[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201910615762.5 | 申请日: | 2019-07-09 |
公开(公告)号: | CN110310921B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 张建业 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L21/033;H01L21/027;H01L27/32 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 面板 显示装置 | ||
本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置,涉及显示技术领域。本发明通过在衬底基板上形成薄膜晶体管,依次形成钝化层和平坦层,在平坦层上形成金属掩膜层,对金属掩膜层进行图形化处理,以形成待刻蚀孔,对待刻蚀孔在垂直于衬底基板的方向上露出的平坦层和钝化层进行刻蚀,以形成贯穿平坦层和钝化层的过孔,并去除平坦层上剩余的金属掩膜层。通过在平坦层上增加一层金属掩膜层,在对金属掩膜层进行图形化处理形成待刻蚀孔时,金属掩膜层上涂覆的光刻胶较为均匀,形成的待刻蚀孔不会出现刻蚀不完全或过刻的现象,后续通过待刻蚀孔形成贯穿平坦层和钝化层的过孔时,也不会出现刻蚀不完全或过刻的现象,提高显示面板的良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,显示产品逐渐向高分辨率、高色域、高画质和高寿命的方向发展,而采用喷墨打印工艺形成的OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板相对于采用蒸镀工艺形成的OLED显示面板具有更好的性能和寿命优势,尤其适用于大尺寸的显示产品中。
目前,显示基板中的平坦层的厚度较大,为了形成贯穿平坦层的过孔,在平坦层上涂覆的光刻胶的厚度也越大,易使得光刻胶的涂覆厚度不均,从而导致后续在形成贯穿平坦层的过孔时,易出现刻蚀不完全或过刻的现象,影响显示面板的良率。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置,以解决现有的显示基板制作过程中,平坦层上的光刻胶涂覆不均匀,使得后续工艺难以进行下去,影响显示面板的良率的问题。
为了解决上述问题,本发明公开了一种显示基板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成薄膜晶体管;
依次形成钝化层和平坦层,所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管,所述平坦层覆盖所述钝化层;
在所述平坦层上形成金属掩膜层;
对所述金属掩膜层进行图形化处理,以形成待刻蚀孔;
对所述待刻蚀孔在垂直于所述衬底基板的方向上露出的平坦层和钝化层进行刻蚀,以形成贯穿所述平坦层和所述钝化层的过孔,并去除所述平坦层上剩余的金属掩膜层。
可选的,所述金属掩膜层的材料为Cu或AlNd。
可选的,所述对所述待刻蚀孔在垂直于所述衬底基板的方向上露出的平坦层和钝化层进行刻蚀,以形成贯穿所述平坦层和所述钝化层的过孔,并去除所述平坦层上剩余的金属掩膜层的步骤,包括:
采用第一刻蚀工艺对所述待刻蚀孔在垂直于所述衬底基板的方向上露出的平坦层进行刻蚀,以形成贯穿所述平坦层的过渡孔;
采用第二刻蚀工艺去除所述平坦层上剩余的金属掩膜层;
在所述平坦层上涂覆光刻胶;
对所述光刻胶进行图形化处理,以去除所述过渡孔内填充的光刻胶;
采用第三刻蚀工艺对所述过渡孔在垂直于所述衬底基板的方向上露出的钝化层进行刻蚀,以形成贯穿所述平坦层和所述钝化层的过孔。
可选的,所述第一刻蚀工艺和所述第三刻蚀工艺均为干法刻蚀工艺,所采用的刻蚀气体为CF4和O2的混合气体;所述第二刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺,所采用的刻蚀溶液为酸性溶液。
可选的,所述金属掩膜层的材料为Au。
可选的,所述对所述待刻蚀孔在垂直于所述衬底基板的方向上露出的平坦层和钝化层进行刻蚀,以形成贯穿所述平坦层和所述钝化层的过孔,并去除所述平坦层上剩余的金属掩膜层的步骤,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造