[发明专利]处理基板的方法

说明书

提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。

本申请是申请日为2015年2月17日、申请号为201580013445.6、名称为“在半导体腔室中的晶片旋转”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明所述的实施例总体上涉及用于处理基板的设备与方法。更具体地，本发明所述的实施例涉及半导体基板中的基板旋转。

背景技术

半导体器件性能由各种因素所决定。一个重要因素是沉积在基板上的膜的均匀性。期望均匀地沉积膜以使得跨基板表面最小化厚度变化。例如，可能期望形成具有跨基板表面的小于约5％的厚度变化的膜。

然而，膜均匀性可能受若干因素不利地影响，这些因素包括加热器温度、腔室几何形状、工艺气流非均匀性，及等离子体非均匀性等。这些因素可能导致非均匀膜沉积在基板表面上，从而可能最终减低器件性能。

因此，在本领域中存在对改善半导体处理中的膜均匀性的设备与方法的需要。

发明内容

在一个实施例中，提供一种用于处理基板的设备。该设备包括腔室主体和面板，所述腔室主体和所述面板界定处理容积。基座可移动地设置于处理容积内并且旋转构件也可移动地设置于所述处理容积内。可从基座径向向外设置旋转构件。可经配置以支撑基板的边缘环可经适配成选择性地与基座或旋转构件接合。

在另一个实施例中，提供一种处理基板的方法。该方法包括将膜的第一部分沉积在第一位置中的基板上。接着可停止膜的第一部分的沉积并可将基板从第一位置旋转到不同于该第一位置的第二位置。膜的第二部分可接着沉积在第二位置中的基板上。

在又另一个实施例中，提供一种处理基板的方法。该方法包括：将基板定位在设置在处理腔室中的边缘环上；使边缘环与基座接触；举升基座到处理位置；以及将膜沉积在基板上。边缘环可与旋转构件接触，可从处理位置使基座下降，以及可旋转旋转构件。

附图说明

因此，为了详细理解本公开的上述特征的方式，可参考实施例得出上述简要概括的本公开的更具体的描述，实施例中的一些在所附附图中示出。然而，值得注意的是，所附附图只示出本公开的典型实施例，并且因此不被视为对本公开的范围的限制，由于本发明可允许其他等效的实施例。

图1示出根据一个实施例的处理腔室的示意性截面图。

图2A至图2D示出根据一个实施例的各种基板处理步骤期间的图1的处理腔室。

图3A至图3C示出根据一个实施例的各种基板处理步骤期间的图1的处理腔室。

图4示出根据一个实施例的处理腔室的示意性截面图。

图5A至图5F示出根据一个实施例的各种基板处理步骤期间的图4的处理腔室。

为便于理解，在可能的情况下，已使用相同的参考标号指定附图共有的相同元件。可以构想到，一个实施例中的元件与特征可有益地并入其他实施例中而无需进一步的叙述。

具体实施方式

提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，两者都可移动地设置于处理腔室内。旋转构件经适配成旋转设置于腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。