[发明专利]半导体结构及其制备方法

说明书

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：第一结构；第二结构，至少包覆部分第一结构，第一结构电性连接有第一焊盘，第二结构电性连接有第二焊盘。上述半导体结构能够准确测试第一结构的漏电流，还可以监控第一结构的崩溃电压，能准确反映内衬层的品质，从而提高产品的良率，保障质量，减少成本；而且上述半导体结构还可以作为电容器被应用到芯片中。第二结构至少包覆部分第一结构，与第一结构直接接触，使得半导体结构能够准确测试第一结构漏出内衬层的漏电流和崩溃电压，能更加准确反映内衬层的品质。

技术领域

本发明涉及半导体制备领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

背景技术

随着集成度不断提高，每片上的器件单元数量急剧增加，芯片面积增大，单元间连线的增长既影响电路工作速度又占用很多面积，严重影响集成电路进一步提高集成度和工作速度，于是需要三维集成电路，三维集成电路是具有多层器件结构的集成电路，层与层之间需要硅通孔(TSV)连接，TSV是一种重要的开发技术，其利用短的垂直电连接或通过硅晶片的“通孔”，以建立从芯片的有效侧到背面的电连接，TSV提供最短的互连路径，为最终的3D集成创造了一条途径。但是，目前没有对硅通孔的电性监控机制，没法去监控硅通孔的短路、漏电情况以及崩溃电压，导致产品良率低，质量无法保障，成本提高。

发明内容

基于此，针对上述问题，本发明提供一种半导体结构及其制备方法。

本发明提供一种半导体结构，包括：第一结构；第二结构，至少包覆部分所述第一结构，所述第一结构电性连接有第一焊盘，所述第二结构电性连接有第二焊盘。

上述半导体结构能够准确测试第一结构的漏电流，还可以监控第一结构的崩溃电压，能准确反映内衬层的品质，从而提高产品的良率，保障质量，减少成本；而且上述半导体结构还可以作为电容器被应用到芯片中。第二结构至少包覆部分第一结构，与第一结构直接接触，使得半导体结构能够准确测试第一结构漏出内衬层的漏电流和崩溃电压，能更加准确反映内衬层的品质。

在其中一个实施例中，所述第一结构包括第一结构本体和包覆所述第一结构本体的内衬层。

在其中一个实施例中，还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述第一结构本体和所述内衬层之间，且所述阻挡层至少包覆所述第一结构本体。

在其中一个实施例中，所述第一结构包括硅通孔结构。上述半导体结构能够准确测试硅通孔结构的漏电流，还可以监控硅通孔结构的崩溃电压，能准确反映内衬层的品质，从而提高产品的良率，保障质量，减少成本；而且上述半导体结构还可以作为硅通孔电容器被应用到芯片中。

在其中一个实施例中，所述第二结构的材质包括多晶硅、本征半导体、掺硼半导体、掺磷半导体、掺砷半导体中的一种或几种组合。第二结构包括多晶硅、本征半导体，能更准确的反映电流从第一结构本体漏出到半导体衬底内的情况，第二结构包括掺硼半导体、掺磷半导体、掺砷半导体中的一种或几种组合，不仅能准确的反映电流从第一结构本体漏出到半导体衬底内的情况，而且使得漏电流更容易传到第二焊盘，使得更容易监测到漏电流，提高测试灵敏度。

在其中一个实施例中，所述第二结构的材质包括铜、铝、镍、金、银、钛、钨中的一种或几种组合。第二结构的材质包括铜、铝、镍、金、银、钛、钨中的一种或几种组合，使得漏电流更容易传到第二焊盘，提高测试灵敏度。

在其中一个实施例中，所述第二结构的形状包括筒状、环状或条状。

在其中一个实施例中，所述第一结构的个数包括至少1个。

在其中一个实施例中，当所述第一结构的个数包括至少2个时，若干个所述第一结构对应有若干个所述第二结构，所述若干个第二结构连接成一体，并与所述第二焊盘电性连接。若干个第一结构对应的若干个第二结构连接成一体，使得若干个第二结构只连接1个第二焊盘即可，节省了空间，使得测试过程更加简单快捷，节约了成本并提高了测试效率。