[发明专利]一种具有双离化室的离子源在审
| 申请号： | 201910688082.6 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110379698A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 陈张发 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离化 等离子体 离子源 吸出 多电荷离子 离子束流 气体分子 传输 | ||
1.一种具有双离化室的离子源，其特征在于，包括第一离化室、第一吸极、第二离化室、第二吸极和抑制极；其中第一吸极位于第一离化室和第二离化室中间，第二吸极位于第二离化室和抑制极之间；
所述第一吸极的电压低于第一离化室的电压，所述第二离化室的电压高于第一吸极和第二吸极的电压，所述抑制极接地；
气体输入至第一离化室被离化为初步等离子体，所述初步等离子体被第一吸极吸出并传输至第二离化室，所述初步等离子体在第二离化室中被离化为多价等离子体，所述多价等离子体被第二吸极吸出并传输至抑制极。
2.根据权利要求1所述的一种具有双离化室的离子源，其特征在于，所述第二离化室的电压高于所述第一离化室的电压。
3.根据权利要求1所述的一种具有双离化室的离子源，其特征在于，所述第一离化室包括上极板Ⅰ、下极板Ⅰ和磁场产生器Ⅰ，所述气体输入至第一离化室中，与所述上极板Ⅰ和下极板Ⅰ之间的电子碰撞，离化成初步等离子体。
4.根据权利要求3所述的一种具有双离化室的离子源，其特征在于，所述第一离化室中离化电压为30-200V，离化电流为0.1-20A，磁场产生器Ⅰ产生的磁场电流为0.1-20A。
5.根据权利要求3所述的一种具有双离化室的离子源，其特征在于，所述下极板Ⅰ为灯丝结构。
6.根据权利要求5所述的一种具有双离化室的离子源，其特征在于，所述上极板Ⅰ为灯丝结构或反射极板结构。
7.根据权利要求1所述的一种具有双离化室的离子源，其特征在于，所述第二离化室包括上极板Ⅱ、下极板Ⅱ和磁场产生器Ⅱ，所述初步等离子体与所述上极板Ⅱ和下极板Ⅱ之间的电子碰撞，离化成多价等离子体。
8.根据权利要求7所述的一种具有双离化室的离子源，其特征在于，所述第二离化室中离化电压为30-200V，离化电流为0.1-20A，磁场产生器Ⅱ产生的磁场电流为0.1-20A。
9.根据权利要求7所述的一种具有双离化室的离子源，其特征在于，所述下极板Ⅱ为灯丝结构。
10.根据权利要求9所述的一种具有双离化室的离子源，其特征在于，所述上极板Ⅱ为灯丝结构或反射极板结构或相对于下极板为正压的极板。
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