[发明专利]原子层沉积腔室部件及其制备方法、以及原子层沉积设备

说明书

本发明涉及一种原子层沉积腔室部件及其制备方法、以及原子层沉积设备。该原子层沉积腔室部件包括主体和疏水性涂层，其中，疏水性涂层形成于主体的表面。上述原子层沉积腔室部件，通过对原子层沉积腔室部件的主体进行处理，在腔室部件的主体的表面形成疏水性涂层，当进行ALD(原子层沉积)工艺时，反应等离子体及反应气体无法沉积在腔室部件的表面，从而使腔室部件的表面始终保持洁净而无法粘附薄膜，进而避免了因腔室部件上的薄膜脱落而形成异物，提高薄膜整体性能。此外，以及使得腔室部件的保养周期大大加长，节省了生产成本，同时还减少了腔室部件的等离子体放电现象。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种原子层沉积腔室部件及其制备方法、以及原子层沉积设备。

背景技术

当前的半导体及平板制造中，PEALD(等离子体增强原子层沉积)以低温、重复性好以及可得到更致密可靠的、更均匀的、台阶覆盖率更高的薄膜等特点，成为新兴的半导体薄膜沉积技术中应用最广泛的方法之一。在TFT(薄膜晶体管)制程中，它可以沉积有源层(非晶硅、铟镓锌氧化物、多晶硅)、无机绝缘层、钝化层等；在OLED的封装制程中，它可以沉积有效的水氧阻挡层。

通常，产生等离子体的方法可分为电容耦合等离子体法(CCP)和电感耦合等离子法(ICP)。其中，电容耦合等离子体法可在射频电压施加于相对平行的电极板时，透过电极之间所产生的瞬间电场变化产生等离子体。其中电感耦合等离子体法可透过天线所感生出来的感应电场使原材料变为等离子体。

参考图1，一般的电容耦合等离子体法(CCP)和电感耦合等离子法(ICP)是在腔室内的上电极10下电极20之间加载射频电源，并在腔室内保持一定的低真空度，同时通入相应反应气体后，上下电极板之间就会产生等离子体。

由于腔室内形成的反应等离子体及反应气体是充满整个腔室的。因此，膜层除了会沉积到我们的目标衬底上，还会沉积到其他地方，如腔室壁、掩膜板、保护套、衬底承载台等。当在这些腔室部件上沉积的膜层越来越厚，就会容易脱落下来，变成异物飘落至衬底上的薄膜上，形成薄膜上的particle(杂质、异物)，最终会造成薄膜整体性能的下降。

发明内容

基于此，有必要针对如何提高薄膜整体性能的问题，提供一种原子层沉积腔室部件及其制备方法、以及原子层沉积腔室。

一种原子层沉积腔室部件，所述原子层沉积腔室部件包括：

主体，所述主体在原子层沉积腔室中使用；以及

疏水性涂层，所述疏水性涂层形成于所述主体的表面。

上述原子层沉积腔室部件，通过对原子层沉积腔室部件的主体进行处理，在腔室部件的主体的表面形成疏水性涂层，当进行ALD(原子层沉积)工艺时，反应等离子体及反应气体无法沉积在腔室部件的表面，从而使腔室部件的表面始终保持洁净而无法粘附薄膜，进而避免了因腔室部件上的薄膜脱落而形成异物，提高薄膜整体性能。此外，以及使得腔室部件的保养周期大大加长，节省了生产成本，同时还减少了腔室部件的等离子体放电现象。

在其中一个实施例中，所述疏水性涂层的表面呈现化学惰性。

在其中一个实施例中，所述表面呈现化学惰性的涂层为石墨烯涂层；和/或，

所述表面呈现化学惰性的涂层选自钴电镀镀层、镍电镀镀层、镁电镀镀层和铝电镀镀层的至少一种。

在其中一个实施例中，所述疏水性涂层的表面具有疏水化学键。

在其中一个实施例中，所述表面具有疏水化学键的涂层选自氟化沥青涂层、正十二烷基硫醇涂层、有机氧硅烷纳米涂层、聚四氟乙烯涂层和聚偏氟乙烯涂层的至少一种。

在其中一个实施例中，所述沉积腔室部件为气体扩散器、衬底承载台、保护套、成膜区域限定框、掩膜板、观察窗开关阀门、腔室壁、腔室盖和处理配件中的至少一种。