[发明专利]一种SiP封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种SiP封装结构，包括：

塑封层；

第一芯片，所述第一芯片的背面和侧面被所述塑封层包覆；

金属化凹槽，所述金属化凹槽的侧面被所述塑封层包覆，金属化凹槽由金属化槽体、芯片容纳腔以及芯片背金面引出构成；

第二芯片，所述第二芯片设置在所述金属化凹槽内部；

重新布局布线层，所述重新布局布线层设置在所述塑封层的底面，电连接所述第一芯片和所述第二芯片；以及

外接焊球，所述外接焊球电连接所述重新布局布线层，

其中所述第二芯片为功率芯片，所述功率芯片具有背金面和正面射频输入输出端；所述功率芯片的背金面通过焊接层焊接固定在所述金属化凹槽中；所述金属化凹槽将所述功率芯片的背金面从所述塑封层底面引出，并与所述重新布局布线层电连接。

2.如权利要求1所述的SiP封装结构，其特征在于，所述第一芯片具有M个，其中M≥2。

3.如权利要求1所述的SiP封装结构，其特征在于，包括设置在所述金属化凹槽背面或侧面的天线。

4.如权利要求1所述的SiP封装结构，其特征在于，所述金属化凹槽具有射频输入输出接口。

5.如权利要求1所述的SiP封装结构，其特征在于，所述金属化凹槽的背面被所述塑封层包覆。

6.如权利要求1所述的SiP封装结构，其特征在于，所述金属化凹槽的材质可为高导热性热沉金属材料或表面金属化的硅或表面金属化的高导热陶瓷。

7.如权利要求1所述的SiP封装结构，其特征在于，所述重新布局布线层具有N层，其中N≥2。

8.一种SiP封装结构的制造方法，包括：

形成金属化凹槽，所述金属化凹槽由金属化槽体、芯片容纳腔以及芯片背金面引出构成；

利用焊接材料在金属化凹槽内贴装功率芯片，并回流焊接，功率芯片的背金面通过金属化凹槽实现正面引出，其中所述功率芯片具有正面射频输入输出端；

在载板上倒装固定芯片和已贴装功率芯片的金属化凹槽；

在载板上方形成包覆芯片和金属化凹槽的塑封层，塑封层的高度不低于金属化凹槽的底部；

去除载板；

形成电连接所述芯片和所述功率芯片的重新布局布线层；以及

形成外接焊球。

9.如权利要求8所述的SiP封装结构的制造方法，其特征在于，还包括在所述金属化凹槽的外侧形成集成天线。