[发明专利]一种RGB芯片倒装封装结构及制备方法

权利要求书

1.一种RGB芯片倒装封装结构，其特征在于，包括：基板以及设置于所述基板上的多个芯片倒装模块，每个所述芯片倒装模块包括：

焊盘层，设置于所述基板的正面上，或设置于所述基板的正面以及背面；

表面金属层，设置于所述焊盘层的表面，所述表面金属层为含锡合金或纯锡，且所述表面金属层的厚度为5～40um；

芯片，所述芯片的电极倒装于所述表面金属层上。

2.根据权利要求1所述的RGB芯片倒装封装结构，其特征在于，所述焊盘层为单层或多层金属结构，且当所述焊盘层为多层金属结构时，所述焊盘层沿基板向外的方向依次包括：铜层和镍层，或所述焊盘层沿基板向外的方向依次包括：铜层、镍层和金层。

3.根据权利要求2所述的RGB芯片倒装封装结构，其特征在于，当所述焊盘层沿基板向外的方向依次包括：铜层、镍层，所述铜层的厚度为5-100um，镍层的厚度为1-10um。

4.根据权利要求1所述的RGB芯片倒装封装结构，其特征在于，当所述基板背面设置有焊盘层时，在该焊盘层的表面还设有金、银、银金合金或者含锡合金。

5.根据权利要求1所述的RGB芯片倒装封装结构，其特征在于，所述基板为BT基板、ABF基板、COB基板、玻璃基板或陶瓷类混合基板中的一种或多种；

当所述基板为陶瓷类混合基板时，所述基板包括：基层以及设置于所述基层表面的缓冲层，所述基层为BT基层、ABF基层、PI基层、玻璃基层中的一种或多种，且所述缓冲层的CTE值介于所述基板CTE值和硅基CTE之间。

6.根据权利要求1所述的RGB芯片倒装封装结构，其特征在于，每个所述芯片倒装模块还包括：设置于所述基板上的围坝，所述围坝设置于所述芯片的外侧，且所述围坝的高度不低于倒装芯片的高度。

7.根据权利要求1所述的RGB芯片倒装封装结构，其特征在于，在所述基板上设有导通结构，所述导通结构包括：贯穿所述基板厚度方向上的导通孔以及填充于所述导通孔内的铜浆或填充于所述导通孔内的导热绝缘材料，或所述导通结构包括：设置于所述基板上的铜柱。

8.一种RGB芯片倒装封装结构的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-7任一项所述的RGB芯片倒装封装结构，具体包括以下步骤：

S1、选择合适的基板；

S2、对基板进行钻孔及等离子清洗；

S3、沉铜电镀；

S4、根据设计图形贴膜、曝光、显影、蚀刻，制作倒装焊盘及线路；

S5、在基板上倒装芯片的位置分别电镀焊盘层和表面金属层；

S6、蚀刻导电引线；

S7、对基板进行绝缘材料涂覆、曝光、显影、烘烤；

S8、在基板上进行喷或涂覆助焊剂；

S9、利用倒装设备将芯片倒装在基板上；

S10、对基板和芯片进行回流焊；

S11、清洗基板及芯片；

S12、塑封含荧光粉光学胶。

9.根据权利要求8所述的RGB芯片倒装封装结构的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3和S4之间还包括以下内容：采用铜浆塞孔或绝缘材料塞孔，通过烘烤使铜浆或绝缘材料固化。