[发明专利]静态存储单元、阵列及器件在审
申请号: | 201810577974.4 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN110570888A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 王楠 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G11C11/419 | 分类号: | G11C11/419;G11C11/412 |
代理公司: | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传输门晶体管 下拉晶体管 上拉晶体管 排布 静态存储单元 读写 对角线 漏极 源极 离子 选中 | ||
本发明提供了一种静态存储单元、阵列及器件,所述上拉晶体管组中具有呈对角线排布的两个上拉晶体管,所述下拉晶体管组位于所述上拉晶体管组的两侧,所述传输门晶体管组位于所述下拉晶体管组的外侧,所述下拉晶体管中的多个下拉晶体管的栅极呈一列排布,所述传输门晶体管组中的多个传输门晶体管的栅极呈一列排布,可以方便的区分所述下拉晶体管及所述传输门晶体管,实现单独选中并操作所述传输门晶体管,以对所述传输门晶体管的源极、漏极或者栅极进行特殊的操作(例如离子注入),增加其读写的电流,进而增加静态存储单元的读写速度。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种静态存储单元、阵列及器件。
背景技术
静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)作为存储器中的一员,具有高速度、低功耗与标准工艺相兼容等优点,广泛应用于电脑、个人通信、消费电子产品(智能卡、数码相机、多媒体播放器)等领域。随着半导体工艺技术的不断发展,工艺节点逐渐减小,多栅器件得到了广泛的关注,鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种常见的多栅器件,被广泛应用于SRAM存储器的晶体管中,其能够有效的提高SRAM存储器的性能。
现有的鳍式场效应晶体管的读写速度还有待提高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种静态存储单元、阵列及器件,以提高现有的静态存储单元、阵列及器件的读写速度。
为了达到上述目的,本发明提供了一种静态存储单元,所述静态存储单元形成于一衬底上,所述静态存储单元包括上拉晶体管组、两个下拉晶体管组及两个传输门晶体管组;
所述上拉晶体管组包括两个上拉晶体管,两个所述上拉晶体管的栅极在所述衬底上呈对角线排布;所述下拉晶体管组包括多个下拉晶体管,多个所述下拉晶体管的栅极呈一列排布;所述传输门晶体管组包括多个传输门晶体管,多个所述传输门晶体管的栅极呈一列排布;
两个所述下拉晶体管组分别位于所述上拉晶体管组的外侧,两个所述传输门晶体管组分别位于两个所述下拉晶体管组的外侧。
可选的,所述下拉晶体管组中的下拉晶体管的数量与所述传输门晶体管组中的传输门晶体管的数量相同。
可选的,两个所述下拉晶体管组分别为第一下拉晶体管组和第二下拉晶体管组,两个所述传输门晶体管组分别为第一传输门晶体管组和第二传输门晶体管组,所述第一下拉晶体管组与所述第一传输门晶体管组相邻,所述第二下拉晶体管组与所述第二传输门晶体管组相邻。
可选的,所述衬底上形成有依次并排排列的第一鳍式结构、第二鳍式结构、第三鳍式结构、第四鳍式结构、第五鳍式结构及第六鳍式结构,所述上拉晶体管组中的两个上拉晶体管的栅极分别位于所述第三鳍式结构及所述第四鳍式结构上,所述第一下拉晶体管组和所述第二下拉晶体管组中的下拉晶体管的栅极分别位于所述第二鳍式结构和所述第五鳍式结构上,所述第一传输门晶体管组和所述第二传输门晶体管组中的传输门晶体管的栅极分别位于所述第一鳍式结构和所述第六鳍式结构上。
可选的,所述下拉晶体管组中的一个所述下拉晶体管的栅极与所述传输门晶体管组中的一个所述传输门晶体管的栅极呈一行排布,所述下拉晶体管组中的多个下拉晶体管的栅极与所述传输门晶体管组中的多个的传输门晶体管的栅极呈多行排布。
可选的,所述传输门晶体管组中的多个传输门晶体管的栅极相连后与一字线相连;所述传输门晶体管组中的多个传输门晶体管的源极相连后与一位线或一互补位线相连。
可选的,两个所述上拉晶体管为第一上拉晶体管及第二上拉晶体管,所述第一上拉晶体管与所述第一下拉晶体管组相邻,所述第二上拉晶体管与所述第二下拉晶体管组相邻。
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