[实用新型]芯片封装

说明书

本文描述了芯片封装。所述芯片封装包括具有裸片间区域的高速数据传输线，信号传输线通过该裸片区域将第一裸片耦合到第二裸片。所述信号传输线具有的电阻值大于铜线的等效基础电阻值(EBR)，这减小了传输线内的振荡。

技术领域

本实用新型的实施例总体涉及芯片封装和具有该芯片封装的电子设备。具体地，涉及被形成在薄的有机再分布层中的高速裸片间连接接口，该有机再分布层被设置在芯片封装和电子设备的部件之间，用于提供部件之间的高速数据信号通信。

背景技术

电子设备，例如平板电脑、计算机、服务器、室内电信、室外电信、工业计算机、高性能计算数据中心、复印机、数码相机、智能电话、控制系统和自动柜员机等，通常采用利用芯片封装的电子部件，以增加功能和提高元件密度。传统的芯片封装包括一个或多个堆叠的组件，例如集成电路(IC)裸片、穿硅通孔(TSV)中介层，和封装基片，芯片封装本身堆叠在印刷电路板(PCB)上。IC裸片可以包括存储器、逻辑、MEMS、RF或其他IC器件。

具有硅基片的硅中介层特别有利于在封装内的IC裸片之间形成高速互连，这是由于精细的导体尺寸以及可以使用公知且可靠的半导体制造技术制造出的间距。然而，一些封装已经替换了硅中介层，而将芯片互连形成在无硅基片的再分布层(siliconsubstrate-less redistribution layer)中。传统的再分布层通常由堆叠的有机介电材料层制成，所述有机介电材料层分隔形成互连的铜线。然而，传统的再分布层制造技术不能实现在使用硅中介层时有利地获得精细的线宽和小的线间距。后果是，在薄的有机再分布层中形成的IC裸片之间的高速互连经常遭受不期望的振荡和串扰，这与材料损耗明显更高的硅中介层相反。

因此，需要一种具有改进的再分布层的芯片封装，该芯片封装在芯片封装的裸片之间提供高速的裸片间连接接口，与现有技术中常规可用的相比，其可以提高数据传输性能。

实用新型内容

本实用新型内容的实施例大体上提供芯片封装及其制造方法。与具有薄的有机中介层的传统封装相比，该芯片封装具有改进的高速数据传输性能，并且在将逻辑和(高带宽)存储器裸片共同封装到存储器设备中时特别有用。

在一个示例中，提供了一种芯片封装，其包括第一裸片、第二裸片、封装基片，和被安装在封装基片上的再分布层(RDL)。所述RDL具有连接所述第一裸片和所述第二裸片的信号传输接口。信号传输接口包括具有裸片间部分的信号传输线。信号传输线的电阻值大于铜线的等效基础电阻值。

示例可包括一个或多个以下特征：

所述信号传输线的裸片间部分具有非线性路径，所述非线性路径被限定为跨过在第二裸片和第一裸片之间限定的裸片间区域。所述信号传输线具有的电阻率大于铜的电阻率。所述信号传输线包括电阻器。所述芯片封装还包括：在所述第二裸片和第一裸片的相对侧之间限定的裸片间区域，所述裸片间区域包括：在第二裸片和第一裸片之间延伸的、邻近被形成在第二裸片一侧处的信号传输焊盘的第一区域；和在第二裸片和第一裸片之间延伸的、邻近被形成在第二裸片一侧处的接地或电源焊盘的第二区域，所述信号传输线至少部分地被布置在第二区域内。所述信号传输线的裸片间部分具有非线性路径，所述非线性路径被限定为跨过在第二裸片和第一裸片之间限定的裸片间区域。所述信号传输线具有的电阻率大于铜的电阻率。所述信号传输线的裸片间部分被布置为相对于所述第二裸片面向所述第一裸片的一侧成非正交的角度。所述信号传输线的裸片间部分具有非线性路径，所述非线性路径被限定为跨过在第二裸片和第一裸片之间限定的裸片间区域所述信号传输线具有的电阻率大于铜的电阻率。所述信号传输线是被形成在包括信号传输接口的至少两个金属层上的第一组信号传输线的一部分。所述信号传输线是限定第一通道的第一组信号传输线的一部分，所述第一组信号传输线被形成在第一金属层上；以及其中限定第二通道的第二组信号传输线被形成在第一金属层下面的第二金属层上的所述信号传输接口中。