[发明专利]存储器读取速度调节电路

说明书

本发明公开了一种存储器读取速度调节电路，采用读脉冲触发内部标志寄存器置1，并通过存储器读电路反馈的读操作完成脉冲对内部标志寄存器清0的过程确保存储器读电路的读数据操作完成，在规定时间内读操作完成时，内部标志寄存器保持为原值0不变，而当读操作未完成时，内部标志寄存器仍为1，主控制器则把存储器读电路的读取速度配置加快，再次发送粗调操作使能信号重新进行粗调判断。该存储器读取速度调节电路，通过内部标志寄存器值来判断存储器是否在规定时间内完成读操作，作为调节存储器的模拟读电路配置的依据，从而能自适应于不同应用场景下，自动调节存储器的读电路的读数据操作速度，可减少存储的读数据功耗以及提高读数据操作可靠性。

技术领域

本发明涉及存储技术，特别涉及一种适用于非挥发性存储器的自适应存储器读取速度调节电路。

背景技术

在现有的非挥发性存储器技术中，对内部单元的读操作的时序控制通常采用模拟读电路设计，其原理图如图1所示。基于给定的基准电压或电流，通过镜像电路方式设计，采用多个模拟开关控制电流大小，形成比较准确的电流，并通过模拟延迟电路，形成内部精确的读时序控制。通过控制这些开关的开闭，在设计中确保能够找到令读出结果正确的配置。

这类开关控制的电流从小到大进行调节，对应读出速度也随着由慢到快进行变化。非挥发性存储器的读出时间是关键指标，通常根据这类开关控制的调节范围，读过程可以划分为三类读出速度配置：可靠读出速度配置、规定读出速度配置、极限读出速度配置。

可靠读出速度配置，能确保内部其他模拟量(例如：读比较电流)在未经精调配置时被正确读出。这种配置下，读出速度低于设计预期规格，但对内部读出电路来说，却能够确保比较可靠的读出数据。这种速度配置下，读速慢，功耗低。

规定读出速度配置，提供保证在所有的条件下都能够满足存储器设计规格的读出速度。这种速度配置下，读速满足规格，功耗适中。

极限读出速度，是不能满足所有条件下读操作正确的一种读出速度，但在特定的条件下，仍能够得到正确的读出数据。例如，一些在低压低温条件下无法正确读出的电路，在常温常压下，却能够读出正确的结果。这种速度配置下，读速快，功耗高。

应用角度来说，需要的是在使用条件下的每次读操作获得正确的结果。通常这个需求与两个因素有关，操作时钟频率和读操作时的电压电流等环境条件。以常见的移动应用场景下，不同的场景下，对于读操作要求有一定差别：在标准操作下，所需的读操作会在设计标准速度下进行，对功耗方面容忍度较高；在低功耗模式下，整体系统性能被降低，对读性能要求大大降低，而转变为要求读功耗大幅降低。

现有技术中，通常做法是采用规定读出速度配置来控制非挥发存储器的内部读电路。通常选用能够确保在不同工艺角条件下的读出速度规格的读出速度配置。这样带来的缺点在于，各类工艺角、电压、温度影响都需要在读操作配置的考虑范围内，造成内部模拟电路可能配置成过高性能，与实际应用要求不符，从而造成实际功耗、性能的浪费。

而如上所述，实时对读出速度的调节，能够带来以下好处：一、有助于提供应用所需的性能配置，同时降低存储器及系统功耗；二、对于一些有工艺缺陷的芯片，能够在特定条件下找到可工作的状态，从而降低产品的失效率。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种存储器读取速度调节电路，能自动调节存储器的读电路的读数据操作速度，可减少存储的读数据功耗以及提高读数据操作可靠性。

为解决上述技术问题，本发明提供的存储器读取速度调节电路，其包括主控制器、读控制电路；

所述读控制电路包括读操作控制器、读操作电路、时钟控制电路、内部标志寄存器；