反应腔中1～600秒，使用惰性气体或不与反应前驱体发生化学反应的气体吹扫1～300秒，去除多余的反应物和副产物。

3.根据权利要求1所述的抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法，其特征在于：所述光刻胶图形为正胶或负胶。

4.根据权利要求1所述的抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法，其特征在于：所述化学气相沉积设备能对反应物的通入时间与剂量进行精确控制，包括原子层淀积镀膜设备、金属有机物化学气相沉积镀膜设备或改装的化学气相沉积设备。

5.根据权利要求2所述的抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法，其特征在于：所述金属化合物前驱体包括Al、Zn、Hf的一种或多种反应前驱体。

6.根据权利要求5所述的抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法，其特征在于：所述Al反应前驱体包括三甲基铝、三氯化铝和溴化铝，与H₂O反应生成Al-O键，源温在18～40℃之间，反应腔的温度保持在40～120℃之间。

7.根据权利要求5所述的抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法，其特征在于：所述Hf反应前驱体包括四双(乙基甲基氨)铪、氯化铪，与H₂O反应生成Hf-O键，源温在60～100℃之间，反应腔的温度保持在80～120℃之间。

8.根据权利要求5所述的抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法，其特征在于：所述Zn反应前驱体包括二乙基锌、二甲基锌，与H₂O反应生成Zn-O键，源温在18～40℃之间，反应腔的温度保持在40～120 ℃之间。